晶圓

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晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。

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晶圓資訊

SiC在集成光量子芯片上研究也取得了重要進(jìn)展。SiC中的固態(tài)自旋色心光源具有優(yōu)異的自旋性質(zhì)，近期，中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)許金時(shí)團(tuán)隊(duì)利用離子注入制備的PL6色心...

2022-08-12 標(biāo)簽：集成電路晶圓碳化硅 2.4k 0

在BMS儲(chǔ)能中應(yīng)用的IGBT晶圓

IGBT芯片經(jīng)歷了一系列的迭代過(guò)程從PT技術(shù)向NPT技術(shù)，再到現(xiàn)在FS技術(shù)的升級(jí)，使芯片變薄，降低了熱阻，并提升了Tj。IEGT、CSTBT和MPT的引...

2022-08-11 標(biāo)簽：晶圓 IGBT bms 2.9k 0

拜登簽署芯片法案美國(guó)簽署芯片法案目的是什么

2022-08-11 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體晶圓 3.7k 0

格芯公布第二季度初步財(cái)務(wù)業(yè)績(jī) 營(yíng)收同比增長(zhǎng)23%

格芯（納斯達(dá)克：GFS）公布了截至2022年6月30日的第二季度初步財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)。

2022-08-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓格芯 1.6k 0

配制鑄造聚氨酯以生產(chǎn)具有更高精度和耐用性的導(dǎo)絲輥

高性能聚氨酯可以設(shè)計(jì)用于生產(chǎn)更耐用和一致的線切割輥，用于生產(chǎn)晶圓

2022-08-12 標(biāo)簽：晶圓光伏微電子 1.7k 0

微流體的關(guān)鍵概念和應(yīng)用

　　這些是通道幾何形狀和/或靜電力與液體相互作用以產(chǎn)生或操縱液滴的裝置。然后液滴可以具有允許局部反應(yīng)的特定特性，同時(shí)防止化合物擴(kuò)散到液滴外。

2022-08-09 標(biāo)簽：傳感器 mems 晶圓 1.5k 0

晶圓探針測(cè)試主要設(shè)備有哪些

晶圓探針測(cè)試也被稱為中間測(cè)試（中測(cè)），是集成電路生產(chǎn)中的重要一環(huán)。晶圓探針測(cè)試的目的就是確保在芯片封裝前，盡可能地把壞的芯片篩選出來(lái)以節(jié)約封裝費(fèi)用。

2022-08-09 標(biāo)簽：電路板晶圓芯片封裝 5.8k 0

一文解析多芯片堆疊封裝技術(shù)（上）

在芯片成品制造環(huán)節(jié)中，市場(chǎng)對(duì)于傳統(tǒng)打線封裝的依賴仍居高不下。市場(chǎng)對(duì)于使用多芯片堆疊技術(shù)、來(lái)實(shí)現(xiàn)同尺寸器件中的高存儲(chǔ)密度的需求也日益增長(zhǎng)。這類需求給半導(dǎo)體...

2022-08-07 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)器晶圓 5.4k 0

碳化硅肖特基二極管的設(shè)計(jì)與優(yōu)化

碳化硅（SiC）因其固有的寬帶隙和高導(dǎo)熱性材料特性而廣泛用于中高壓功率半導(dǎo)體器件制造。

2022-08-05 標(biāo)簽：晶圓肖特基二極管碳化硅 1.4k 0

芯片制造的流程是什么

改革開(kāi)放以來(lái)，我國(guó)的社會(huì)地位和社會(huì)經(jīng)濟(jì)都在不斷提升，同時(shí)，科技實(shí)力也得到了質(zhì)的飛躍，中國(guó)生產(chǎn)的電子產(chǎn)品品質(zhì)有了長(zhǎng)足的進(jìn)步，中國(guó)制造響徹全世界，技術(shù)實(shí)力也...

2022-08-04 標(biāo)簽：芯片晶圓芯片制造 4.5萬(wàn) 0

改進(jìn)碳化硅晶圓工藝

碳化硅在電動(dòng)汽車和新能源等市場(chǎng)的重要性促使許多公司重新審視和投資晶圓技術(shù)，以制定符合需求的發(fā)展計(jì)劃。 X-Trinsic 是一家旨在改進(jìn)制造工藝并專注于...

2022-08-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓設(shè)計(jì) 3k 0

用于下一代電力電子的GaN

在上一屆Nexperia Power 現(xiàn)場(chǎng)活動(dòng)中，許多行業(yè)領(lǐng)袖討論了與氮化鎵技術(shù)相關(guān)的不同話題。作為一種材料，在許多應(yīng)用中，GaN 似乎比硅具有顯著的內(nèi)...

2022-08-03 標(biāo)簽：晶圓散熱器 GaN 2.2k 0

何為以系統(tǒng)的角度考量芯片？

國(guó)人常說(shuō)釜底抽薪，如果我們將14nm定義為先進(jìn)制程的入口，那么美國(guó)無(wú)疑是想從根本上斷絕中國(guó)通過(guò)傳統(tǒng)晶體管微縮的方式進(jìn)入先進(jìn)制程，讓中國(guó)相關(guān)工藝停滯在28...

2022-08-02 標(biāo)簽：芯片中芯國(guó)際晶圓 1.6k 0

長(zhǎng)電微電子晶圓級(jí)微系統(tǒng)集成高端制造項(xiàng)目正式啟動(dòng)

今天，長(zhǎng)電科技旗下“長(zhǎng)電微電子晶圓級(jí)微系統(tǒng)集成高端制造項(xiàng)目”在長(zhǎng)電科技江陰城東新廠區(qū)正式開(kāi)工。無(wú)錫市、江陰市主要領(lǐng)導(dǎo)出席開(kāi)工儀式，并為項(xiàng)目奠基。

2022-07-30 標(biāo)簽：集成電路晶圓長(zhǎng)電 2.8k 0

SiC 技術(shù)：采訪 X-Trinsic 的 Robert Rhoades

半導(dǎo)體是電子電路中最常用的元件之一，具有高性能、可靠性和低成本。通常用于制造集成電路的半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)包括一系列照相和化學(xué)處理步驟，最終在純半導(dǎo)體材料晶...

2022-07-30 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓 SiC 835 0

使用GaN制造半導(dǎo)體晶圓

通過(guò)使用下一代納米和半導(dǎo)體晶圓技術(shù)，將您的技術(shù)提升到一個(gè)新的水平。RISE 是新興技術(shù)的測(cè)試平臺(tái)。ProNano 是一個(gè)數(shù)字創(chuàng)新中心，您可以在其中進(jìn)行試...

2022-07-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓 GaN 1.4k 0

肖特基二極管和耗盡型 HEMT 與200-V GaN IC的單片集成

Imec 展示了高性能肖特基勢(shì)壘二極管和耗盡型（d-mode）高電子遷移率晶體管（HEMT）在基于 p 型氮化鎵（GaN） HEMT 的 20...

2022-07-29 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器晶圓肖特基二極管 1.9k 0

200mm SiC 生產(chǎn)之路

降低半導(dǎo)體制造成本的一個(gè)關(guān)鍵方法是采用更大直徑的晶圓。Si CMOS 制造在 90 年代經(jīng)歷了 150 毫米到 200 毫米的轉(zhuǎn)變，隨后在十年左右的時(shí)間...

2022-07-30 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓工業(yè) 1.2k 0

非 CMOS 兼容的 SiC 功率器件在體硅晶圓廠中的制造

碳化硅器件正在幾個(gè)大容量功率應(yīng)用中取代其現(xiàn)有的硅對(duì)應(yīng)物。隨著 SiC 市場(chǎng)份額的持續(xù)增長(zhǎng)，該行業(yè)正在消除大規(guī)模商業(yè)化的最后一道障礙，包括高于 Si 器件...

2022-07-30 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓 SiC 1.1k 0

如何控制晶圓廠內(nèi)外的電磁干擾

電磁干擾 (EMI) 是全球電子制造供應(yīng)鏈中越來(lái)越重要的話題。越來(lái)越小的 IC 幾何尺寸、更低的電源電壓和更高的數(shù)據(jù)速率都使設(shè)備和工藝更容易受到 EMI...

2022-07-28 標(biāo)簽：emi 晶圓電磁干擾 2.5k 0

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寒武紀(jì)是目前國(guó)際上少數(shù)幾家全面系統(tǒng)掌握了通用型智能芯片及其基礎(chǔ)系統(tǒng)軟件研發(fā)和產(chǎn)品化核心技術(shù)的企業(yè)之一，能提供云邊端一體、軟硬件協(xié)同、訓(xùn)練推理融合、具備統(tǒng)一生態(tài)的系列化智能芯片產(chǎn)品和平臺(tái)化基礎(chǔ)系統(tǒng)軟件。
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德國(guó)易能森有限公司(EnOcean GmbH)是無(wú)線能量采集技術(shù)的開(kāi)創(chuàng)者。2012年3月，國(guó)際電工技術(shù)委員會(huì)將EnOcean無(wú)線通信標(biāo)準(zhǔn)采納為國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)“ISO/IEC 14543-3-10”，這也是世界上唯一使用能量采集技術(shù)的無(wú)線國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。
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梁孟松他是加州大學(xué)柏克萊分校電機(jī)博士，畢業(yè)后曾在美國(guó)處理器大廠AMD工作幾年，在四十歲那年加入臺(tái)積電，后來(lái)到三星，現(xiàn)在為中芯國(guó)際執(zhí)行長(zhǎng)。
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北京時(shí)間2017年2月26日，華為終端在巴塞羅那世界移動(dòng)通信大會(huì)2017（MWC）上發(fā)布發(fā)布了全新華為P系列智能手機(jī)——華為P10 & P10 Plus.
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　　華為Mate 9系列是華為推出的商務(wù)旗艦手機(jī)。華為Mate 9系列搭載麒麟960海思處理器，操作系統(tǒng)為基于Android 7.0深度定制的EMUI5.0。
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Haswell是英特爾第四代CPU架構(gòu)，Haswell的最高端核芯顯卡GT3系列在移動(dòng)版Core i7使用，而中端的GT2則分配給桌面版的Core i系列處理器，而最低端的奔騰、賽揚(yáng)搭載GT1。此外，Haswell將會(huì)使用LGA1150插座，無(wú)法和LGA1155替換。制程方面，Haswell繼續(xù)使用IVB的22nm制程。
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北京時(shí)間2015年9月10日，美國(guó)蘋(píng)果公司發(fā)布了iPhone 6s［1］。iPhone 6s有金色、銀色、深空灰色、玫瑰金色。
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iBeacon是蘋(píng)果公司2013年9月發(fā)布的移動(dòng)設(shè)備用OS（iOS7）上配備的新功能。其工作方式是，配備有低功耗藍(lán)牙（BLE）通信功能的設(shè)備使用BLE技術(shù)向周圍發(fā)送自己特有的ID，接收到該ID的應(yīng)用軟件會(huì)根據(jù)該ID采取一些行動(dòng)。
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公司在特別依賴分布式高性能計(jì)算維護(hù)網(wǎng)絡(luò)安全的比特幣行業(yè)中脫穎而出，以絕對(duì)的優(yōu)勢(shì)在該細(xì)分市場(chǎng)持續(xù)保持全球第一的市場(chǎng)地位。比特大陸發(fā)布的每一代比特幣挖礦運(yùn)算設(shè)備都在全球范圍內(nèi)保持領(lǐng)先地位。產(chǎn)品行銷全球一百多個(gè)國(guó)家和地區(qū)，深受用戶喜愛(ài)。
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華天科技主要從事半導(dǎo)體集成電路封裝測(cè)試業(yè)務(wù)，產(chǎn)品主要應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)通訊、消費(fèi)電子及智能移動(dòng)終端、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)自動(dòng)化控制、汽車電子等電子整機(jī)和智能化領(lǐng)域。
東軟

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東軟集團(tuán)是中國(guó)領(lǐng)先的IT解決方案與服務(wù)供應(yīng)商，是上市企業(yè)，股票代碼600718。公司成立于1991年，前身為東北大學(xué)下屬的沈陽(yáng)東大開(kāi)發(fā)軟件系統(tǒng)股份有限公司和沈陽(yáng)東大阿爾派軟件有限公司。
OLED電視

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OLED（Organic Light-Emitting Diode），全稱“有機(jī)發(fā)光二極管”，是一種顯示屏幕技術(shù)。采用OLED技術(shù)制造的OLED電視，已經(jīng)不再需要LCD液晶面板，RGB色彩信號(hào)直接由OLED二極管顯示，幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問(wèn)題。

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