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標(biāo)簽 > 晶圓

晶圓

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晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu),而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。

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晶圓技術(shù)

芯片制造全流程簡(jiǎn)述

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? “兵馬未動(dòng),糧草先行”,各路IC英雄是否備好了Hamburger&Chips來迎接下一次的遠(yuǎn)征。其實(shí),在芯片制造過程中,每一個(gè)步驟都像是制作...

2024-10-08 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體晶圓 6.5k 0

什么是刻蝕呢?干法刻蝕與濕法刻蝕又有何區(qū)別和聯(lián)系呢?

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在半導(dǎo)體加工工藝中,常聽到的兩個(gè)詞就是光刻(Lithography)和刻蝕(Etching),它們像倆兄弟一樣,一前一后的出現(xiàn),有著千絲萬縷的聯(lián)系,這一...

2024-01-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓電磁耦合 6.5k 0

深入探索:晶圓級(jí)封裝Bump工藝的關(guān)鍵點(diǎn)

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隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展,晶圓級(jí)封裝(WLP)作為先進(jìn)封裝技術(shù)的重要組成部分,正逐漸成為集成電路封裝的主流趨勢(shì)。在晶圓級(jí)封裝過程中,Bump工藝扮演著至...

2025-03-04 標(biāo)簽:晶圓封裝wlp 6.5k 0

應(yīng)用于自動(dòng)駕駛的光學(xué)相控陣(OPA)的LiDAR系統(tǒng)

CEA-Leti為開發(fā)適用于廣泛商業(yè)應(yīng)用的LiDAR系統(tǒng)邁出了關(guān)鍵的一步,它已經(jīng)開發(fā)了用于校正高通道數(shù)光學(xué)相控陣(OPA)的遺傳算法,以及能夠進(jìn)行晶圓級(jí)...

2021-03-17 標(biāo)簽:晶圓自動(dòng)駕駛LIDAR 6.5k 0

一文讀懂芯片混合鍵合工藝流程

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在封裝史上,最后一次重大范式轉(zhuǎn)變是從引線鍵合到倒裝芯片。從那時(shí)起,更先進(jìn)的封裝形式(例如晶圓級(jí)扇出和 TCB)一直是相同核心原理的漸進(jìn)式改進(jìn)。

2024-02-27 標(biāo)簽:晶圓芯片設(shè)計(jì)蝕刻 6.5k 0

晶圓靜電吸附(ESC)詳解

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什么是真空吸盤? 晶圓真空吸盤通常由堅(jiān)硬的表面構(gòu)成,表面上有許多小孔或通道。通過這些小孔,吸盤可以與真空泵連接,從而產(chǎn)生真空效應(yīng)。

2023-09-08 標(biāo)簽:晶圓溫度控制芯片封裝 6.5k 0

晶圓鍵合類型介紹

這是一種晶圓鍵合方法,其中兩個(gè)表面之間的粘附是由于兩個(gè)表面的分子之間建立的化學(xué)鍵而發(fā)生的。

2023-04-20 標(biāo)簽:CMOS晶圓TLP 6.4k 0

如何調(diào)控BOSCH工藝深硅刻蝕?影響深硅刻蝕的關(guān)鍵參數(shù)有哪些?

如何調(diào)控BOSCH工藝深硅刻蝕?影響深硅刻蝕的關(guān)鍵參數(shù)有哪些?

影響深硅刻蝕的關(guān)鍵參數(shù)有:氣體流量、上電極功率、下電極功率、腔體壓力和冷卻器。

2024-02-25 標(biāo)簽:晶圓冷卻器刻蝕機(jī) 6.4k 0

淺析扇出封裝和SiP的RDL改進(jìn)與工藝流程

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如今,再分布層(RDL)在高級(jí)封裝方案中得到了廣泛應(yīng)用,包括扇出封裝、扇出芯片對(duì)基板方法、扇出封裝對(duì)封裝、硅光子學(xué)和2.5D/3D集成方法。

2024-04-08 標(biāo)簽:晶圓SoC芯片sip封裝 6.4k 0

WLCSP封裝的流程介紹

半導(dǎo)體封裝方法,大致可以分為兩種:傳統(tǒng)封裝和晶圓級(jí)(Wafer-Level)封裝。傳統(tǒng)封裝首先將晶圓切割成芯片,然后對(duì)芯片進(jìn)行封裝;而晶圓級(jí)封裝則是先在...

2023-11-19 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器晶圓芯片封裝 6.4k 0

氮化鎵GaN晶圓的制造流程及應(yīng)用領(lǐng)域

第三代半導(dǎo)體材料禁帶寬度大,具有擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)。因此采用第三代半導(dǎo)體材料制備的半導(dǎo)體器件能在更高的溫度下穩(wěn)定運(yùn)...

2023-02-05 標(biāo)簽:晶圓氮化鎵半導(dǎo)體器件 6.4k 0

一文詳解濕法刻蝕工藝

一文詳解濕法刻蝕工藝

濕法刻蝕作為半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的元老級(jí)技術(shù),其發(fā)展歷程與集成電路的微型化進(jìn)程緊密交織。盡管在先進(jìn)制程中因線寬控制瓶頸逐步被干法工藝取代,但憑借獨(dú)特的工藝優(yōu)勢(shì)...

2025-05-28 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓刻蝕工藝 6.4k 0

晶圓級(jí)多層堆疊技術(shù)及其封裝過程

隨著 5G 和人工智能等新型基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)的不斷推進(jìn),單純通過縮小工藝尺寸、增加單芯片面積等方式帶來的系統(tǒng)功能和性能提升已難以適應(yīng)未來發(fā)展的需求。晶圓級(jí)多...

2022-09-13 標(biāo)簽:晶圓封裝堆疊 6.4k 0

半導(dǎo)體制造工藝最強(qiáng)科普

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中,制造工工程被稱為工藝(Process),理由是什么?雖然沒有明確的答案,但與其說加工尺寸微?。壳笆莕m制程),不如說制造過程無法用肉眼看到所致。

2023-02-21 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓制造工藝 6.3k 0

芯片的制作流程及原理

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芯片的制作流程通常包括以下幾個(gè)主要步驟。

2023-09-27 標(biāo)簽:芯片電路圖晶圓 6.3k 0

晶圓術(shù)語 芯片ECO流程

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晶圓術(shù)語 1.芯片(chip、die)、器件(device)、電路(circuit)、微芯片(microchip)或條碼(bar):所有這些名詞指的是在...

2023-11-01 標(biāo)簽:芯片晶圓ECO 6.3k 0

中科大與中芯國(guó)際在產(chǎn)學(xué)研合作中取得新進(jìn)展

模型從缺陷的受力角度出發(fā),當(dāng)對(duì)顯影后殘留在旋轉(zhuǎn)晶圓表面上的缺陷進(jìn)行去離子水(Deionized Water, DIW)沖洗時(shí),其主要受到三個(gè)力的作用,即...

2018-06-08 標(biāo)簽:集成電路中芯國(guó)際晶圓 6.3k 0

集成電路銅制程常見缺陷的分析

集成電路銅制程常見缺陷的分析

產(chǎn)生上述缺陷的原因是種子層的親水性不好。造成親水性不好的主要原因是種子層表面被有機(jī)物玷污,當(dāng)環(huán)境中的易揮發(fā)有機(jī)物增多。比如光阻揮發(fā),油漆時(shí)溶劑揮發(fā)(有實(shí)...

2018-02-24 標(biāo)簽:集成電路晶圓 6.3k 0

GF周一向全球員工宣布,將進(jìn)行全球裁員

Fab 8也有幾十個(gè)工作,它試圖填補(bǔ),因?yàn)樗黾恿?納米芯片在工廠,全球鑄造廠正在擴(kuò)大到未使用的部分,其潔凈室。該公司還考慮在未來的Fab 8網(wǎng)站上建造...

2018-06-13 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體晶圓 6.3k 0

半導(dǎo)體制造三要素:晶圓、晶粒、芯片的傳奇故事

半導(dǎo)體制造三要素:晶圓、晶粒、芯片的傳奇故事

在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,晶圓、晶粒與芯片是三個(gè)至關(guān)重要的概念,它們各自扮演著不同的角色,卻又緊密相連,共同構(gòu)成了現(xiàn)代電子設(shè)備的基石。本文將深入探討這三者之間的...

2024-12-05 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體晶圓 6.3k 0

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數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
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