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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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GaN作為寬禁帶III-V族化合物半導(dǎo)體最近被深入研究。為了實(shí)現(xiàn)GaN基器件的良好性能，GaN的處理技術(shù)至關(guān)重要。目前英思特已經(jīng)嘗試了許多GaN蝕刻方法...
在這種情況下，氮化鎵因其卓越的射頻性能而成為5G mMIMO無(wú)線電的領(lǐng)先大功率射頻功率放大器技術(shù)。然而，目前的實(shí)現(xiàn)方式成本過(guò)高。與硅基技術(shù)相比，氮化鎵生...
什么是第三代半導(dǎo)體技術(shù) 碳化硅的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)分析
第三代半導(dǎo)體以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料，用于高壓、高溫、高頻場(chǎng)景。廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏、工控等領(lǐng)域。因此第三代半導(dǎo)體研究主要是集中在...
用于高分辨率激光雷達(dá)的氮化鎵HEMT電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
激光雷達(dá)（LiDAR）基于通過(guò)將光束照射到物體上并準(zhǔn)確測(cè)量反射的飛行時(shí)間來(lái)估算距離的原理。通過(guò)將發(fā)射光掃過(guò)真實(shí)世界的場(chǎng)景，可以收集三維信息以供計(jì)算機(jī)系統(tǒng)...
2023-05-06 標(biāo)簽：拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)氮化鎵激光雷達(dá) 1.8k 0
到2030年，10類關(guān)鍵核心產(chǎn)品可靠性水平達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，可靠性標(biāo)準(zhǔn)引領(lǐng)作用充分彰顯，培育一批可靠性公共服務(wù)機(jī)構(gòu)和可靠性專業(yè)人才，我國(guó)制造業(yè)可靠性整體...
Transphorm 900V氮化鎵功率器件規(guī)格參數(shù)
兩款900V FET均屬于常閉型器件，通過(guò)更低的柵極電荷、更快的切換速度和更小的反向恢復(fù)電荷，提供更高的效率，明顯超越傳統(tǒng)硅 (Si) 器件，具有顯著優(yōu)勢(shì)。
GaN技術(shù)可以提高雷達(dá)的性能和適用性，但也需要更多的測(cè)試和優(yōu)化，在雷達(dá)中的應(yīng)用有以下優(yōu)勢(shì)和劣勢(shì)： 優(yōu)勢(shì)： GaN提供更高的功率水平和更強(qiáng)的魯棒性，可以提...
氮化鎵技術(shù)在電源應(yīng)用方面的優(yōu)勢(shì)
GaN和SiC屬于高帶隙的第三代半導(dǎo)體材料，與第一代Si和第二代GaAs等前輩相比，它們?cè)谔匦陨暇哂型怀鰞?yōu)勢(shì)。由于大的帶隙和高的熱導(dǎo)率，GaN器件可以...
2023-02-13 標(biāo)簽：氮化鎵 1.8k 0
納微半導(dǎo)體利用橫向650V eMode硅基氮化鎵技術(shù)，創(chuàng)造了專有的AllGaN工藝設(shè)計(jì)套件（PDK），以實(shí)現(xiàn)集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅(qū)動(dòng)器，邏輯和保護(hù)...
可以改變焦距的鏡頭用于各種光學(xué)設(shè)備，例如可變放大倍率相機(jī)的變焦鏡頭、雙筒望遠(yuǎn)鏡、光學(xué)顯微鏡和投影儀。 最近，智能手機(jī)相機(jī)等小型光學(xué)單元也配備了可變放大倍...
干貨分享|高功率氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管：高性能、高效率、高可靠性（上）
Nexperia(安世半導(dǎo)體)的高功率氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，共將分為(上)(下)兩期，包含其工藝、性能優(yōu)勢(shì)、產(chǎn)品及封裝等內(nèi)容。本期將先介紹 Nexperi...
RF LDMOS之于早期蜂窩網(wǎng)絡(luò)，氮化鎵（GaN）之于現(xiàn)代和高頻應(yīng)用。與砷化鎵（GaAs）和Si LDMOS相比，GaN長(zhǎng)期以來(lái)一直具有難以超越的優(yōu)勢(shì)：
簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，化成分容就是為了激活電池。通常離子電池經(jīng)過(guò)繁雜的工序，只是生成半成品電芯，還未完成激活就無(wú)法正常使用，因此需要化成分容設(shè)備激活內(nèi)部的活性物質(zhì)，...
目前市場(chǎng)已推出多種快充技術(shù)方案。其中PD方案的出現(xiàn)，助力推動(dòng)了快充產(chǎn)品的普及。在快速充電器中，變壓器為最重要元件，而氮化鎵則是不容忽視的重要材料。氮化鎵...
使用GaN實(shí)現(xiàn)高功率密度和高效系統(tǒng)
氮化鎵是電力電子行業(yè)的熱門話題，因?yàn)樗梢詾殡娦烹娫吹葢?yīng)用提供高效設(shè)計(jì)；電動(dòng)汽車充電；加熱，通風(fēng)和空調(diào); 電器；和消費(fèi)電源適配器。在工業(yè)應(yīng)用中，氮化鎵取...
2022-07-29 標(biāo)簽：氮化鎵GaN柵極驅(qū)動(dòng)器 1.7k 0
分立器件在45W氮化鎵快充產(chǎn)品中的應(yīng)用
如今，以碳化硅、氮化鎵等為代表的第三代半導(dǎo)體新材料得到廣泛應(yīng)用，它們具有更高的導(dǎo)熱率和抗輻射能力，以及更大的電子飽和漂移速率等特點(diǎn)。氮化鎵熱穩(wěn)定性好、飽...
恒壓恒流PSR 12V2A氮化鎵電源方案U8608+U7613A
恒壓恒流PSR12V2A氮化鎵電源方案U8608+U7613A在手機(jī)充電器的應(yīng)用中，電池與充電器之間一般會(huì)通過(guò)一定長(zhǎng)度的電纜相連，由此也將導(dǎo)致輸送到電池...
本文小編分享一篇文章，本文介紹的是原子層鍍膜在功率器件行業(yè)的應(yīng)用，本文介紹了原子層鍍膜技術(shù)在碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件中的應(yīng)用，并介紹了原子層鍍膜技...
氮化鎵（GaN）技術(shù)如今在電力電子行業(yè)風(fēng)靡一時(shí)，這種寬禁帶半導(dǎo)體能夠?qū)崿F(xiàn)非常高的效率和功率密度，因此能夠減小電源的體積，并且降低其工作溫度，該性能優(yōu)勢(shì)正...
由于同質(zhì)外延結(jié)構(gòu)帶來(lái)的晶格匹配和熱匹配，自支撐氮化鎵襯底在提升氮化鎵基器件性能方面有著巨大潛力，如發(fā)光二極管，激光二極管，功率器件和射頻器件等。相比異質(zhì)...
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