氮化鎵

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氮化鎵，分子式GaN，英文名稱(chēng)Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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氮化鎵資訊

群雄逐鹿！2021 GaN產(chǎn)業(yè)熱門(mén)事件盤(pán)點(diǎn)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李誠(chéng)）高頻、高功率密度、低損耗的氮化鎵突破了傳統(tǒng)硅材料的物理極限，成為了市場(chǎng)的寵兒。如今氮化鎵在消費(fèi)類(lèi)電子市場(chǎng)快速起量的同時(shí)，還在...

2022-01-19 標(biāo)簽：氮化鎵 GaN 硅基氮化鎵 3.6k 0

格芯強(qiáng)化AI市場(chǎng)布局，收購(gòu)泰戈?duì)柨萍嫉壖夹g(shù)團(tuán)隊(duì)

在半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)向更高效、更綠色方向邁進(jìn)的背景下，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體代工廠商格芯（GlobalFoundries）近日宣布了一項(xiàng)重要戰(zhàn)略舉措——正式收購(gòu)泰...

2024-07-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵格芯 3.6k 0

新型存儲(chǔ)設(shè)計(jì)方案出爐,耐受高溫,助力人類(lèi)登陸火星

這種基于氮化鎵的新型存儲(chǔ)器件能夠在300攝氏度條件下保持運(yùn)行。

2019-03-13 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器氮化鎵 3.6k 0

氮化鎵功率晶體管價(jià)格降至1美元以下

GaN Systems其低電流，大批量氮化鎵晶體管的價(jià)格已跌至1美元以下。

2021-03-12 標(biāo)簽：充電器飛利浦氮化鎵 3.5k 0

淺析現(xiàn)代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中常用的半導(dǎo)體材料

硅是最常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料，它具有穩(wěn)定性好、成本低、加工工藝成熟等優(yōu)點(diǎn)。硅材料可以制成單晶硅、多晶硅、非晶硅等形式，其中單晶硅在制造集成電路方面應(yīng)用最廣泛。...

2023-11-30 標(biāo)簽：半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)半導(dǎo)體材料氮化鎵 3.5k 0

羅姆進(jìn)軍650V氮化鎵，發(fā)布EcoGaN Power Stage IC！集成GaN HEMT和柵極驅(qū)動(dòng)器

氮化鎵功率器件多用于充電器領(lǐng)域，出貨量很大。并陸續(xù)擴(kuò)展到車(chē)載OBC、數(shù)據(jù)中心的電源、分布式電源等應(yīng)用。最近羅姆發(fā)布EcoGaN? Power Stage...

2023-07-27 標(biāo)簽：氮化鎵羅姆 3.5k 0

羅姆第4代SiC MOSFET，三大優(yōu)勢(shì)凸顯！

羅姆半導(dǎo)體（上海）有限公司市場(chǎng)宣傳課高級(jí)經(jīng)理張嘉煜表示，羅姆擁有世界先進(jìn)的碳化硅及氮化鎵技術(shù)，打造了高效處理電力的功率半導(dǎo)體器件，面向汽車(chē)、工業(yè)設(shè)備等應(yīng)...

2023-03-10 標(biāo)簽：MOSFET 氮化鎵羅姆 3.5k 0

意法半導(dǎo)體宣布收購(gòu)Exagan多數(shù)股權(quán) 氮化鎵制程技術(shù)將加速開(kāi)發(fā)

以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表第三代半導(dǎo)體材料越來(lái)越受到市場(chǎng)重視，半導(dǎo)體企業(yè)正在競(jìng)相加速布局。日前，意法半導(dǎo)體宣布已簽署收購(gòu)法國(guó)氮化鎵創(chuàng)新企...

2020-03-10 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體氮化鎵 3.5k 0

RF GaN領(lǐng)導(dǎo)廠商及新入局者的戰(zhàn)略和技術(shù)路線

Knowmade分析師檢索、篩選并分析了全球范圍內(nèi)截至2020年8月公布的6300多項(xiàng)專(zhuān)利，包括了500多個(gè)不同專(zhuān)利申請(qǐng)人提交的3000多個(gè)發(fā)明專(zhuān)利家族...

2020-12-02 標(biāo)簽：射頻氮化鎵 RF電路 3.5k 0

III族氮化物的干法和濕法蝕刻

第三族氮化物已成為短波長(zhǎng)發(fā)射器、高溫微波晶體管、光電探測(cè)器和場(chǎng)發(fā)射尖端的通用半導(dǎo)體。這些材料的加工非常重要，因?yàn)樗鼈兙哂挟惓８叩逆I能。綜述了近年來(lái)針對(duì)這...

2022-02-23 標(biāo)簽：發(fā)射器氮化鎵蝕刻 3.5k 0

霍爾元件的工作原理及其在低速測(cè)量中的應(yīng)用

霍爾元件的工作原理及其在低速測(cè)量中的應(yīng)用? 霍爾元件是一種常用的物理傳感器，可以測(cè)量磁場(chǎng)的強(qiáng)度和方向。它是通過(guò)霍爾效應(yīng)來(lái)工作的，霍爾效應(yīng)是指在導(dǎo)電材料中...

2023-12-18 標(biāo)簽：傳感器氮化鎵霍爾元件 3.5k 0

瑞薩電子推出650伏氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，推動(dòng)高效電源轉(zhuǎn)換技術(shù)

在電源轉(zhuǎn)換技術(shù)不斷進(jìn)步的背景下，瑞薩電子(RenesasElectronics)近日推出了三款新型650伏氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GaNFET)，專(zhuān)注于滿(mǎn)足...

2025-07-14 標(biāo)簽：晶體管氮化鎵瑞薩電子 3.5k 0

鎵未來(lái)攜 Gen3 技術(shù)平臺(tái)全系列新品亮相2025上海PCIM電子展

2025 PCIM Asia Shanghai ——上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)暨研討會(huì)將于2025年9月24至26日在上海新國(guó)際博覽中心舉辦...

2025-09-25 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵 3.5k 0

碳化硅基氮化鎵和硅基氮化鎵的區(qū)別在哪里？

硅基氮化鎵是第三代半導(dǎo)體化合材料，有著能量密度高、可靠性高的優(yōu)點(diǎn)，能夠代替很多傳統(tǒng)的硅材料，晶圓可以做得很大，晶圓的長(zhǎng)度可以拉長(zhǎng)至2米。硅基氮化鎵器件...

2023-02-12 標(biāo)簽：射頻氮化鎵碳化硅 3.5k 0

馬瑞利與半導(dǎo)體公司Transphorm攜手布局新能源技術(shù)領(lǐng)域

近日，汽車(chē)供應(yīng)商MARELLI宣布與美國(guó)一家專(zhuān)注于重新定義功率轉(zhuǎn)換的半導(dǎo)體公司Transphorm達(dá)成戰(zhàn)略合作。

2020-03-07 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)新能源汽車(chē)氮化鎵 3.4k 0

智威(ZOWIE)整流橋在氮化鎵快充的應(yīng)用

一、氮化鎵PD快充市場(chǎng)前景 2020年已成為氮化鎵快充爆發(fā)的一年。據(jù)統(tǒng)計(jì)，在作為消費(fèi)類(lèi)電子風(fēng)向標(biāo)的手機(jī)行業(yè)中，目前已有多家知名手機(jī)品牌先后推出了基于手機(jī)...

2023-03-10 標(biāo)簽：二極管 PD 氮化鎵 3.4k 0

ACM8816 300W大功率單聲道數(shù)字功放IC、國(guó)內(nèi)首款氮化鎵音頻功率放大器

深圳市永阜康科技有限公司現(xiàn)在大力推廣國(guó)內(nèi)首款氮化鎵D類(lèi)音頻功放芯片-ACM8816, 集成了7mΩ Rdson GaN氮化鎵，48V供電時(shí)，驅(qū)動(dòng)到4Ω可...

2025-07-21 標(biāo)簽：IC 功率放大器氮化鎵 3.4k 0

智融65W超薄快充方案介紹

充電頭網(wǎng)已經(jīng)拿到了智融推出的65W餅干氮化鎵快充方案，這款方案采用了智融推出的初級(jí)主控芯片和降壓協(xié)議芯片，為固定電壓輸出，搭配二次降壓電路實(shí)現(xiàn)多口快充，...

2022-07-05 標(biāo)簽：芯片控制器氮化鎵 3.4k 0

基于HVPE的氮化鎵單晶襯底設(shè)備與工藝技術(shù)

第三代半導(dǎo)體，具有寬禁帶、高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、良好的化學(xué)穩(wěn)定性等特點(diǎn)，被業(yè)內(nèi)譽(yù)為固態(tài)光源、電力電子、微波射頻器件...

2023-12-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件氮化鎵 3.4k 0

氮化鎵的性質(zhì)與穩(wěn)定性以及應(yīng)用領(lǐng)域

氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來(lái)的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要...

2023-02-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵寬禁帶 3.4k 0

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