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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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氮化鎵簡(jiǎn)介及其應(yīng)用場(chǎng)景
氮化鎵（Gallium Nitride，簡(jiǎn)稱GaN）作為最新一代的半導(dǎo)體材料，近年來(lái)在電力電子應(yīng)用領(lǐng)域引發(fā)了廣泛關(guān)注。其卓越的性能和獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，使其成為...
2024-11-27 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車半導(dǎo)體氮化鎵 5.2k 0
Qorvo是如何布局5G射頻 持續(xù)整合的自屏蔽模塊是未來(lái)趨勢(shì)
5G 使得通信行業(yè)迎來(lái)重大變革，通信頻段數(shù)量從 4G 時(shí)代開(kāi)始就處于快速增長(zhǎng)的狀態(tài)，其中射頻前端作為手機(jī)通信功能的核心組件，將直接受益。
高保真聲音再現(xiàn)發(fā)燒友是氮化鎵（GaN）基本質(zhì)量的最新受益者，因?yàn)樗惯@些發(fā)燒友在充滿挑戰(zhàn)的環(huán)境中得到了喘息。GaN解決了他們關(guān)于最佳家庭音頻設(shè)置構(gòu)成的難...
在5G和新能源汽車等新市場(chǎng)需求的驅(qū)動(dòng)下，第三代半導(dǎo)體材料有望迎來(lái)加速發(fā)展。硅基半導(dǎo)體的性能已無(wú)法完全滿足5G和新能源汽車的需求，碳化硅和氮化鎵等第三代半...
材質(zhì)上比普通的快充更加的高級(jí)，氮化鎵是第三代半導(dǎo)體材料，功率密度更大，體積小，充電速度快，這些都是氮化鎵快充的優(yōu)勢(shì)。
晶體管的主要材料是半導(dǎo)體材料，這些材料在導(dǎo)電性能上介于導(dǎo)體和絕緣體之間，具有獨(dú)特的電子結(jié)構(gòu)和性質(zhì)，使得晶體管能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)電流的有效控制。以下將詳細(xì)探討晶體...
2024-08-15 標(biāo)簽：晶體管半導(dǎo)體材料氮化鎵 5.1k 0
拆解：公牛67W氮化鎵快充插座，采用智融SW3516P主控芯片！
看了一個(gè)拆解視頻。公牛67W氮化鎵快充移動(dòng)插座。 采用黑色外殼，搭配銀色面板，更加適配現(xiàn)代裝飾風(fēng)格。插座配備了一個(gè)新國(guó)標(biāo)五孔插孔和一個(gè)新國(guó)標(biāo)兩孔插孔，并...
相同功率的氮化鎵充電器與普通充電器之間存在著一些關(guān)鍵的區(qū)別。氮化鎵充電器是一種新興的充電器技術(shù)，其采用了氮化鎵半導(dǎo)體材料來(lái)提供電源。相比之下，普通充電器...
解讀射頻GaN市場(chǎng)的機(jī)遇及未來(lái)發(fā)展
今年的GaN(氮化鎵)器件市場(chǎng)異常活躍，GaN逐漸成為主流，開(kāi)始滲透一些批量需求的商業(yè)市場(chǎng)。 GaN已經(jīng)在大部分高功率軍事應(yīng)用中站穩(wěn)了腳跟，并且還抓住了...
隨著消費(fèi)電子產(chǎn)品、電動(dòng)車、家用電器等產(chǎn)品更新?lián)Q代，產(chǎn)品的性能也越來(lái)越受重視，尤其是在功率設(shè)計(jì)方面。如何提升電源轉(zhuǎn)換能效，提高功率密度水平，延長(zhǎng)電池續(xù)航時(shí)...
氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu)和原理 功率器件氮化鎵焊接方法有哪些
氮化鎵功率器件具有較低的導(dǎo)通阻抗和較高的開(kāi)關(guān)速度，使其適用于高功率和高頻率應(yīng)用，如電源轉(zhuǎn)換、無(wú)線通信、雷達(dá)和太陽(yáng)能逆變器等領(lǐng)域。由于其優(yōu)異的性能，氮化鎵...
氮化鎵的發(fā)展難題及技術(shù)突破盤(pán)點(diǎn)
同為第三代半導(dǎo)體材料，氮化鎵時(shí)常被人用來(lái)與碳化硅作比較，雖然沒(méi)有碳化硅發(fā)展的時(shí)間久，但氮化鎵依舊憑借著禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、飽和電子漂移速度...
iCoupler技術(shù)為AC/DC設(shè)計(jì)中的氮化鎵(GaN)晶體管帶來(lái)諸多優(yōu)勢(shì)
GaN晶體管支持大多數(shù)包含單獨(dú)功率因數(shù)校正（PFC）和DC-DC部分的AC/DC電源：前端、無(wú)電橋PFC以及其后的LLC諧振轉(zhuǎn)換器（兩個(gè)電感和一個(gè)電容）...
電子工業(yè)正在盡可能地將硅最大化應(yīng)用，但其畢竟還是有局限的，這就是為什么研究人員正在探索其它材料，如碳化硅，氮化鎵和氧化鎵。雖然氧化鎵的導(dǎo)熱性能較差，但其...
2019-08-29 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車氮化鎵功率半導(dǎo)體 4.9k 0
氮化鎵（GaN）是一種非常堅(jiān)硬且在機(jī)械方面非常穩(wěn)定的寬帶隙半導(dǎo)體材料。由于具有更高的擊穿強(qiáng)度、更快的開(kāi)關(guān)，更高的熱導(dǎo)率和更低的導(dǎo)通電阻，氮化鎵基功率器件...
2023-02-02 標(biāo)簽：電阻半導(dǎo)體材料氮化鎵 4.8k 0
氮化鎵半導(dǎo)體和碳化硅半導(dǎo)體的區(qū)別
氮化鎵半導(dǎo)體和碳化硅半導(dǎo)體是兩種主要的寬禁帶半導(dǎo)體材料，在諸多方面都有明顯的區(qū)別。本文將詳盡、詳實(shí)、細(xì)致地比較這兩種材料的物理特性、制備方法、電學(xué)性能以...
2023-12-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅半導(dǎo)體 4.7k 0
基于SiC或GaN的功率半導(dǎo)體應(yīng)用設(shè)計(jì)
工程師對(duì)電磁干擾，并行化和布局非常熟悉，但是當(dāng)從基于硅的芯片過(guò)渡到碳化硅或?qū)拵镀骷r(shí)，需要多加注意。 芯片顯示，基于硅（Si）的半導(dǎo)體比寬帶隙（WBG...
氮化鎵（GaN）MOS管，是一種基于氮化鎵材料制造的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）。由于氮化鎵具有優(yōu)異的電子遷移率、高電子飽和速度和較高的...
2024-01-10 標(biāo)簽：電阻MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 4.7k 0
GaN襯底制造過(guò)程中N面氮化鎵清洗工藝的研究報(bào)告
氮化鎵由于其寬的直接帶隙、高熱和化學(xué)穩(wěn)定性，已成為短波長(zhǎng)發(fā)射器（發(fā)光二極管和二極管激光器）和探測(cè)器等許多光電應(yīng)用的誘人半導(dǎo)體，以及高功率和高溫電子器件。...
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