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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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提高能效一直是電源制造商的一個長期目標(biāo)。這是真正的“雙贏”，因為這不僅降低運行成本，而且減少了以熱的形式浪費能量，意味著需要更少的散熱管理，從而減小了電...
C2000?實時微控制器 （MCU）應(yīng)對GaN 開關(guān)挑戰(zhàn)
與碳化硅 （SiC）FET 和硅基FET 相比，氮化鎵 （GaN） 場效應(yīng)晶體管 （FET） 可顯著降低開關(guān)損耗和提高功率密度。這些特性對于數(shù)字電源轉(zhuǎn)換...
線性S參數(shù)數(shù)據(jù)與非線性數(shù)據(jù)相結(jié)合的RF放大器模型結(jié)構(gòu)解析
傳統(tǒng)上，線性和非線性RF電路仿真占據(jù)了不同領(lǐng)域。為了仿真級聯(lián)小信號增益和損耗，RF設(shè)備設(shè)計人員傳統(tǒng)上一直廣泛使用S參數(shù)器件模型。由于缺乏數(shù)字形式的數(shù)據(jù)（...
2020-12-21 標(biāo)簽：放大器氮化鎵模擬系統(tǒng) 3.9k 0
PFC開關(guān)管來自納微，型號NV6136C，這是一顆高集成的氮化鎵功率芯片，內(nèi)置驅(qū)動器以及高精度無損耗電流采樣電路，消除取樣電阻的損耗。NV6136C內(nèi)置...
解讀納微電機驅(qū)動專用型GaNSense氮化鎵功率芯片
據(jù)估計，電動機和驅(qū)動器消耗的電力約占全球總發(fā)電量的 45%，相當(dāng)于每年超過 12,000 太瓦時（TWh）的電力，約為全球最大的新疆 5GW 太陽能發(fā)電...
氮化鎵（GaN：Gallium Nitride）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩(wěn)定...
設(shè)計大電流，高開關(guān)頻率同步降壓電路時，要想設(shè)計一個穩(wěn)定可靠的系統(tǒng)，PCB布局顯得尤為重要。同步整流ic U7110W設(shè)計同步整流電路時建議參考下圖的內(nèi)容...
通過100V增強型氮化鎵晶體管實現(xiàn)直直變換器設(shè)計方案
在當(dāng)今的架構(gòu)中，通過采用12V的背板，工業(yè)界能夠使用具有非常好的品質(zhì)因數(shù)特性的40V MOSFET 來滿足高開關(guān)頻率，傳輸高效率以及高功率密度。
GaN Charger推薦方案- HGN093N12S/SL高頻應(yīng)用MOSFET
選用本款HGN093N12S/SL產(chǎn)品， 可以讓客戶提高整機效率， 并且溫度也隨之下降， 效率提升之外， 整體表現(xiàn)與CP值都能有效提升。
氮化鎵（GaN）MOS（金屬氧化物半導(dǎo)體）管驅(qū)動芯片是一種新型的電子器件，它采用氮化鎵材料作為通道和底層襯底，具有能夠承受高功率、高頻率和高溫度的特性。...
【全套國產(chǎn)芯片】亞成微65W高功率密度氮化鎵快充參考設(shè)計評測
對亞成微 65W氮化鎵快充參考設(shè)計進行溫升測試，在溫度約為25℃的恒溫箱內(nèi)以 功率持續(xù)輸出1小時，測得該方案正面最高溫度約為108℃，最高溫度點出現(xiàn)在變...
倍思氮化鎵充電器是一款優(yōu)秀的充電器，具有高效、快速、安全、環(huán)保等優(yōu)點。下面我們將詳細介紹倍思氮化鎵充電器的優(yōu)缺點、使用體驗和與其他產(chǎn)品的比較，幫助您更好...
? 第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體在高溫、高頻、高耐壓等方面的優(yōu)勢，且它們在電力電子系統(tǒng)和電動汽車等領(lǐng)域中有著重要應(yīng)用。本文對其進行簡單介紹。 以碳化硅（SiC...
硅材料的功率半導(dǎo)體器件已被廣泛應(yīng)用于大功率開關(guān)中，如電源、電機控制、工廠自動化以及部分汽車電子器件。這些硅材料功率半導(dǎo)體器件都著重于減少功率損耗。在這些...
2023-11-09 標(biāo)簽：集成電路氮化鎵功率半導(dǎo)體 3.7k 0
具有保護功能的GaN器件實現(xiàn)下一代工業(yè)電源設(shè)計的挑戰(zhàn)
氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體的物理特性與硅器件不相上下。傳統(tǒng)的電源供應(yīng)器金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)只有在犧牲...
2020-12-20 標(biāo)簽：開關(guān)電源場效應(yīng)晶體管氮化鎵 3.7k 0
進入90年代以后，第二代半導(dǎo)體砷化鎵、磷化銦等具有高遷移率的半導(dǎo)體材料逐漸出現(xiàn)，使得有線通訊技術(shù)迅速發(fā)展。隨后在本世紀初，碳化硅，氮化鎵等具有寬禁帶的第...
2023-02-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵碳化硅 3.7k 0
芯干線全新推出的 350W 電源模塊，憑借創(chuàng)新的 PFC+LLC 電源架構(gòu)與同步整流技術(shù)，為大功率供電需求帶來卓越解決方案。
GaN（氮化鎵）晶體管，特別是GaN HEMT（高電子遷移率晶體管），近年來在多個領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用場景。其出色的高頻性能、高功率密度、高溫穩(wěn)定性以及...
調(diào)節(jié)氮化鎵熱量實現(xiàn)高溫穩(wěn)定性的MEMS諧振器
盡管基于硅的MEMS諧振器實現(xiàn)了高的時間分辨率，并且具有較小的相位噪聲和更理想的集成能力，但是它在較高溫度下不穩(wěn)定。
高效氮化鎵電源設(shè)計方案 GaN在基于圖騰柱PFC的電源設(shè)計中實現(xiàn)高效率
氮化鎵 (GaN) 可提高能效，減少 AC/DC 電源損耗，進而有助于降低終端應(yīng)用的擁有成本。例如，借助基于 GaN 的圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC)，...
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