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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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銀燒結(jié)技術(shù)在功率模塊封裝的應(yīng)用
作為高可靠性芯片連接技術(shù)，銀燒結(jié)技術(shù)得到了功率模塊廠商的廣泛重視，一些功率半導(dǎo)體頭部公司相繼推出類似技術(shù)，已在功率模塊的封裝中取得了應(yīng)用。
相對于硅材料，使用氮化鎵制造新一代的電力電子器件，可以變得更小、更快和更高效。這將減少電力電子元件的質(zhì)量、體積以及生命周期成本，允許設(shè)備在更高的溫度、電...
?第三代半導(dǎo)體之碳化硅行業(yè)分析報(bào)告
半導(dǎo)體材料目前已經(jīng)發(fā)展至第三代。傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體由于自身物理性能不足以及受限于摩爾定律，逐漸不適應(yīng)于半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展需求，砷化鎵、碳化硅、氮化鎵等化合物半...
氮化鎵芯片是一種新型的半導(dǎo)體材料，由于其優(yōu)良的電學(xué)性能，廣泛應(yīng)用于高頻電子器件和光電器件中。在氮化鎵芯片的生產(chǎn)工藝中，主要包括以下幾個(gè)方面：材料準(zhǔn)備、芯...
2024-01-10 標(biāo)簽：芯片電子器件半導(dǎo)體材料 4.6k 0
近年來，以SiC（SiC）、氮化鎵（GaN）等材料為代表的化合物半導(dǎo)體因其寬禁帶、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等優(yōu)異的性能而飽受關(guān)注。
GaN產(chǎn)業(yè)鏈按環(huán)節(jié)分為Si襯底(或GaN單晶襯底、SiC、藍(lán)寶石)、GaN材料外延、器件設(shè)計(jì)、器件制造、封測以及應(yīng)用。各個(gè)環(huán)節(jié)國內(nèi)均有企業(yè)涉足,如在射頻...
集成柵極驅(qū)動器的GaN ePower超快開關(guān)
氮化鎵場效應(yīng)晶體管在許多電力電子應(yīng)用中持續(xù)獲得關(guān)注，但氮化鎵技術(shù)仍處于其生命周期的早期階段【1】。雖然基本FET性能品質(zhì)因數(shù)還有很大的提升空間，但GaN...
工程師兩難之氮化鎵GaN還是碳化硅SiC？到底該pick誰？
作為第三代功率半導(dǎo)體的絕代雙驕，氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET日益引起工業(yè)界，特別是電氣工程師的重視。之所以電氣工程師如此重視這兩種功率半導(dǎo)體，是因?yàn)?..
OPPO 氮化鎵充電器和普通充電器之間有很多區(qū)別。在本文中，我將詳細(xì)講解這兩種充電器的區(qū)別，包括技術(shù)原理、充電速度、耐用性以及兼容性等方面。 一、技術(shù)原...
氮化鎵（GaN）器件具有類似硅的電性能，可以由硅MOSFET設(shè)計(jì)中使用的許多現(xiàn)成的驅(qū)動產(chǎn)品驅(qū)動。
99元65W超值，首款內(nèi)置中國芯氮化鎵快充深度拆解！
2020年迎來了氮化鎵快充的大爆發(fā)，目前已經(jīng)開始滲透到手機(jī)和筆記本等電子設(shè)備的配件市場，并且市場容量增長迅速。據(jù)充電頭網(wǎng)了解，目前華為、小米、三星、OP...
氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，上世紀(jì)90年代就已經(jīng)有了氮化鎵的應(yīng)用，這些年來氮化鎵已經(jīng)成為了全球半導(dǎo)體研究的熱點(diǎn)，被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體，其具有更...
氮化鎵是一種半導(dǎo)體材料，具有良好的電子特性，可以用于改善電子器件的性能。氮化鎵的主要用途是制造半導(dǎo)體器件，如晶體管、集成電路和光電器件。
2023-02-15 標(biāo)簽：晶體管半導(dǎo)體材料氮化鎵 4.5k 0
通常是指的在藍(lán)寶石襯底上用外延的方法（MOCVD）生長的GaN。外延片上面一般都已經(jīng)做有u-GaN，n-GaN，量子阱，p-GaN。
Texas Instruments LMG3624 650V 170mΩ氮化鎵 (GaN) 功率級數(shù)據(jù)手冊
Texas Instruments LMG3624 650V 170mΩ氮化鎵 (GaN) 功率級適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3624將氮化鎵場效應(yīng)晶...
2025-07-25 標(biāo)簽：氮化鎵功率級開關(guān)模式電源 4.4k 0
華南師范大學(xué)和北京大學(xué)在（100）硅上開發(fā)了基于氮化鎵（GaN）微絲陣列的紫外（UV）金屬 - 半導(dǎo)體 - 金屬（MSM）探測器。
為何及如何將氮化鎵場效應(yīng)晶體管用于高效、高電壓、開關(guān)模式電源應(yīng)用
作者：Art Pini 投稿人：DigiKey 北美編輯 面對社會和監(jiān)管要求，電源效率一直是電子系統(tǒng)的優(yōu)先事項(xiàng)。特別是對于從電動汽車 (EV) 到高壓通...
隨著 5G 的推出，下一代蜂窩網(wǎng)絡(luò)有望提供三種非常重要的功能，進(jìn)而改變我們應(yīng)用無線技術(shù)的方式。
氮化鎵技術(shù)（GaN技術(shù)）是一種基于氮化鎵材料的半導(dǎo)體技術(shù)，被廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備、光電子器件、能源、通信和國防等領(lǐng)域。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵技術(shù)的用途和應(yīng)用...
2024-01-09 標(biāo)簽：功率放大器電子設(shè)備半導(dǎo)體技術(shù) 4.4k 0
芯片的腳位是指芯片與電路板或其他芯片之間進(jìn)行連接的引腳。引腳可以傳輸數(shù)字信號和模擬信號，還用于為芯片提供電源和接地。今天重點(diǎn)介紹的是深圳銀聯(lián)寶氮化鎵電源...
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