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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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GaN激光雷達(dá)普及加速 | 氮化鎵技術(shù)如何推動ToF激光雷達(dá)產(chǎn)業(yè)的加速發(fā)展？
激光雷達(dá)主要是由激光發(fā)射器、接收器、處理器以及激光操控模組這四個模塊構(gòu)成。使用激光雷達(dá)測距，多用飛行時間法（TOF）。
隨著AI算力需求爆發(fā)式增長，數(shù)據(jù)中心正經(jīng)歷"電力革命"。宏微科技作為功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，模塊產(chǎn)品已批量應(yīng)用于AI數(shù)據(jù)中心電...
國外碳化硅大廠：產(chǎn)能瘋狂擴(kuò)張 豐富的產(chǎn)品組合
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李誠）碳化硅、氮化鎵這兩種新型半導(dǎo)體材料，憑借其耐高溫、耐高壓、高頻的特性在功率器件領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。尤其是碳化硅功率器件與傳...
PD快充的出現(xiàn)，讓我們手機(jī)充電器越來越小，但充電速度越來越快，甚至一個充電器可以滿足手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦的充電需求。
科達(dá)嘉邀您相約elexcon 2025深圳國際電子展
在AI浪潮與雙碳目標(biāo)交匯的時代，電子產(chǎn)業(yè)迎來智能與綠色深度融合的新機(jī)遇。2025年8月26-28日，深圳國際電子展（elexcon2025）即將盛大開啟...
介紹硅襯底GaN基Micro LED技術(shù)的發(fā)展情況
Micro LED新型顯示具有巨大市場前景，也面臨著一系列技術(shù)挑戰(zhàn)。選擇合理的產(chǎn)業(yè)化路線對推動Micro LED應(yīng)用落地非常關(guān)鍵。
東科合封氮化鎵芯片DK8710BD助力華碩100W快充實(shí)現(xiàn)高效輸出
前言消費(fèi)者在選購第三方充電器時都傾向于選擇一款功率高、發(fā)熱低、體積小巧便攜的充電器，而氮化鎵合封芯片憑借高頻、高集成、低損耗的特性解決了消費(fèi)者的痛點(diǎn)。華...
中圖科技凈利潤暴跌超80%：營收下降應(yīng)收賬款卻逐年劇增
據(jù)其介紹，目前公司主要產(chǎn)品包括2至6英寸圖形化藍(lán)寶石襯底（PSS）、圖形化復(fù)合材料襯底（MMS），廣泛應(yīng)用于氮化鎵基LED芯片制造。公司建立了廣東省半導(dǎo)...
2021-04-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)LED芯片氮化鎵 3.4k 0
近日，應(yīng)充電頭網(wǎng)邀請，在行業(yè)目光聚焦之際，京東方華燦多位專家圍繞氮化鎵材料與技術(shù)展開深度分享，為行業(yè)發(fā)展勾勒清晰且充滿希望的藍(lán)圖。其中，京東方華燦副總裁...
?國內(nèi)首條氮化鎵半導(dǎo)體激光器芯片量產(chǎn)線正式投產(chǎn)
由于技術(shù)門檻較高，只有國際極少數(shù)頂尖企業(yè)掌握該芯片的生產(chǎn)制造技術(shù)。為解決氮化鎵激光器芯片“卡脖子”問題， 2020年9月，颶芯科技正式簽約入駐北部生態(tài)新...
昨日晚間，倍思召開了 2022 年春季新品發(fā)布會，帶來20余款新品，隨即倍思發(fā)布了全新“第五代”氮化鎵充電器——GaN5 Pro 160W，新品支持最新...
氮化鎵是第三代半導(dǎo)體的代表，具有寬禁帶、高擊穿場強(qiáng)、高飽和電子漂移速率等優(yōu)異的電學(xué)特性，在半導(dǎo)體器件領(lǐng)域逐漸受到重視。
Transphorm發(fā)布新的氮化鎵場效應(yīng)管可靠性指標(biāo)
Transphorm發(fā)布新的氮化鎵場效應(yīng)管可靠性指標(biāo) 日前，高可靠性、高性能氮化鎵（GaN）電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先驅(qū)和全球供應(yīng)商Transphorm， Inc...
2023-02-03 標(biāo)簽：場效應(yīng)管FET氮化鎵 3.3k 0
氮化鎵技術(shù)再突破！英飛凌重磅發(fā)布新品，助力人形機(jī)器人能效革新
電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹 3月14日，在英飛凌ICIC峰會上，英飛凌首次在國內(nèi)展示英飛凌發(fā)布兩項(xiàng)技術(shù)創(chuàng)新，分別是英飛凌300mm氮化鎵功率半導(dǎo)體晶圓和20μ...
2025-03-20 標(biāo)簽：氮化鎵 3.3k 0
Navitas受邀“上汽大眾”路演 創(chuàng)新型氮化鎵技術(shù)脫穎而出
納微半導(dǎo)體今天宣布受邀參加上汽大眾站“Winnovation：Wins In Innovation”路演，該路演于2019年6月28日舉行。
基于散熱器和風(fēng)扇的冷卻方法增加成本和體積?，F(xiàn)在，一個來自伊利諾伊大學(xué)微納米技術(shù)實(shí)驗(yàn)室的研究團(tuán)隊(duì)創(chuàng)造了一種新的方法，他們聲稱該方法簡單而且低成本。
時光邁入2026年新程，半導(dǎo)體行業(yè)的創(chuàng)新浪潮持續(xù)澎湃！在這承前啟后的節(jié)點(diǎn)，我們不妨回望剛剛過去的2025年——半導(dǎo)體行業(yè)在技術(shù)革新與市場變革中加速迭代，...
2026-01-07 標(biāo)簽：晶圓意法半導(dǎo)體氮化鎵 3.3k 0
引言：氮化鎵作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表之一,因其優(yōu)越的性能,例如高電子遷移率、高電子飽和速率、耐高溫及高熱導(dǎo)率等優(yōu)點(diǎn)吸引了越來越多的關(guān)注,也正是因...
散熱降低一半，功率密度翻番！氮化鎵如何讓機(jī)器人“冷靜”地爆發(fā)？
機(jī)器人拳擊比賽上，本想重拳出擊KO對方，結(jié)果拳打出去沒有力氣；機(jī)器狗凌空翻轉(zhuǎn)，卻在半空卡住，尷尬落地。 機(jī)器人打出去的拳是否有力，反應(yīng)速度快不快，動作是...
近年來，因?yàn)?5G 的應(yīng)用，大家對射頻氮化鎵的關(guān)注度日益提升。 小編也認(rèn)為，GaN 非常適合提供毫米波領(lǐng)域所需的高頻率和寬帶寬。它可以滿足性能和小尺寸要...
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