工藝

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工藝技術(shù)

薄晶片已經(jīng)成為各種新型微電子產(chǎn)品的基本需求。這些產(chǎn)品包括用于RFID系統(tǒng)的功率器件、分立半導(dǎo)體、光電元件和集成電路。此外，向堆疊管芯組件的轉(zhuǎn)變、垂直系統(tǒng)...

2022-07-05 標(biāo)簽：工藝蝕刻晶片 4.8k 0

關(guān)于GOB封裝技術(shù)

近年來(lái)GOB封裝技術(shù)在LED行業(yè)的應(yīng)用層出不窮，不僅為行業(yè)帶來(lái)了新的演進(jìn)方向，也為產(chǎn)品在各個(gè)領(lǐng)域的應(yīng)用帶來(lái)了實(shí)實(shí)在在的好處。

2023-06-09 標(biāo)簽：led pcb 工藝 4.7k 0

金絲鍵合第二焊點(diǎn)補(bǔ)球工藝的可靠性分析

分析表明，焊接界面粗糙，平整度較差時(shí)，楔形魚(yú)尾狀根部容易受傷或粘接不牢固，導(dǎo)致鍵合拉力強(qiáng)度過(guò)低。為了提高金絲鍵合工藝可靠性，可以采用補(bǔ)球的工藝，在第二焊...

2023-10-26 標(biāo)簽：集成電路封裝工藝 4.6k 0

如何計(jì)算晶圓中芯片數(shù)量

在之前文章如何計(jì)算芯片(Die)尺寸?中，討論了Die尺寸的計(jì)算方法，在本文中，將討論如何預(yù)估一個(gè)晶圓中有多少Die，也就是DPW(Die per Wa...

2025-04-02 標(biāo)簽：芯片晶圓工藝 4.6k 0

半導(dǎo)體選擇性外延生長(zhǎng)技術(shù)的發(fā)展歷史

選擇性外延生長(zhǎng)(SEG)是當(dāng)今關(guān)鍵的前端工藝(FEOL)技術(shù)之一，已在CMOS器件制造中使用了20年。英特爾在2003年的90納米節(jié)點(diǎn)平面CMOS中首次...

2025-05-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體工藝晶體管 4.5k 0

電池包解析：殼體結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及連接工藝

電池包殼體輕量化，對(duì)于提升電池包能量密度有著重大意義。

2023-05-11 標(biāo)簽：工藝焊接結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì) 4.5k 0

先進(jìn)封裝RDL-first工藝研究進(jìn)展

隨著摩爾定律逐步達(dá)到極限，大量行業(yè)巨頭暫停了 7 nm 以下工藝的研發(fā)，轉(zhuǎn)而將目光投向先進(jìn)封裝領(lǐng)域。其中再布線先行（ RDL-first ）工藝作為先...

2023-12-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體工藝 FIRST 4.4k 0

半導(dǎo)體制造之等離子工藝詳解

與濕式刻蝕比較，等離子體刻蝕較少使用化學(xué)試劑，因此也減少了化學(xué)藥品的成本和處理費(fèi)用。

2022-12-29 標(biāo)簽：晶圓工藝等離子 4.4k 0

提高金絲球焊合格率的工藝研究

金絲鍵合是微組裝制造工藝的關(guān)鍵工序，為解決電子產(chǎn)品金絲球焊合格率低的問(wèn)題，根據(jù)金絲球焊的鍵合原理和工作過(guò)程，選取了鍵合壓力、超聲功率、超聲時(shí)間、加熱臺(tái)溫...

2023-02-08 標(biāo)簽：工藝制造工藝鍵合 4.4k 0

Salicide工藝的制造流程

Salicide 工藝是指在沒(méi)有氧化物覆蓋的襯底硅和多晶硅上形成金屬硅化物，從而得到低阻的有源區(qū)和多晶硅。

2024-11-11 標(biāo)簽：晶圓工藝刻蝕 4.3k 0

離子注入工藝中的重要參數(shù)和監(jiān)控手段

本文簡(jiǎn)單介紹了離子注入工藝中的重要參數(shù)和離子注入工藝的監(jiān)控手段。在硅晶圓制造過(guò)程中，離子的分布狀況對(duì)器件性能起著決定性作用，而這一分布又與離子注入工藝...

2025-01-21 標(biāo)簽：工藝離子注入 4.3k 0

半導(dǎo)體封裝中的裝片工藝介紹

裝片（Die Bond）作為半導(dǎo)體封裝關(guān)鍵工序，指通過(guò)導(dǎo)電或絕緣連接方式，將裸芯片精準(zhǔn)固定至基板或引線框架載體的工藝過(guò)程。該工序兼具機(jī)械固定與電氣互聯(lián)雙...

2025-04-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體封裝工藝 4.3k 0

TSV工藝流程與電學(xué)特性研究

本文報(bào)道了TSV過(guò)程的細(xì)節(jié)。還顯示了可以在8-in上均勻地形成許多小的tsv(直徑:6 m，深度:22 m)。通過(guò)這種TSV工藝的晶片。我們?nèi)A林科納研究...

2022-06-16 標(biāo)簽：工藝蝕刻晶片 4.3k 0

?cmp工藝是什么？化學(xué)機(jī)械研磨工藝操作的基本介紹

化學(xué)機(jī)械研磨工藝操作的基本介紹以及其比單純物理研磨的優(yōu)勢(shì)介紹。

2023-11-29 標(biāo)簽：芯片機(jī)械工藝 4.3k 0

凡億Allegro Skill工藝輔助之Gerber設(shè)置導(dǎo)出

Gerber文件是PCB設(shè)計(jì)與制造之間的橋梁，它詳細(xì)記錄了電路板的布局、焊盤(pán)位置、走線寬度、鉆孔信息等關(guān)鍵數(shù)據(jù)，確保板廠能夠嚴(yán)格按照設(shè)計(jì)意圖生產(chǎn)；清晰、...

2025-07-23 標(biāo)簽：工藝 PCB設(shè)計(jì)Gerber 4.2k 0

車用線束端子壓接工藝研究

汽車線束素有汽車神經(jīng)之稱，是對(duì)汽車進(jìn)行電信號(hào)控制的載體，汽車線束是汽車電路的網(wǎng)絡(luò)主體，沒(méi)有線束也就不存在汽車電路。目前，不管是高級(jí)豪華汽車還是經(jīng)濟(jì)型普通...

2023-05-09 標(biāo)簽：工藝端子接插件 4.2k 0

濕法蝕刻工藝的原理

濕法蝕刻工藝的原理是利用化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為liquid化合物。由于采用了高選擇性化學(xué)物質(zhì)可以非常精確地適用于每一部電影。對(duì)于大多數(shù)解決方案選擇性大...

2022-07-27 標(biāo)簽：晶圓工藝蝕刻 4.1k 0

用于硅片減薄的濕法蝕刻工藝控制的研究

薄晶片已成為各種新型微電子產(chǎn)品的基本需求。更薄的模具需要裝進(jìn)更薄的包裝中。與標(biāo)準(zhǔn)的機(jī)械背磨相比，在背面使用最終的濕法蝕刻工藝而變薄的晶片的應(yīng)力更小。

2022-08-26 標(biāo)簽：工藝蝕刻硅晶片 4.1k 0

陶瓷材料表面金屬化——燒滲法

燒滲法也叫被銀法。這種方法是在陶瓷的表面燒滲一層金屬銀，作為電容器、濾波器的電極或集成電路基片的導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)。銀的導(dǎo)電能力強(qiáng)，抗氧化性能好，在銀面上可直接焊...

2022-12-29 標(biāo)簽：濾波器工藝陶瓷材料 4.1k 0

GaAlAs/GaAs半導(dǎo)體激光器簡(jiǎn)述

可見(jiàn)光激光器的應(yīng)用是十分廣泛的，甚至有人說(shuō)可見(jiàn)激光是比LED更棒的光源。但是其發(fā)展的主要困難是如何選擇合適的有源層、限制層材料以及對(duì)應(yīng)的生長(zhǎng)工藝。

2023-03-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體激光器工藝 4.1k 0

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IoT是Internet of Things的縮寫(xiě)，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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　　SDK一般指軟件開(kāi)發(fā)工具包，軟件開(kāi)發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開(kāi)發(fā)工具的集合。軟件開(kāi)發(fā)工具廣義上指輔助開(kāi)發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
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wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200，但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時(shí)候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
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為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。

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