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氮化鎵

氮化鎵

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氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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氮化鎵資訊

全球最大氮化鎵工廠正式建設(shè)完成

近日,英諾賽科蘇州第三代半導(dǎo)體基地舉行設(shè)備搬入儀式。這意味著英諾賽科蘇州第三代半導(dǎo)體基地開始由廠房建設(shè)階段進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段,標(biāo)志著全球最大氮化鎵工廠正式...

2020-10-21 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵 3.3k 0

大聯(lián)大友尚集團(tuán)推出基于Diodes產(chǎn)品的130W ACF氮化鎵NB PD電源適配器方案

大聯(lián)大友尚集團(tuán)推出基于Diodes產(chǎn)品的130W ACF氮化鎵NB PD電源適配器方案

2022年4月19日,致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布,其旗下友尚推出基于達(dá)爾科技(Diodes)AP3306、APR34...

2022-04-19 標(biāo)簽:大聯(lián)大電源適配器氮化鎵 3.3k 0

納微半導(dǎo)體助力英偉達(dá)打造800 VDC電源架構(gòu)

納微半導(dǎo)體助力英偉達(dá)打造800 VDC電源架構(gòu)

納微半導(dǎo)體正式發(fā)布專為英偉達(dá)800 VDC AI工廠電源架構(gòu)打造的全新100V氮化鎵,650V氮化鎵和高壓碳化硅功率器件,以實(shí)現(xiàn)突破性效率、功率密度與性能表現(xiàn)。

2025-10-15 標(biāo)簽:氮化鎵英偉達(dá)納微半導(dǎo)體 3.3k 0

捷捷微×羅格朗:一顆8.6mΩ的JMTQ60N04B,如何撐起27W氮化鎵快充面板?

捷捷微×羅格朗:一顆8.6mΩ的JMTQ60N04B,如何撐起27W氮化鎵快充面板?

隨著全屋智能與便捷充電需求的日益增長(zhǎng),墻上的86面板正經(jīng)歷著一場(chǎng)深刻的技術(shù)變革。傳統(tǒng)的USB插座因充電速度慢、兼容性差,已難以滿足當(dāng)下消費(fèi)者對(duì)“快充”的...

2026-04-17 標(biāo)簽:氮化鎵快充捷捷微電 3.3k 0

氮化鎵芯片未來(lái)會(huì)取代硅芯片嗎?

氮化鎵芯片未來(lái)會(huì)取代硅芯片嗎?

氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵(GaN)是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料。 當(dāng)用于電...

2023-08-28 標(biāo)簽:芯片氮化鎵GaN 3.3k 0

納微NV613x和NV615x系列額定電壓已升級(jí)到700V,實(shí)現(xiàn)更高效率和可靠性

納微NV613x和NV615x系列額定電壓已升級(jí)到700V,實(shí)現(xiàn)更高效率和可靠性

圖片 ? 采用 GaNSense? 技術(shù)的700V額定電壓GaNFast?智能氮化鎵功率芯片可實(shí)現(xiàn)更高的效率和可靠性 ? 圖片 ? 氮化鎵 (GaN) ...

2022-05-05 標(biāo)簽:氮化鎵GaN功率芯片 3.3k 0

氮化鎵充電器:更快速、更高效、更可靠的充電體驗(yàn)

隨著電動(dòng)汽車和無(wú)人機(jī)等高功率設(shè)備的快速發(fā)展,對(duì)快速、高功率和高效的充電需求也越來(lái)越高。而氮化鎵充電器作為一種新興的半導(dǎo)體材料,可以幫助滿足這些需求。在本...

2023-05-04 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車充電器氮化鎵 3.3k 0

納微半導(dǎo)體:氮化鎵和碳化硅齊頭并進(jìn),抓住繼充電器之后的下一波熱點(diǎn)應(yīng)用

納微半導(dǎo)體:氮化鎵和碳化硅齊頭并進(jìn),抓住繼充電器之后的下一波熱點(diǎn)應(yīng)用

早前,納微半導(dǎo)體率先憑借氮化鎵功率芯片產(chǎn)品,踩準(zhǔn)氮化鎵在充電器和電源適配器應(yīng)用爆發(fā)的節(jié)奏,成為氮化鎵領(lǐng)域的頭部企業(yè)。同時(shí),納微也不斷開發(fā)氮化鎵和碳化硅產(chǎn)...

2023-08-01 標(biāo)簽:氮化鎵碳化硅 3.2k 0

GaN加速商業(yè)化進(jìn)程 國(guó)內(nèi)GaN產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)現(xiàn)狀及前景分析

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氮化鎵(GaN)是一種由氮和鎵組成的半導(dǎo)體材料,因其禁帶寬度大于2.2eV,故又稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。是微波功率晶體管的優(yōu)良材料,也是在藍(lán)色發(fā)光器件中具...

2023-09-07 標(biāo)簽:氮化鎵氮化鎵電源GaN 3.2k 0

新品 | 第五代CoolGaN? 650-700V氮化鎵功率晶體管G5

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新品第五代CoolGaN650-700V氮化鎵功率晶體管G5第五代650-700VGaN氮化鎵功率晶體管可實(shí)現(xiàn)高頻工況下的效率提升,并滿足最高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),...

2025-11-03 標(biāo)簽:晶體管氮化鎵GaN 3.2k 0

安世半導(dǎo)體做客唯樣直播間!高產(chǎn)能巨無(wú)霸養(yǎng)成記首度公開!

汽車、5G、工業(yè)及電源、物聯(lián)網(wǎng)、移動(dòng)可穿戴設(shè)備、消費(fèi)類電子、計(jì)算機(jī)等領(lǐng)域,世界上幾乎所有相關(guān)的電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)都采用Nexperia的器件。

2020-08-10 標(biāo)簽:氮化鎵電子設(shè)計(jì)安世半導(dǎo)體 3.2k 0

存儲(chǔ)器缺貨潮下的產(chǎn)業(yè)新局:力積電成焦點(diǎn),功率半導(dǎo)體迎聯(lián)動(dòng)機(jī)遇

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全球存儲(chǔ)器缺貨、價(jià)格飆漲的風(fēng)口下,力積電的銅鑼新廠成了國(guó)際大廠爭(zhēng)搶的核心資源 —— 繼晟碟之后,美光也正在與力積電洽談合作,希望借助這座已建成、仍有 4...

2025-12-22 標(biāo)簽:三極管MOSFETIGBT 3.2k 0

從替代到必需:氮化鎵正在重寫電源系統(tǒng)的“游戲規(guī)則”

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如果你留意過這兩年手機(jī)充電器的變化,會(huì)發(fā)現(xiàn)它們?cè)絹?lái)越小、越來(lái)越輕,但充電速度卻越來(lái)越快。背后的“功臣”,就是氮化鎵。這項(xiàng)曾被視作硅的“備胎”的材料,如今...

2026-04-20 標(biāo)簽:充電器氮化鎵電源系統(tǒng) 3.2k 0

小米上架33W氮化鎵充電器套裝

今天,小米推出了一款33W氮化鎵充電器套裝,售價(jià)79元?,F(xiàn)已開啟預(yù)約,將于2月25日10點(diǎn)首賣。

2021-02-23 標(biāo)簽:充電器氮化鎵小米 3.2k 0

拆解報(bào)告 | 東科助力Mentech 65W超薄氮化鎵PD實(shí)現(xiàn)快充新升級(jí)

拆解報(bào)告 | 東科助力Mentech 65W超薄氮化鎵PD實(shí)現(xiàn)快充新升級(jí)

這是你閱讀的充電頭網(wǎng)第3035篇拆解報(bào)告。前言充電頭網(wǎng)拿到了銘普光磁推出的一款超薄氮化鎵快充,這款充電器采用國(guó)標(biāo)折疊插腳,流行超薄設(shè)計(jì),實(shí)測(cè)機(jī)身厚度僅為...

2024-03-30 標(biāo)簽:充電器氮化鎵東科 3.2k 0

法國(guó)一公司研發(fā)出一個(gè)生產(chǎn)高性能氮化鎵MicroLED顯示屏的新工藝 將更簡(jiǎn)單且更高效

據(jù)報(bào)道,法國(guó)研究機(jī)構(gòu)Leti of CEA Tech研發(fā)出一個(gè)生產(chǎn)高性能氮化鎵Micro LED顯示屏的新工藝。相比現(xiàn)有方法,這項(xiàng)新工藝更簡(jiǎn)單且更高效。

2019-05-17 標(biāo)簽:氮化鎵MicroLED 3.2k 0

中微公司氮化鎵外延設(shè)備技術(shù)進(jìn)展

第四屆第三代半導(dǎo)體材料及裝備發(fā)展研討會(huì)在青島成功舉辦。中微公司參加了此次研討會(huì),并受邀發(fā)表主題演講,與產(chǎn)業(yè)鏈上下游、設(shè)備及關(guān)鍵零部件研究、生產(chǎn)單位專家代...

2022-08-30 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵MOCVD 3.2k 0

氮化鎵用途和性質(zhì)

氮化鎵用途和性質(zhì) 第三代半導(dǎo)體材料以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化鋅(ZnO)、金剛石為代表,是5G時(shí)代的主要材料,其中氮化鎵(GaN)和碳化...

2023-02-03 標(biāo)簽:氮化鎵 3.2k 0

鎵未來(lái)TOLL&TOLT封裝氮化鎵功率器件助力超高效率鈦金能效技術(shù)平臺(tái)

鎵未來(lái)TOLL&TOLT封裝氮化鎵功率器件助力超高效率鈦金能效技術(shù)平臺(tái)

珠海鎵未來(lái)科技有限公司是行業(yè)領(lǐng)先的高壓氮化鎵功率器件高新技術(shù)企業(yè),致力于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。

2024-04-10 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件氮化鎵 3.2k 0

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    深圳市大疆創(chuàng)新科技有限公司成立于 2006 年,如今已發(fā)展成為空間智能時(shí)代的技術(shù)、影像和教育方案引領(lǐng)者。成立十四年間,大疆創(chuàng)新的業(yè)務(wù)從無(wú)人機(jī)系統(tǒng)拓展至多元化產(chǎn)品體系,在無(wú)人機(jī)、手持影像系統(tǒng)、機(jī)器人教育等多個(gè)領(lǐng)域成為全球領(lǐng)先的品牌。
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無(wú)刷電機(jī) FOC IGBT 逆變器 文心一言 5G 英飛凌 羅姆
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瑞薩 沁恒股份 全志 國(guó)民技術(shù) 瑞芯微 兆易創(chuàng)新 芯海科技 Altium
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adi Cypress Littelfuse Avago FTDI Cirrus LogIC Intersil Qualcomm
st Murata Panasonic Altera Bourns 矽力杰 Samtec 揚(yáng)興科技
microchip TDK Rohm Silicon Labs 圣邦微電子 安費(fèi)諾工業(yè) ixys Isocom Compo
安森美 DIODES Nidec Intel EPSON 樂鑫 Realtek ERNI電子
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Nexperia Lattice KEMET 順絡(luò)電子 霍尼韋爾 pulse ISSI NXP
Xilinx 廣瀨電機(jī) 金升陽(yáng) 君耀電子 聚洵 Liteon 新潔能 Maxim
MPS 億光 Exar 菲尼克斯 CUI WIZnet Molex Yageo
Samsung 風(fēng)華高科 WINBOND 長(zhǎng)晶科技 晶導(dǎo)微電子 上海貝嶺 KOA Echelon
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時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
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變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
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