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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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GaN將徹底改變數(shù)據(jù)中心電源 數(shù)據(jù)中心市場是下一個角逐點
高可靠性，高性能氮化鎵功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品供應(yīng)商Transphorm與貝爾集團（Bel Group）聯(lián)合宣布Bel的鈦效率電源中使用了六個Transphorm的...
2021-01-22 標簽：功率轉(zhuǎn)換器氮化鎵GaN 2.6k 0
MXene范德華接觸在氮化鎵高電子遷移率晶體管中的應(yīng)用
摘要：柵極控制能力是決定氮化鎵高電子遷移率晶體管性能的關(guān)鍵因素。然而在金屬-氮化鎵界面，金屬和半導(dǎo)體的直接接觸會導(dǎo)致界面缺陷和固定電荷，這會降低氮化鎵高...
本文研究了四個經(jīng)常被忽略的因素對基于GaN的全橋逆變器損耗模型的影響：器件的[寄生電容]()、時變功耗（Ploss）下的結(jié)溫度（*T*~j~）動力學、殼...
2023-12-06 標簽：轉(zhuǎn)換器濾波器氮化鎵 2.6k 0
氮化鎵是一種二元III/V族直接帶隙半導(dǎo)體晶體，也是一般照明LED和藍光播放器最常使用的材料。另外，氮化鎵還被用于射頻放大器和功率電子器件。氮化鎵是非常...
一種是通過生長碳化硅同質(zhì)外延，下游用于新能源汽車、光伏、工控、軌交等功率領(lǐng)域的導(dǎo)電型襯底，外延層上制造各類功率器件； 另一種是通過生長氮化鎵異質(zhì)外延...
Texas Instruments LMG2640EVM-090子卡評估模塊數(shù)據(jù)手冊
Texas Instruments LMG2640EVM-090子卡評估模塊 (EVM) 設(shè)計用于提供一個快速簡便的評估平臺，用來評估任何半橋拓撲結(jié)構(gòu)中...
誰發(fā)現(xiàn)了氮化鎵半導(dǎo)體材料？這種材料的特性是什么？
氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，其具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點，寬禁帶半導(dǎo)體是高溫、高頻、抗輻射及大功率器件的適合...
意法半導(dǎo)體首款采用氮化鎵(GaN)晶體管的VIPer器件
VIPERGAN50是VIPerPLUS系列首款可在寬工作電壓(9 V至23 V)下提供高達50 W功率的產(chǎn)品。這也是我們首款采用氮化鎵(GaN)晶體管...
2022-04-09 標簽：意法半導(dǎo)體晶體管氮化鎵 2.5k 0
氮化鎵與其他半導(dǎo)體的比較(FOM) 氮化鎵晶體管的應(yīng)用
了解氮化鎵 -寬帶隙半導(dǎo)體：為什么？ -氮化鎵與其他半導(dǎo)體的比較(FOM) -如何獲得高片電荷和高遷移率？
氮化鎵功率器件的電壓限制主要是由以下幾個原因造成的。 首先，氮化鎵是一種寬能帶隙半導(dǎo)體材料，具有較高的擊穿電場強度和較高的耐壓能力。盡管氮化鎵材料具有較...
今天拆解的是昭文推出的一款20W氮化鎵充電器，這款氮化鎵充電器采用白色直板機身設(shè)計，配有固定美規(guī)插腳。充電器具備單USB-C接口，支持20W PD和PP...
氮化鎵芯片（GaN芯片）是一種新型的半導(dǎo)體材料，在目前的電子設(shè)備中逐漸得到應(yīng)用。它以其優(yōu)異的性能和特點備受研究人員的關(guān)注和追捧。在現(xiàn)代科技的進步中，氮化...
2024-01-10 標簽：芯片電子設(shè)備半導(dǎo)體材料 2.5k 0
過去兩年中，氮化鎵雖然發(fā)展迅速，但似乎已經(jīng)遇到了瓶頸。與此同時，不少垂直氮化鎵的初創(chuàng)企業(yè)倒閉或者賣盤，這引發(fā)大家對垂直氮化鎵未來的擔憂。為此，在本文中，...
GaN 技術(shù)持續(xù)為國防和電信市場提供性能和效率。目前射頻市場應(yīng)用以碳化硅基氮化鎵器件為主。雖然硅基氮化鎵（GaN-on-Si）目前不會威脅到碳化硅基氮化...
氮化鎵 (GaN) 是需要高頻率工作（高 Fmax）、高功率密度和高效率的應(yīng)用的理想選擇。與硅相比，GaN 具有達 3.4 eV 的 3 倍帶隙，達 3...
氮化鎵快充電源ic U8722DE優(yōu)化系統(tǒng)輕載效率
氮化鎵快充電源ic U8722DE集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動電路
硅制造技術(shù)已經(jīng)足夠成熟，可以大規(guī)模生產(chǎn)直徑達18英寸的晶片，而GaN晶片仍在6英寸的晶片上制造。GaN制造的基底選擇范圍從硅或藍寶石基底（便宜但較大的晶...
GaN與SiC功率器件的特點 GaN和SiC的技術(shù)挑戰(zhàn)
SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)，因為將這些材料的電子從價帶炸毀到導(dǎo)帶所需的能量：而在硅的情況下，該能量為1.1eV，SiC（碳化硅）為...
入手一款適合自己的多口快充充電器，可以極大地提高生活和工作效率。最近幾年，充電器行業(yè)發(fā)展特別迅猛，市場上不斷涌現(xiàn)大功率充電器產(chǎn)品，比如氮化鎵65W充電頭...
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