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氮化鎵

氮化鎵

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氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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氮化鎵資訊

蘇州納米所在氮化鎵基無(wú)源太赫茲相控陣機(jī)制研究方面取得進(jìn)展

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圖1.基于GaN SBD的無(wú)源太赫茲相控陣芯片 隨著無(wú)線通信技術(shù)的發(fā)展,太赫茲波因超寬帶、高定向性和高分辨率等優(yōu)勢(shì),成為6G通信的重要頻譜資源。然而,頻...

2025-09-17 標(biāo)簽:氮化鎵太赫茲 3.1k 0

科學(xué)家合作研發(fā)出一項(xiàng)調(diào)節(jié)LED色彩的新技術(shù)

研究團(tuán)隊(duì)描述了通過(guò)簡(jiǎn)單改變向器件提供工作電流的時(shí)間順序,對(duì)基于氮化鎵的LED進(jìn)行顏色調(diào)節(jié)的可能性。

2019-05-08 標(biāo)簽:LED顯示屏氮化鎵 3.1k 0

Anker新推出的240W臺(tái)式USB-C充電器可以為16英寸MacBook Pro快速充電

該系列還包括對(duì)去年P(guān)owerCore 24K電池組的更新 —— 現(xiàn)在有了更大的27650mAh電池組。新的250瓦Anker Prime充電除了更強(qiáng)大之...

2023-08-03 標(biāo)簽:充電器氮化鎵Anker 3.1k 0

第16屆“中國(guó)芯”-寬禁帶半導(dǎo)體助力碳中和發(fā)展峰會(huì)成功舉辦

第16屆“中國(guó)芯”-寬禁帶半導(dǎo)體助力碳中和發(fā)展峰會(huì)成功舉辦

大會(huì)同期舉辦了面向?qū)捊麕О雽?dǎo)體領(lǐng)域的“寬禁帶半導(dǎo)體助力碳中和發(fā)展峰會(huì)”。峰會(huì)以“創(chuàng)新技術(shù)應(yīng)用,推動(dòng)后摩爾時(shí)代發(fā)展”為主題,邀請(qǐng)了英諾賽科科技有限公司、蘇...

2021-12-23 標(biāo)簽:中國(guó)芯SiC氮化鎵 3.1k 0

納微半導(dǎo)體下一代GaNFast氮化鎵功率芯片助力聯(lián)想打造全新氮化鎵快充

加利福尼亞州托倫斯2024年6月20日訊 — 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NV...

2024-06-21 標(biāo)簽:聯(lián)想氮化鎵納微半導(dǎo)體 3k 0

就第三代半導(dǎo)體六英寸氮化鎵項(xiàng)目推進(jìn)開(kāi)展“云洽談”

當(dāng)前,多個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)相關(guān)項(xiàng)目落戶桂林,如桂林光芯片半導(dǎo)體工藝平臺(tái)產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、華為智能制造產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目、桂林軍民融合電子生態(tài)產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目等。

2020-05-15 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵智能制造 3k 0

納芯微與聯(lián)合電子、英諾賽科簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議

近日,蘇州納芯微電子股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱:納芯微)、聯(lián)合汽車電子有限公司(以下簡(jiǎn)稱:聯(lián)合電子)與英諾賽科(蘇州)科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱:英諾賽科)...

2025-10-13 標(biāo)簽:氮化鎵GaN英諾賽科 3k 0

直擊AI服務(wù)器電源痛點(diǎn)!英諾賽科4.2KW氮化鎵方案在2025慕展驚艷登場(chǎng)

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電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/章鷹)4月15日到17日,在慕尼黑上海電子展上,功率器件大廠英諾賽科帶來(lái)了數(shù)字能源、消費(fèi)電子、汽車電子、機(jī)器人領(lǐng)域最新的氮化鎵器件...

2025-04-21 標(biāo)簽:氮化鎵AI服務(wù)器 3k 0

5G服務(wù)耗電巨大,氮化鎵(GaN)技術(shù)來(lái)幫忙!

實(shí)際上,似乎某些運(yùn)營(yíng)商正在考慮將收發(fā)器的數(shù)量減少到32T32R,甚至到16T16R,從而減小網(wǎng)絡(luò)容量,以降低不斷增加的功率需求。這在一定程度上是出于緩解...

2022-07-08 標(biāo)簽:氮化鎵5G 3k 0

第三代半導(dǎo)體性價(jià)比優(yōu)勢(shì)日益凸顯 但規(guī)模商用尚需時(shí)日

? 近期,阿里巴巴達(dá)摩院發(fā)布2021年十大科技趨勢(shì),“第三代半導(dǎo)體迎來(lái)應(yīng)用大爆發(fā)”位列第一。達(dá)摩院指出,第三代半導(dǎo)體的性價(jià)比優(yōu)勢(shì)逐漸顯現(xiàn)并正在打開(kāi)應(yīng)用市...

2021-01-15 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵 3k 0

電友X21氮化鎵充電器

現(xiàn)在手機(jī)的充電速度越來(lái)越快,同時(shí)配套充電器的體積也越來(lái)越大,好在氮化鎵充電器逐漸普及,大大縮小了充電器的體積,而且適用范圍也越來(lái)越廣,隨著技術(shù)的成熟,今...

2020-11-09 標(biāo)簽:充電器氮化鎵快充技術(shù) 3k 0

納微半導(dǎo)體發(fā)布第三代氮化鎵平臺(tái)NV6169功率芯片

美國(guó)加利福尼亞州埃爾塞貢多,2022 年 5 月10日:氮化鎵 (GaN) 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克代碼:NVTS)正式發(fā)布 NV6169...

2022-05-11 標(biāo)簽:氮化鎵功率芯片納微半導(dǎo)體 3k 0

解決方案 | 全氮化鎵65W充電器充電寶二合一 大容量 大功率

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智融科技是國(guó)內(nèi)較早進(jìn)入高集成移動(dòng)電源快充SOC芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域的公司之一,所推出的移動(dòng)電源芯片具有接口支持多,協(xié)議支持全面,內(nèi)部集成開(kāi)關(guān)管等控制邏輯,支持?jǐn)?shù)...

2023-06-19 標(biāo)簽:充電器氮化鎵 3k 0

深圳爭(zhēng)妍微電子亮相成都雙展,深化西南布局,共謀產(chǎn)業(yè)合作

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2026-04-20 標(biāo)簽:三極管二極管MOSFET 3k 0

GaN氮化鎵的4種封裝解決方案

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GaN氮化鎵晶圓硬度強(qiáng)、鍍層硬、材質(zhì)脆材質(zhì)特點(diǎn),與硅晶圓相比在封裝過(guò)程中對(duì)溫度、封裝應(yīng)力更為敏感,芯片裂紋、界面分層是封裝過(guò)程最易出現(xiàn)的問(wèn)題。同時(shí),Ga...

2023-11-21 標(biāo)簽:半導(dǎo)體封裝氮化鎵 3k 0

芯干線GaN器件在電源系統(tǒng)的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

芯干線GaN器件在電源系統(tǒng)的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

自從氮化鎵(GaN)器件問(wèn)世以來(lái),憑借其相較于傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體的多項(xiàng)關(guān)鍵優(yōu)勢(shì),GaN 被廣泛認(rèn)為是快速充電與工業(yè)電源應(yīng)用領(lǐng)域中的變革性技術(shù)。

2025-10-21 標(biāo)簽:氮化鎵GaN電源系統(tǒng) 3k 0

EPC開(kāi)拓"GaN Talk支持論壇"平臺(tái), 旨在協(xié)助工程師加速研發(fā)基于高性能氮化鎵器件的功率系統(tǒng) 和加快產(chǎn)品

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宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)新推線上論壇,為工程師提供產(chǎn)品信息、答疑解難和分享採(cǎi)用氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢(shì)。 宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布新推"GaN Ta...

2022-06-13 標(biāo)簽:EPC功率氮化鎵 3k 0

新品 | 英飛凌第五代CoolGaN? BDS 650V 氮化鎵雙向開(kāi)關(guān)

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新品英飛凌第五代CoolGaNBDS650V氮化鎵雙向開(kāi)關(guān)CoolGaNG5系列650V雙向開(kāi)關(guān)(BDS)是一款單片集成器件,能夠在兩個(gè)方向上主動(dòng)阻斷電...

2026-01-19 標(biāo)簽:英飛凌氮化鎵雙向開(kāi)關(guān) 3k 0

新品 | 第五代氮化鎵CoolGaN? 650V G5雙通道晶體管

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新品第五代氮化鎵CoolGaN650VG5雙通道晶體管第五代氮化鎵CoolGaN650VG5雙通道晶體管將半橋功率級(jí)集成于小型6×8mmQFN-32封裝...

2026-01-15 標(biāo)簽:晶體管氮化鎵GaN 3k 0

國(guó)產(chǎn)替代成趨勢(shì)!爭(zhēng)妍微600V快恢復(fù)二極管TO-220變頻器專用替代BYV26C賦能變頻器產(chǎn)業(yè)升級(jí)

國(guó)產(chǎn)替代成趨勢(shì)!爭(zhēng)妍微600V快恢復(fù)二極管TO-220變頻器專用替代BYV26C賦能變頻器產(chǎn)業(yè)升級(jí)

在工業(yè)自動(dòng)化升級(jí)浪潮下,變頻器作為核心控制設(shè)備,對(duì)關(guān)鍵元器件的穩(wěn)定性、適配性提出更高要求。其中,600V快恢復(fù)二極管作為變頻器整流、續(xù)流回路的核心器件,...

2025-12-23 標(biāo)簽:二極管MOSFET可控硅 2.9k 0

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瑞薩 沁恒股份 全志 國(guó)民技術(shù) 瑞芯微 兆易創(chuàng)新 芯海科技 Altium
德州儀器 Vishay Micron Skyworks AMS TAIYOYUDEN 納芯微 HARTING
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st Murata Panasonic Altera Bourns 矽力杰 Samtec 揚(yáng)興科技
microchip TDK Rohm Silicon Labs 圣邦微電子 安費(fèi)諾工業(yè) ixys Isocom Compo
安森美 DIODES Nidec Intel EPSON 樂(lè)鑫 Realtek ERNI電子
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Xilinx 廣瀨電機(jī) 金升陽(yáng) 君耀電子 聚洵 Liteon 新潔能 Maxim
MPS 億光 Exar 菲尼克斯 CUI WIZnet Molex Yageo
Samsung 風(fēng)華高科 WINBOND 長(zhǎng)晶科技 晶導(dǎo)微電子 上海貝嶺 KOA Echelon
Coilcraft LRC trinamic
放大器 運(yùn)算放大器 差動(dòng)放大器 電流感應(yīng)放大器 比較器 儀表放大器 可變?cè)鲆娣糯笃? 隔離放大器
時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開(kāi)關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
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