扇入型晶圓級(jí)封裝技術(shù)介紹

扇入技術(shù)屬于單芯片晶圓級(jí)或板級(jí)封裝形式，常被用于制備晶圓級(jí)或面板級(jí)芯片尺寸封裝（W/PLCSP，一般簡(jiǎn)稱為WLCSP）。

2026-03-09 標(biāo)簽：晶圓封裝wlcsp 759 0

切割液多性能協(xié)同優(yōu)化對(duì)晶圓 TTV 厚度均勻性的影響機(jī)制與參數(shù)設(shè)計(jì)

摘要：本文聚焦切割液多性能協(xié)同優(yōu)化對(duì)晶圓 TTV 厚度均勻性的影響。深入剖析切割液冷卻、潤(rùn)滑、排屑等性能影響晶圓 TTV 的內(nèi)在機(jī)制，探索實(shí)現(xiàn)多性能協(xié)同...

2025-07-24 標(biāo)簽：晶圓碳化硅 758 0

從晶圓到芯片：全自動(dòng)腐蝕清洗機(jī)的精密制造賦能

全自動(dòng)硅片腐蝕清洗機(jī)的核心功能與工藝特點(diǎn)圍繞高效、精準(zhǔn)和穩(wěn)定的半導(dǎo)體制造需求展開，具體如下：核心功能均勻可控的化學(xué)腐蝕動(dòng)態(tài)浸泡與旋轉(zhuǎn)同步機(jī)制：通過晶圓槽...

2025-10-30 標(biāo)簽：芯片晶圓清洗機(jī) 755 0

破局晶圓污染難題：硅片清洗對(duì)良率提升的關(guān)鍵作用

去除表面污染物，保障工藝精度顆粒物清除：在半導(dǎo)體制造過程中，晶圓表面極易附著微小的顆粒雜質(zhì)。這些顆粒若未被及時(shí)清除，可能會(huì)在后續(xù)的光刻、刻蝕等工序中引發(fā)...

2025-10-30 標(biāo)簽：晶圓硅片半導(dǎo)體制造 742 0

詳解芯片制造中的金屬中間層鍵合技術(shù)

金屬中間層鍵合技術(shù)涵蓋金屬熱壓鍵合、金屬共晶鍵合、焊料鍵合及瞬態(tài)液相（transient liquid phase，TLP）鍵合等多種類型。圖1展示了這...

2026-01-16 標(biāo)簽：晶圓鍵合 733 0

車輪圖案和寬分離的V形槽的硅蝕刻速率測(cè)量實(shí)驗(yàn)

我們介紹了在氫氧化鉀溶液中蝕刻的車輪圖案和寬分離的V形槽的硅蝕刻速率測(cè)量。數(shù)據(jù)表明，當(dāng)使用貨車輪圖案時(shí)，存在反應(yīng)物耗盡效應(yīng)，這掩蓋了真實(shí)的表面反應(yīng)速率限...

2022-05-11 標(biāo)簽：晶圓蝕刻測(cè)量 731 0

晶圓切割中淺切多道工藝與切削熱分布的耦合效應(yīng)對(duì) TTV 的影響

一、引言 在半導(dǎo)體晶圓制造領(lǐng)域，晶圓總厚度變化（TTV）是衡量晶圓質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)，直接影響芯片制造的良品率與性能。淺切多道工藝通過分層切削降低單次切削力...

2025-07-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓碳化硅 730 0

2.3DIC集成技術(shù)簡(jiǎn)介

在2.3DIC集成工藝中，精細(xì)金屬線寬/線距（L/S）重分布層（RDL）基板（或有機(jī)轉(zhuǎn)接板）與積層封裝基板或高密度互連（HDI）板采用分開制造的方式，兩...

2026-03-06 標(biāo)簽：晶圓制造工藝集成技術(shù) 728 0

切割深度動(dòng)態(tài)補(bǔ)償技術(shù)對(duì)晶圓 TTV 厚度均勻性的提升機(jī)制與參數(shù)優(yōu)化

一、引言 在晶圓制造過程中，晶圓總厚度變化（TTV）是衡量晶圓質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)，直接影響芯片制造的良品率與性能。切割過程中，受切削力、振動(dòng)、刀具磨損等因素...

2025-07-17 標(biāo)簽：晶圓碳化硅新啟 727 0

晶圓切割深度動(dòng)態(tài)補(bǔ)償?shù)闹悄軟Q策模型與 TTV 預(yù)測(cè)控制

摘要：本文針對(duì)超薄晶圓切割過程中 TTV 均勻性控制難題，研究晶圓切割深度動(dòng)態(tài)補(bǔ)償?shù)闹悄軟Q策模型與 TTV 預(yù)測(cè)控制方法。分析影響切割深度與 TTV 的...

2025-07-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓碳化 716 0

不同尺寸晶圓需要多少轉(zhuǎn)速的甩干機(jī)？

在半導(dǎo)體制造中，不同尺寸的晶圓對(duì)甩干機(jī)的轉(zhuǎn)速需求存在差異，但通常遵循以下規(guī)律：小尺寸晶圓（如≤8英寸）這類晶圓由于質(zhì)量較輕、結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單，可采用較高的轉(zhuǎn)...

2025-09-17 標(biāo)簽：晶圓轉(zhuǎn)速 713 0

“準(zhǔn)”字當(dāng)頭：鑫圖光電以“高靈敏之眼” 賦能半導(dǎo)體檢測(cè)精度提升

隨著半導(dǎo)體器件特征尺寸不斷微縮，傳統(tǒng)光學(xué)檢測(cè)正面臨前所未有的精度挑戰(zhàn)，一雙更敏銳的“眼睛”已成為突破檢測(cè)瓶頸的關(guān)鍵。這一需求正推動(dòng)科學(xué)相機(jī)從傳統(tǒng)的“成像...

2025-09-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓電流噪聲 712 0

橢偏儀在DRAM制造量測(cè)中的應(yīng)用：實(shí)現(xiàn)20mm×20mm超寬視場(chǎng)下晶圓級(jí)精準(zhǔn)監(jiān)控及提升良率

隨著半導(dǎo)體器件特征尺寸持續(xù)縮小，局部結(jié)構(gòu)變化易影響電學(xué)性能甚至導(dǎo)致失效，對(duì)高空間密度、高吞吐量的先進(jìn)計(jì)量技術(shù)需求迫切。但現(xiàn)有技術(shù)存在局限：光譜類技術(shù)（S...

2025-10-29 標(biāo)簽：晶圓測(cè)量 711 0

基于納米流體強(qiáng)化的切割液性能提升與晶圓 TTV 均勻性控制

摘要：本文圍繞基于納米流體強(qiáng)化的切割液性能提升及對(duì)晶圓 TTV 均勻性的控制展開研究。探討納米流體強(qiáng)化切割液在冷卻、潤(rùn)滑、排屑等性能方面的提升機(jī)制，分析...

2025-07-25 標(biāo)簽：晶圓碳化硅新啟航 711 0

晶圓工藝制程清洗方法

晶圓工藝制程清洗是半導(dǎo)體制造的核心環(huán)節(jié)，直接決定芯片良率與器件性能，需針對(duì)不同污染物（顆粒、有機(jī)物、金屬離子、氧化物）和制程需求，采用物理、化學(xué)、干法、...

2026-02-26 標(biāo)簽：芯片晶圓半導(dǎo)體制造 702 0

大尺寸硅晶圓槽式清洗機(jī)的參數(shù)化設(shè)計(jì)

大尺寸硅晶圓槽式清洗機(jī)的參數(shù)化設(shè)計(jì)是一個(gè)復(fù)雜而精細(xì)的過程，它涉及多個(gè)關(guān)鍵參數(shù)的優(yōu)化與協(xié)同工作，以確保清洗效果、設(shè)備穩(wěn)定性及生產(chǎn)效率。以下是對(duì)這一設(shè)計(jì)過程...

2025-12-17 標(biāo)簽：晶圓清洗機(jī) 698 0

晶圓濕法刻蝕技術(shù)有哪些優(yōu)點(diǎn)

晶圓濕法刻蝕技術(shù)作為半導(dǎo)體制造中的重要工藝手段，具有以下顯著優(yōu)點(diǎn)：高選擇性與精準(zhǔn)保護(hù)通過選用特定的化學(xué)試劑和控制反應(yīng)條件，濕法刻蝕能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)目標(biāo)材料的高...

2025-10-27 標(biāo)簽：晶圓濕法刻蝕 684 0

晶圓切割中深度補(bǔ)償 - 切削熱耦合效應(yīng)對(duì) TTV 均勻性的影響及抑制

一、引言 在晶圓制造流程中，晶圓總厚度變化（TTV）均勻性是衡量晶圓質(zhì)量的核心指標(biāo)，直接關(guān)系到芯片制造的良品率與性能表現(xiàn) 。切割深度補(bǔ)償技術(shù)能夠動(dòng)態(tài)調(diào)整...

2025-07-18 標(biāo)簽：晶圓碳化 683 0