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標(biāo)簽 > 晶圓
晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。
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晶圓的重要性不言而喻，因此我們需要對(duì)晶圓具備一定的認(rèn)識(shí)。前兩篇文章中，小編對(duì)晶圓到CPU的轉(zhuǎn)換過(guò)程、晶圓和硅片的區(qū)別有所探討。為增進(jìn)大家對(duì)晶圓的了解程度...
本文就芯片測(cè)試做一個(gè)詳細(xì)介紹。芯片的測(cè)試大致可以分成兩大部分。CP(chipprobering)和FT(finaltest)。某些芯片還會(huì)進(jìn)行SLT（s...
基于STM32U5片內(nèi)溫度傳感器正確測(cè)算溫度實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)分享
STM32 在內(nèi)部都集成了一個(gè)溫度傳感器，STM32U5 也不例外。這個(gè)位于晶圓上的溫度傳感器雖然不太適合用來(lái)測(cè)量外部環(huán)境的溫度，但是用于監(jiān)控晶圓上的溫...
CP，F(xiàn)T，WAT都是與芯片的測(cè)試有關(guān)，他們有什么區(qū)別呢？如何區(qū)分？
CP是把壞的Die挑出來(lái)，可以減少封裝和測(cè)試的成本。
摘要 研究了高頻和高頻/HCI溶液中的不同平衡點(diǎn)，并研究了SiQ的蝕刻反應(yīng)作為高頻溶液中不同物種的函數(shù)?；贖F二聚體的存在，建立了一種新的SiO~蝕刻...
半導(dǎo)體晶圓制造是現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)中不可或缺的一環(huán)，它是整個(gè)電子行業(yè)的基礎(chǔ)。這項(xiàng)工藝的流程非常復(fù)雜，包含了很多步驟和技術(shù)，下面將詳細(xì)介紹其主要的制造工藝流程。...
物理氣相傳輸法生長(zhǎng)SiC晶圓中的缺陷和測(cè)試
和Si晶體拉晶工藝類似，PVT法制備SiC單晶和切片形成晶圓過(guò)程中也會(huì)引入多種缺陷。這些缺陷主要包括：表面缺陷；引入深能級(jí)的點(diǎn)缺陷；位錯(cuò)；堆垛層錯(cuò)；以及...
差動(dòng)放大器支持低功耗、高性能絕對(duì)值電路
本文介紹如何配置雙通道差動(dòng)放大器（無(wú)需外部元件），以提供精密絕對(duì)值輸出。與傳統(tǒng)方法相比，這種創(chuàng)新方法可以實(shí)現(xiàn)更好的精度、更低的成本和更低的功耗。
2023-02-01 標(biāo)簽：整流器運(yùn)算放大器晶圓 6.1k 0
臺(tái)積電3nm工藝技術(shù)細(xì)節(jié)解讀
最小 Lg 是溝道柵極控制的函數(shù)，例如從具有不受約束的溝道厚度的單柵極平面器件轉(zhuǎn)移到具有 3 個(gè)柵極圍繞薄溝道的 FinFET，從而實(shí)現(xiàn)更短的 Lg。
芯片制造主要分為5個(gè)階段：材料制備;晶體生長(zhǎng)或晶圓制備;晶圓制造和分揀;封裝;終測(cè)。
CMP裝置被應(yīng)用于納米級(jí)晶圓表面平坦化的拋光工藝。拋光顆粒以各種狀態(tài)粘附到拋光后的晶片表面。必須確實(shí)去除可能成為產(chǎn)品缺陷原因的晶圓表面附著物，CMP后的...
隨著晶圓代工制程不斷縮小，摩爾定律逼近極限，先進(jìn)封裝是后摩爾時(shí)代的必然選擇。其中，利用高端封裝融合最新和成熟節(jié)點(diǎn)，采用系統(tǒng)封裝(SiP)和基于小芯片的方...
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)盛會(huì)_出席參展今年度SEMICON China 2018
SEMICON China規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大，已是近6年全球最大、影響力最廣的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)盛會(huì)，匯集全球半導(dǎo)體晶圓廠商共襄盛舉。SEMICON China做為全...
01 —— 芯片制作流程 芯片制作完整過(guò)程包括：芯片設(shè)計(jì)、晶片制作、封裝制作、成本測(cè)試等幾個(gè)環(huán)節(jié)，其中晶片片制作過(guò)程尤為的復(fù)雜。下面圖示讓我們共同來(lái)了解...
微機(jī)械干簧開(kāi)關(guān)的MEMS解決方案
微型干簧開(kāi)關(guān)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了各種各樣的應(yīng)用，要求高可靠性，小尺寸和低成本。簡(jiǎn)單地說(shuō)，微機(jī)械加工技術(shù)是利用半導(dǎo)體制造設(shè)備以創(chuàng)造微機(jī)械的方式為特定目的服務(wù)的系統(tǒng)。...
早先對(duì)于晶圓表面金屬的濃度檢測(cè)需求為1010atoms/cm2，隨著工藝演進(jìn)，偵測(cè)極限已降至108 atoms/cm2，可以滿足此分析需求的技術(shù)以全反射...
2023-05-24 標(biāo)簽：晶圓反應(yīng)器半導(dǎo)體工藝 5.9k 0
半導(dǎo)體制造的工藝過(guò)程由晶圓制造(Wafer Fabr ication)、晶圓測(cè)試(wafer Probe/Sorting)、芯片封裝(Assemble)...
探針卡（Probe card）或許很多人沒(méi)有聽(tīng)過(guò)，但看過(guò)關(guān)于，也就是晶圓測(cè)試方面文章的人應(yīng)該不會(huì)陌生，其中就有提到過(guò)探針卡。
芯片制造是一個(gè)物理過(guò)程，存在著工藝偏差（包括摻雜濃度、擴(kuò)散深度、刻蝕程度等），導(dǎo)致不同批次之間，同一批次不同晶圓之間，同一晶圓不同芯片之間情況都是不相同...
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