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標(biāo)簽 > 晶圓
晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。
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激光劃片作為新興材料加工技術(shù)，近年來(lái)憑借非接觸式加工特性實(shí)現(xiàn)快速發(fā)展。其工作機(jī)制是將高峰值功率激光束經(jīng)擴(kuò)束、整形后，精準(zhǔn)聚焦于藍(lán)寶石基片、硅片、碳化硅（...
半導(dǎo)體行業(yè)之晶體生長(zhǎng)和硅片準(zhǔn)備（六）
一旦晶體在切割塊上被定向了，我們就可以沿著切割塊的這一根軸線打磨出一個(gè)平面或缺口(具體可以見(jiàn)下圖所示)。
集成芯片的制造運(yùn)用了多種技術(shù)，這些技術(shù)相互關(guān)聯(lián)、相互支持，共同構(gòu)成了集成芯片制造的完整過(guò)程。
在科技飛速發(fā)展的今天，芯片作為現(xiàn)代科技的核心元器件，其制造過(guò)程復(fù)雜且充滿挑戰(zhàn)。芯片不僅推動(dòng)了信息技術(shù)、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域的進(jìn)步，還成為衡量一個(gè)國(guó)家科...
GaN和InGaN基化合物半導(dǎo)體和其他III族氮化物已經(jīng)成功地用于實(shí)現(xiàn)藍(lán)-綠光發(fā)光二極管和藍(lán)光激光二極管。由于它們優(yōu)異的化學(xué)和熱穩(wěn)定性，在沒(méi)有其它輔助的...
音頻模數(shù)轉(zhuǎn)換器ADAU7112的產(chǎn)品特性及應(yīng)用范圍
ADAU7112 將立體聲脈沖密度調(diào)制 （PDM） 比特流轉(zhuǎn)換為一個(gè)脈沖編碼調(diào)制 （PCM） 輸出流。PDM 數(shù)據(jù)的源可以是兩個(gè)麥克風(fēng)或其他 PDM 源...
2020-12-02 標(biāo)簽：芯片晶圓模數(shù)轉(zhuǎn)換器 1.5k 0
臺(tái)積電下調(diào)代工報(bào)價(jià) 28/22nm工藝降價(jià)幅度達(dá)10%
據(jù)臺(tái)灣《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道，據(jù)消息人士透露，臺(tái)積電提出的從2023年第三季度開始到2024年第二季度為止的8英寸生產(chǎn)能力價(jià)格因生產(chǎn)量將大幅減少，8英寸平均生...
在芯片工藝不斷演進(jìn)的今天，材料的物理特性與器件層面的可靠性測(cè)試正變得前所未有的重要。近日，在泰克云上大講堂關(guān)于《芯片的物理表征和可靠性測(cè)試》的直播中，大...
晶圓切割機(jī)在氧化鋯材料高精度劃切中的應(yīng)用
晶圓切割機(jī)在氧化鋯中的劃切應(yīng)用主要體現(xiàn)在利用晶圓切割機(jī)配備的精密刀具和控制系統(tǒng)，對(duì)氧化鋯材料進(jìn)行高精度、高效率的切割加工。以下是對(duì)該應(yīng)用的詳細(xì)分析：一、...
隨著封裝技術(shù)向小型化、薄型化、輕量化演進(jìn)，封裝缺陷對(duì)可靠性的影響愈發(fā)凸顯，為提升封裝質(zhì)量需深入探究失效機(jī)理與分析方法。
在超大規(guī)模集成(ULSI)制造的真實(shí)生產(chǎn)線中，器件加工過(guò)程中存在各種污染物。由于超大規(guī)模集成電路器件工藝需要非常干凈的表面，因此必須通過(guò)清潔技術(shù)去除污染...
在制造的各個(gè)階段中，都有可能會(huì)引入導(dǎo)致芯片成品率下降和電學(xué)性能降低的物質(zhì)，這種現(xiàn)象稱為沾污，沾污后會(huì)使生產(chǎn)出來(lái)的芯片有缺陷，導(dǎo)致晶圓上的芯片不能通過(guò)電學(xué)...
器件的良率在很大程度上依賴于適當(dāng)?shù)墓に囈?guī)格設(shè)定和對(duì)制造環(huán)節(jié)的誤差控制，在單元尺寸更小的先進(jìn)節(jié)點(diǎn)上就更是如此。
2020-08-26 標(biāo)簽：晶圓7nm工藝泛林集團(tuán) 1.5k 0
半導(dǎo)體是一種介于導(dǎo)體和絕緣體之間的導(dǎo)電性，半導(dǎo)體通過(guò)參雜可以使得能夠精確地控制電流的流動(dòng)。通過(guò)基于晶圓的光刻、刻蝕和沉積工藝，我們可以構(gòu)建出各種元件，如...
本文旨在描述處理和安裝裸片壓力傳感器的最佳方法。 Merit Sensor 在 4 英寸晶圓上制造所有壓力芯片，這些晶圓在 Mylar 薄膜（箔帶）上切...
探針式與非接觸式碳化硅 TTV 厚度測(cè)量方法對(duì)比評(píng)測(cè)
一、引言 碳化硅（SiC）作為寬禁帶半導(dǎo)體材料，在功率器件、射頻器件等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。總厚度偏差（TTV）是衡量碳化硅襯底質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)，準(zhǔn)確測(cè)量 TTV...
除了傳統(tǒng)的引線鍵合方法外，還有另一種封裝方法，即使用球形凸點(diǎn)連接芯片和基板的電路。這提高了半導(dǎo)體速度。這種技術(shù)稱為倒裝芯片封裝，與引線鍵合相比，它具有更...
具備簡(jiǎn)易設(shè)計(jì)、低漂移和小尺寸的集成分流器解決方案
在自動(dòng)化、便捷性和可持續(xù)性需求的推動(dòng)下，電氣化的進(jìn)步需要更多的傳感器、電力電子設(shè)備和處理器來(lái)可靠、準(zhǔn)確地感知周圍環(huán)境并做出反應(yīng)。
高振幅的振動(dòng)也會(huì)使金屬閥門零件和管道壁開裂和腐蝕。散落的金屬顆粒或者腐蝕性的化學(xué)材料都有可能會(huì)污染管道內(nèi)的介質(zhì)，在衛(wèi)生級(jí)的閥門管道上和高純度的管道介質(zhì)上...
2024-02-26 標(biāo)簽：晶圓閥門工業(yè)設(shè)備 1.4k 0
碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量數(shù)據(jù)異常的快速診斷與處理流程
摘要 本文針對(duì)碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量中出現(xiàn)的數(shù)據(jù)異常問(wèn)題，系統(tǒng)分析異常類型與成因，構(gòu)建科學(xué)高效的快速診斷流程，并提出針對(duì)性處理方法，旨在提升數(shù)據(jù)異...
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