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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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車規(guī)級(jí)氮化鎵（GaN）技術(shù)有何優(yōu)勢？
作為電力電子領(lǐng)域的核心技術(shù)之一，基于GaN的電能轉(zhuǎn)換技術(shù)在消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用，這對提高電能的高效利用及實(shí)現(xiàn)節(jié)能減排起著關(guān)鍵作用。
2023-06-29 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)中心氮化鎵GaN 2k 0
氮化鎵（GaN），作為一種具有獨(dú)特物理和化學(xué)性質(zhì)的半導(dǎo)體材料，近年來在電子領(lǐng)域大放異彩，其制成的氮化鎵功率芯片在功率轉(zhuǎn)換效率、開關(guān)速度及耐高溫等方面優(yōu)勢...
如果控制器的輸出和柵極之間存在不連續(xù)的情況，那么MOSFET將無法打開，且電流會(huì)流過體二極管，從而導(dǎo)致MOSFET過熱。
Analog Devices Inc. ADPA1122 20W氮化鎵 (GaN) 功率放大器數(shù)據(jù)手冊
Analog Devices Inc. ADPA1122 20W氮化鎵 (GaN) 功率放大器可在8.2GHz至11.8GHz的頻率范圍內(nèi)提供43dBm...
廈門大學(xué)張保平教授課題組發(fā)表綠光GaN基VCSEL重要成果
近日，廈門大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院張保平教授等在氮化鎵垂直腔面發(fā)射激光器(GaN基VCSEL)方面取得新進(jìn)展，相關(guān)成果以“Green Vertical-C...
當(dāng)今市場上有許多晶體管選擇，它們將各種技術(shù)與不同的半導(dǎo)體材料相結(jié)合。因此，縮小哪一個(gè)最適合特定設(shè)計(jì)的范圍可能會(huì)令人困惑。在這些選擇中，GaN晶體管是，但...
電力電子世界在1959年取得突破，當(dāng)時(shí)Dawon Kahng和Martin Atalla在貝爾實(shí)驗(yàn)室發(fā)明了金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）。...
氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器PCB設(shè)計(jì)必須掌握的要點(diǎn)
NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動(dòng)器，能夠以高達(dá) 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動(dòng)氮化鎵（以下簡稱“GaN”）功率開關(guān)。之前...
2023-05-17 標(biāo)簽：柵極驅(qū)動(dòng)電路氮化鎵 1.9k 0
LMG342X-BB-EVM 是一款易于使用的分線板，可將任何 LMG342xR0x0 半橋板（如 LMG3422EVM-043）配置為同步降壓轉(zhuǎn)換器。...
2025-02-21 標(biāo)簽：降壓轉(zhuǎn)換器氮化鎵GaN 1.9k 0
針對寬輸出電壓應(yīng)用場合，為了滿足VDD的寬電壓應(yīng)用需求，往往需要添加額外的電路或者輔助繞組，導(dǎo)致系統(tǒng)功耗和電路成本的增加。氮化鎵芯片U8722AH集成了...
耦合器技術(shù)有利于AC/DC設(shè)計(jì)中的氮化鎵晶體管
高效的 AC/DC 電源是電信和數(shù)據(jù)通信基礎(chǔ)設(shè)施發(fā)展的關(guān)鍵，因?yàn)槌笠?guī)模數(shù)據(jù)中心、企業(yè)服務(wù)器或電信交換站的功耗會(huì)迅速增長。然而，電力電子行業(yè)已經(jīng)達(dá)到了硅...
氮化鎵充電器為什么喜歡用貼片Y電容呢？貼片Y電容有什么優(yōu)點(diǎn)？
在以前，很多手機(jī)充電器都會(huì)用到安規(guī)Y電容，不過用的都是插件形式的，現(xiàn)在情況明顯不一樣
淺談雷達(dá)技術(shù)的幾個(gè)發(fā)展趨勢
氮化鎵（GaN）被認(rèn)為是自硅以來影響最大的半導(dǎo)體創(chuàng)新產(chǎn)品，該材料能夠在比傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料高得多的電壓下工作。更高的電壓意味著更高的效率，因此基于GaN的R...
干貨分享|高功率氮化鎵場效應(yīng)晶體管：高性能、高效率、高可靠性（下）
提高效率既是行業(yè)的關(guān)鍵性挑戰(zhàn)，也是創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)力。社會(huì)需求的壓力和相關(guān)法規(guī)都在要求提高電源轉(zhuǎn)換和控制的效率。對于一些應(yīng)用來說，電源轉(zhuǎn)換效率和功率密度是贏得市...
數(shù)字電源是一種將數(shù)字控制技術(shù)應(yīng)用于電源管理應(yīng)用的能量轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，具有更高的功率密度，更快的控制回路，能管理復(fù)雜拓?fù)湟约霸O(shè)計(jì)靈活性等諸多優(yōu)勢。 關(guān)鍵特性與優(yōu)...
氮化鎵芯片熱穩(wěn)定性好、電子遷移速度更快、熱導(dǎo)率更高，同時(shí)，氮化鎵芯片還具有更低的導(dǎo)通和開關(guān)損耗，整體的功耗更低。在一些對功耗要求嚴(yán)格的應(yīng)用場景中，進(jìn)一步...
一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)—U8722
氮化鎵充電器是一種新型的快充技術(shù)，在充電速度、安全性做到了突破。
2024-04-09 標(biāo)簽：充電器氮化鎵驅(qū)動(dòng)電流 1.9k 0
在進(jìn)行碳化硅、氮化鎵功率器件研發(fā)和特性評估、功率模塊開發(fā)和特性評估、電源設(shè)計(jì)器件選型、電源調(diào)試以及學(xué)術(shù)研究時(shí)，都需要對其驅(qū)動(dòng)波形進(jìn)行測試，這時(shí)大多數(shù)工程...
擴(kuò)展到900V的氮化鎵產(chǎn)品滿足汽車、家電及工業(yè)類應(yīng)用需求
日前，Power Integrations（PI）舉辦新品媒體線上溝通會(huì)，公司資深技術(shù)培訓(xùn)經(jīng)理Jason Yan介紹了在美國APEC展（國際電力電子應(yīng)用...
2023-03-24 標(biāo)簽：功率開關(guān)PDSiC 1.8k 0
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