完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你，還能領(lǐng)取20積分哦，立即完善>
標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
文章：1687個 瀏覽：120204次 帖子：80個
幾種led襯底的主要特性對比 氮化鎵同質(zhì)外延的難處
GaN半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)為：襯底→GaN材料外延→器件設(shè)計→器件制造。其中，襯底是整個產(chǎn)業(yè)鏈的基礎(chǔ)。 作為襯底，GaN自然是最適合用來作為GaN外延...
在上周的推文中，我們回顧了半導(dǎo)體材料發(fā)展的前兩個階段：以硅(Si)和鍺(Ge)為代表的第一代和以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)為代表的第二代。（了...
2023-09-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料氮化鎵 2.8k 0
GaN功率器件在工業(yè)電機(jī)控制領(lǐng)域的應(yīng)用
GaN 功率器件的卓越電氣特性正在逐步淘汰復(fù)雜工業(yè)電機(jī)控制應(yīng)用中的傳統(tǒng) MOSFET 和 IGBT。
氮化鎵晶體管簡化大電流電機(jī)驅(qū)動逆變器設(shè)計
叉車應(yīng)用的逆變器由 24 V 至 120 V 之間的直流電壓供電，可提供高達(dá) 900 ARMS 電機(jī)相電流。通常，每個生產(chǎn)商都有一個平臺方法，并銷售按電...
2023-10-18 標(biāo)簽：逆變器微處理器電機(jī)驅(qū)動 2.8k 0
智融科技是國內(nèi)較早進(jìn)入高集成移動電源快充SOC芯片設(shè)計領(lǐng)域的公司之一，所推出的移動電源芯片具有接口支持多，協(xié)議支持全面，內(nèi)部集成開關(guān)管等控制邏輯，支持?jǐn)?shù)...
聚焦大功率氮化鎵（GaN）器件及其在實際應(yīng)用中所面臨的相關(guān)熱問題
熱設(shè)計是一個至關(guān)重要的課題，其中的各種規(guī)則、縮略語和復(fù)雜方程時常讓人感到它似乎是個深不可測的神秘領(lǐng)域；
氮化鎵（GaN） 是由氮和鎵組成的一種半導(dǎo)體材料，因為其禁帶寬度大于2.2eV，又被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。它是微波功率晶體管的優(yōu)良材料，也是藍(lán)色光發(fā)光器...
2023-02-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵GaN 2.8k 0
Texas Instruments PFC23338EVM-107評估主板數(shù)據(jù)手冊
Texas Instruments PFC23338EVM-107評估主板是一款基于氮化鎵(GaN)的3.6kW單相連續(xù)導(dǎo)通模式(CCM)圖騰柱無橋功率...
2025-07-05 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器主板氮化鎵 2.8k 0
充電頭網(wǎng)拿到了優(yōu)勝仕推出的一款35W氮化鎵磁吸收納線快充，這款充電器與傳統(tǒng)充電器不同的一點是配備了磁吸伸縮USB-C線模塊，既可以安裝磁吸USB-C線模...
氮化鎵（GaN）功率IC在電機(jī)逆變器中的應(yīng)用: 優(yōu)勢、實際應(yīng)用案例、設(shè)計考量
介紹了氮化鎵（GaN）功率IC在電機(jī)逆變器中的應(yīng)用，對比傳統(tǒng)硅基解決方案，闡述了其優(yōu)勢、實際應(yīng)用案例、設(shè)計考量及結(jié)論。 *附件：Driving-Elec...
使用GaN（氮化鎵）的功率半導(dǎo)體作為節(jié)能/低碳社會的關(guān)鍵器件而受到關(guān)注。兩家日本公司聯(lián)手創(chuàng)造了一項新技術(shù)，解決了導(dǎo)致其全面推廣的問題。
氮化鎵（GaN）寬帶隙技術(shù)的電源應(yīng)用設(shè)計
隨著世界希望電氣化有助于有效利用能源并轉(zhuǎn)向可再生能源，氮化鎵（GaN）等寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)的時機(jī)已經(jīng)成熟。傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT的性能現(xiàn)在接近材料的...
氮化鎵不是充電器類型，而是一種化合物。 氮化鎵（GaN）是一種重要的半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的電學(xué)和光學(xué)特性。近年來，氮化鎵材料在充電器領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用...
2024-01-10 標(biāo)簽：充電器電子器件半導(dǎo)體材料 2.7k 0
初級主控芯片來自智融，型號為SW1106，是一顆支持增強(qiáng)型氮化鎵開關(guān)管直驅(qū)的高頻反激準(zhǔn)諧振控制器，芯片內(nèi)部集成氮化鎵驅(qū)動器，驅(qū)動電壓為6V，可直接驅(qū)動增...
2022-09-13 標(biāo)簽：氮化鎵 2.7k 0
GaN-on-Si LED技術(shù)是行業(yè)夢寐以求的技術(shù)。首先，硅是地殼含量第二的元素，物理和化學(xué)性能良好，在大尺寸硅襯底上制作氮化鎵LED的綜合成本可以降低25%；
氮化鎵是一種半導(dǎo)體材料，由氮氣和金屬鎵反應(yīng)得到。它具有優(yōu)異的光電特性和熱穩(wěn)定性，因此在電子器件、光電器件、化學(xué)傳感器等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。本文將從氮化鎵...
2024-01-10 標(biāo)簽：電子器件半導(dǎo)體材料氮化鎵 2.7k 0
氮化鎵工藝技術(shù)是什么意思？ 氮化鎵是一種無機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常...
隨著氮化鎵技術(shù)的不斷發(fā)展，氮化鎵也應(yīng)用在了很多新興領(lǐng)域，充電頭網(wǎng)此次選取了手機(jī)、車充、PC電源、服務(wù)器電源、筆記本適配器、戶外電源等新場景，幫助大家掌握...
氮化鎵開關(guān)管是一種新型的半導(dǎo)體器件，適用于高頻高壓控制信號的開關(guān)應(yīng)用。它由四個電極組成，包括柵極（G，Gate）、源極（S，Source）、漏極（D，D...
氮化鎵（GaN）是一種非常堅硬、機(jī)械穩(wěn)定的寬帶隙半導(dǎo)體?；贕aN的功率器件具有更高的擊穿強(qiáng)度、更快的開關(guān)速度、更高的導(dǎo)熱性和更低的導(dǎo)通電阻，其性能明顯...
換一批
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語言教程專題
| 電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
| BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
| 無刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
| 直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
| 步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺 | 無人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
| 伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國民技術(shù) | Microchip |
| Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
| 示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
| OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
| C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
| Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
| DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |
關(guān)注我們的微信
下載發(fā)燒友APP
機(jī)器人發(fā)燒友
