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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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氮化家是一種新型半導(dǎo)體材料，它具有禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、耐高溫、抗輻射、耐酸堿、高強度和高硬度等特性，在早期廣泛運用于新能源汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)、半...
鉭電容、氮化鎵、鍺硅晶體管……沒有這些“配角”金屬，芯片設(shè)計再牛也白搭
說到芯片，你腦子里是不是立刻浮現(xiàn)出“硅”、“納米”、“光刻機”這些詞？ 正常工作，背后需要的稀有金屬，可能比你想的要復(fù)雜得多，也脆弱得多。 2023年那...
“融合時代”即將來臨？手機內(nèi)置氮化鎵有哪些優(yōu)勢
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/李誠）氮化鎵作為第三代功率半導(dǎo)體，因其寬帶隙和高熱導(dǎo)率等特點，在電源、射頻領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用，近年來也逐漸開始進入消費類市場，成為...
2023-07-12 標(biāo)簽：氮化鎵 2.9k 0
東科推出合封氮化鎵全鏈路解決方案，覆蓋QR、ACF、AHB等多種拓撲架構(gòu)
前言傳統(tǒng)的氮化鎵快充方案包括控制器+驅(qū)動器+GaN功率器件等，電路設(shè)計復(fù)雜，成本較高。而若采用合封氮化鎵芯片，一顆芯片即可實現(xiàn)原有數(shù)顆芯片的功能，不僅使...
第三代化合物半導(dǎo)體材料中，碳化硅（SiC）與方案商和中小設(shè)備終端制造商關(guān)系最大，它主要作為高功率半導(dǎo)體材料應(yīng)用于電源，汽車以及工業(yè)電力電子，在大功率轉(zhuǎn)換...
鍵合率達95%！三菱電機推進 GaN-on-Diamond 新技術(shù)
憑借其3.0MV/cm的高擊穿電場及2.9×10?cm/s的高電子飽和漂移速度，已成為高功率、高頻電子器件領(lǐng)域的核心材料?；贕aN的高電子遷移率晶體管...
納微半導(dǎo)體公布2025年第三季度財務(wù)業(yè)績
加利福尼亞州托倫斯——2025年11月3日訊：下一代GaNFast氮化鎵與高壓碳化硅 (GeneSiC) 功率半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體 (納斯達克...
2025-11-07 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅納微半導(dǎo)體 2.9k 0
2023年半導(dǎo)體企業(yè)相關(guān)收購案有哪些？
2023年，半導(dǎo)體市場的逆風(fēng)周期仍未過去，企業(yè)收并購的腳步卻不曾停歇。根據(jù)公開的信息，《中國電子報》記者梳理了23樁半導(dǎo)體領(lǐng)域的國際收并購案例，發(fā)現(xiàn)20...
近期美闊電子推出了一款全新的氮化鎵65W（1A2C）PD快充充電器方案，該方案采用同系列控制單晶片：QR一次側(cè)控制IC驅(qū)動MTCD-mode GaN F...
IN3261G+IN1305M PD 30W內(nèi)置氮化鎵
IN3261G+IN1305M同步是目前市面上最簡潔的30W PD充電器方案之一 IN3261G IN3262G為高性能多模式 PWM 反激式控制...
2023-03-01 標(biāo)簽：開關(guān)電源PD氮化鎵 2.9k 0
近年來，氮化鎵開關(guān)非?；鸨?，PI的InnoSwitch3內(nèi)部就集成了氮化鎵開關(guān)，在本次發(fā)布的新品中也使用了氮化鎵開關(guān)。閻金光說，氮化鎵開關(guān)導(dǎo)通電阻低，比...
金沙江第三代半導(dǎo)體氮化鎵芯片應(yīng)用項目簽約鶴壁
徐州金沙江半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱金沙江半導(dǎo)體）據(jù)官方消息，公司在2021年被設(shè)立，項目發(fā)起人氮化鎵（的）領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者，氮化鎵功率器件及其新應(yīng)用為主力...
用于太陽光紫外線指數(shù)檢測領(lǐng)域的紫外線傳感器
紫外線指數(shù)是指當(dāng)太陽在天空中的位置最高時（一般是在中午前后，即從上午十時至下午三時的時間段里），到達地球表面的太陽光線中的紫外線輻射對人體皮膚的可能損傷...
TOLL和DFN封裝CoolGaN? 650V G5第五代氮化鎵功率晶體管
新品TOLL和DFN封裝CoolGaN650VG5第五代氮化鎵功率晶體管第五代CoolGaN650VG5氮化鎵功率晶體管可在高頻工況下顯著提升能效，符合...
國產(chǎn)氮化鎵實現(xiàn)新突破，1200V的氮化鎵器件有何優(yōu)勢？
眾所周知，GaN 功率晶體管的關(guān)鍵問題之一是它們在開關(guān)操作期間的動態(tài)導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 增加，這會影響 GaN 功率晶體管和整個系統(tǒng)的可靠性。
2023-11-22 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻氮化鎵開關(guān)器件 2.8k 0
GaN材料的研究與應(yīng)用是目前全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料。上次帶大家了解了它的基礎(chǔ)特性：氮化鎵（GAN)具有...
碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”（WBG）。在帶隙寬度中，硅為1.1eV，SiC為3.3eV，GaN為3.4eV，因此寬帶隙...
三安半導(dǎo)體獲得產(chǎn)業(yè)扶持資金8，107.43萬元
2月2日，三安光電發(fā)布公告稱，全資子公司湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司（以下簡稱“湖南三安”）獲得產(chǎn)業(yè)扶持資金8，107.43萬元。 公告顯示，根據(jù)三安光電...
納微半導(dǎo)體推出采用GaNFast技術(shù)的最新DC-DC供電板
納微半導(dǎo)體（納斯達克股票代碼:NVTS），氮化鎵 (GaN) 和 GeneSiC? 碳化硅 (SiC) 功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者 (納斯達克股票代碼：NV...
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