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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱(chēng)Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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氮化鎵（GaN）芯片是一種新型的半導(dǎo)體材料，由氮化鎵制成。它具有許多優(yōu)越的特性，例如高電子遷移率、高耐壓、高頻特性和低電阻等，這使得它在許多領(lǐng)域有著廣泛...
2024-01-10 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體材料氮化鎵 3.6k 0
氮化鎵具有許多內(nèi)在材料優(yōu)勢(shì)，如寬能隙和高電子遷移率。當(dāng)用作橫向高電子遷移率晶體管(HEMT)器件時(shí)，這些特性可用于獲得功率轉(zhuǎn)換性能優(yōu)勢(shì)，因?yàn)槠錈o(wú)反向恢復(fù)...
利用氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管和LM5113半橋驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)的功率及效率
但如何能夠產(chǎn)生所要求的快速變化、帶寬處于數(shù)十兆赫茲（MHz）范圍的供電電壓？我們可以通過(guò)不同的方法來(lái)實(shí)現(xiàn)。其中一個(gè)方法是使用如圖2所示的混合式線性放大器...
2020-08-26 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器晶體管氮化鎵 3.5k 0
芯干線科技新近研發(fā)的一款 100W 電源適配器，深受功放市場(chǎng)青睞，認(rèn)可度極高。
SIC比SI有什么優(yōu)勢(shì)？碳化硅優(yōu)勢(shì)的實(shí)際應(yīng)用
SiC的導(dǎo)熱性大約是Si的三倍，并且將其他特性的所有優(yōu)點(diǎn)結(jié)合在一起。導(dǎo)熱率是指熱量從半導(dǎo)體結(jié)傳遞到外部環(huán)境的速度。這意味著SiC器件可以在高達(dá)200°C...
2023-11-23 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)逆變器IGBT 3.5k 0
氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等寬帶隙半導(dǎo)體器件用作電子開(kāi)關(guān)的優(yōu)勢(shì)
設(shè)計(jì)出色功效的電子應(yīng)用時(shí)，需要考慮使用新型高性能氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）技術(shù)的器件。與電子開(kāi)關(guān)使用的傳統(tǒng)硅解決方案相比，這些新型寬帶隙技術(shù)具有...
2023-10-12 標(biāo)簽：SiC氮化鎵電子開(kāi)關(guān) 3.5k 1
中國(guó)采用氮化鎵實(shí)現(xiàn)了20米無(wú)線輸電
氮化鎵不僅受到近距離無(wú)線充電的歡迎，比如高合汽車(chē)采用GaN無(wú)線充電，而且遠(yuǎn)距離無(wú)線輸電也在采用氮化鎵技術(shù)。
GaN HEMT外延材料表征技術(shù)研究進(jìn)展
氮化鎵 ( GaN) 作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，具有高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度和高熱導(dǎo)率 等優(yōu)異的物理特性，是制作高頻微波器件和大功率電力電子器件的理想材料。...
氮化鎵集成電路縮小電動(dòng)自行車(chē)和無(wú)人機(jī)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
基于氮化鎵器件的逆變器參考設(shè)計(jì)EPC9173無(wú)論是在尺寸、性能、續(xù)航里程、精度和扭矩方面，優(yōu)化了電機(jī)系統(tǒng)且簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)和加快產(chǎn)品推出市場(chǎng)的時(shí)間。我們可以把這...
2022-06-06 標(biāo)簽：集成電路氮化鎵電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 3.4k 0
氮化鎵充電器的高功率密度，能在很小的體積里給出更高的功率，所以氮化鎵充電器個(gè)頭更小，重量也更輕。且能把電能轉(zhuǎn)換得更有效，能量損失也少，充電速度就能變得更...
氮化鎵半導(dǎo)體芯片（GaN芯片）和傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體芯片在組成材料、性能特點(diǎn)、應(yīng)用領(lǐng)域等方面存在著明顯的區(qū)別。本文將從這幾個(gè)方面進(jìn)行詳細(xì)介紹。 首先，氮化鎵半...
制造大直徑GaN襯底的要點(diǎn)（鈉熔劑法） 豐田合成表示，6英寸功率半導(dǎo)體氮化鎵襯底的研發(fā)得益于早期LED氮化鎵襯底技術(shù)的積累。
2022-11-18 標(biāo)簽：氮化鎵 3.4k 0
基于增強(qiáng)型氮化鎵（eGaN?技術(shù)）的電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)
基于增強(qiáng)型氮化鎵（eGaN?技術(shù)）的電源轉(zhuǎn)換器的優(yōu)點(diǎn)，其現(xiàn)有數(shù)據(jù)中心和集中于低至1VDC負(fù)載電壓的48 VDC輸入電壓所用的電信架構(gòu)解決方案。
2021-01-20 標(biāo)簽：服務(wù)器電源轉(zhuǎn)換器氮化鎵 3.4k 0
氮化鎵MOS管（GaN MOSFET）是一種基于氮化鎵材料的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管。它結(jié)合了氮化鎵的高電子遷移率和MOS管的優(yōu)良特性，具有高速開(kāi)關(guān)速度...
淺析現(xiàn)代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中常用的半導(dǎo)體材料
半導(dǎo)體材料是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的核心，它是制造電子和計(jì)算機(jī)芯片的基礎(chǔ)。半導(dǎo)體材料的種類(lèi)繁多，不同的材料具有不同的特性和用途。本文將介紹現(xiàn)代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中常用的半導(dǎo)...
2023-11-29 標(biāo)簽：集成電路MOSFET半導(dǎo)體材料 3.4k 0
氮化鎵功率器件可以分為三類(lèi)：MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）、IGBT（晶閘管）和JFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。
可換成氮化鎵就不一樣了，單車(chē)變轎車(chē)，開(kāi)關(guān)頻率得到大幅提升，損耗還更小。如此一來(lái)，充電器就能用上體積更小的變壓器、電容、電感。。。。。。從而有效縮小充電器...
近幾十年來(lái)，電力電子設(shè)備發(fā)展迅速，主要是由于半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)速度越來(lái)越快，這使得設(shè)計(jì)更小的電力存儲(chǔ)組件（如電容器和電感）成為可能。結(jié)合更高的效率，這可以實(shí)現(xiàn)更...
電子元件是電子設(shè)備和系統(tǒng)產(chǎn)品的最基本組成部分，其性能和可靠性對(duì)電子設(shè)備和系統(tǒng)的安全可靠運(yùn)行至關(guān)重要。
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