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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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AI＋ 激活中國市場新動能 跨國企業(yè)與本土力量共探產(chǎn)業(yè)機遇
中國大市場正持續(xù)釋放全球級機遇，更成為全球創(chuàng)新成果的核心應(yīng)用場。隨著跨國企業(yè)紛紛通過深化本土化布局、加碼數(shù)字化與AI應(yīng)用融合等路徑，尋求與中國市場的長期...
近日，國內(nèi)有2個氮化鎵項目公布新進展，合計投資金額達6000萬元。
2024-01-13 標簽：半導(dǎo)體封裝氮化鎵GaN 2.7k 0
世界首個嵌入硅基半橋驅(qū)動芯片和一對氮化鎵晶體管的MasterGaN產(chǎn)品平臺
ST獨有的MasterGaN產(chǎn)品平臺是基于我們的經(jīng)過市場檢驗的專業(yè)知識和設(shè)計能力，整合高壓智能功率BCD工藝與GaN技術(shù)而成，能夠加快節(jié)省空間、高能效的...
納微半導(dǎo)體公布2025年第一季度財務(wù)業(yè)績
納微半導(dǎo)體（納斯達克股票代碼：NVTS）公布了截至2025年3月31日的未經(jīng)審計的2025年第一季度財務(wù)業(yè)績。
2025-05-08 標簽：氮化鎵碳化硅納微半導(dǎo)體 2.7k 0
全球最高功率密度！納微全新4.5kW服務(wù)器電源方案正式發(fā)布，輕松滿足AI數(shù)據(jù)中心增長的功率需求
納微氮化鎵和碳化硅混合設(shè)計電源能在最小尺寸下，為每個搭載AI GPU的機柜提升3倍功率 加利福尼亞州托倫斯2024年7月25日訊 — 下一代GaNFas...
2024-07-26 標簽：電源服務(wù)器數(shù)據(jù)中心 2.7k 0
去年3月，努比亞發(fā)布了旗下首款氮化鎵充電器，功率達65W三口（2C1A），此后又推出了120W三口（2C1A）氮化鎵充電器、45W雙口（1A1C）氮化鎵...
【HPMicro inside】高爆發(fā)氮化鎵關(guān)節(jié)電機驅(qū)動方案
本文導(dǎo)讀JMD101是一款基于EtherCAT通信的高爆發(fā)關(guān)節(jié)電機驅(qū)動模塊，面向高端工業(yè)/機器人場景，集電源、驅(qū)動、通信與控制技術(shù)于一體，專為實現(xiàn)高精度...
貝爾金推出行業(yè)首款ZSP氮化鎵充電器，重新定義快充能效新標準
? 上海2025年8月27日 /美通社/ -- 全球消費電子領(lǐng)導(dǎo)品牌貝爾金（Belkin）今日宣布正式發(fā)布其首款搭載ZSP（Zero-Standby P...
功率半導(dǎo)體賦能清潔能源轉(zhuǎn)型 共筑綠色發(fā)展新生態(tài)
據(jù)媒體報道，我國已建成世界規(guī)模最大的清潔能源供應(yīng)體系。2012年至2024年，我國以年均3.4%的能源消費增速支撐了年均6.1%的經(jīng)濟增長，能耗強度累計...
大聯(lián)大推出基于InnoGaN產(chǎn)品的1KW DCDC電源模塊方案
2024年1月18日，致力于亞太地區(qū)市場的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布其旗下詮鼎推出基于英諾賽科（Innoscience）InnoGaN ...
英諾賽科香港上市，國內(nèi)氮化鎵半導(dǎo)體第一股誕生
近日，國內(nèi)氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的佼佼者——英諾賽科(蘇州)科技股份有限公司，在香港聯(lián)合交易所主板成功掛牌上市。此舉標志著國內(nèi)氮化鎵半導(dǎo)體第一股正式誕生，...
2025-01-02 標簽：半導(dǎo)體數(shù)據(jù)中心氮化鎵 2.6k 0
商務(wù)部和海關(guān)總署發(fā)布公告，對鎵、鍺相關(guān)物限制出口
該公告規(guī)定了涉及金屬鎵、氮化鎵、氧化鎵、磷化鎵、砷化鎵、銦鎵砷、硒化鎵、銻化鎵，以及金屬鍺、區(qū)熔鍺錠、磷鍺鋅、鍺外延生長襯底、二氧化鍺、四氯化鍺等相關(guān)物...
2023-07-04 標簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵砷化鎵 2.6k 0
功率半導(dǎo)體廠商納微半導(dǎo)體2024年第一季度收入業(yè)績同比增長達73%
1 得益于移動快充、AI數(shù)據(jù)中心對氮化鎵的持續(xù)采用，以及碳化硅在電動汽車、太陽能和工業(yè)應(yīng)用的銷售增長，納微半導(dǎo)體2024年第一季度收入同比增長達73%。...
2024-05-10 標簽：氮化鎵功率半導(dǎo)體納微半導(dǎo)體 2.6k 0
ZENDURE推出30W SuperHub氮化鎵超級擴展塢 充電器與擴展塢二合一
擴展塢的輸入接口設(shè)計在了背后，接口類型為常見的8字線輸入口，同時底部還加入了防滑墊的設(shè)計，保障擴展塢工作時的穩(wěn)定不滑動。
麥科信OIP系列光隔離探頭應(yīng)用場景之——助力氮化鎵（GaN）原廠FAE解決客戶問題
作為功率半導(dǎo)體廠商，為下游客戶提供典型應(yīng)用方案似乎成行業(yè)內(nèi)約定俗成的事。也就是說，作為半導(dǎo)體原廠不僅要設(shè)計好芯片，還要親自設(shè)計和驗證很多應(yīng)用方案供下游客...
由于對設(shè)計、制造業(yè)者來說，資金、良率、成本、技術(shù)等環(huán)節(jié)皆為投入GaN領(lǐng)域的考驗，因此早期多由歐美IDM業(yè)者開始發(fā)展，如今，已演變?yōu)闃I(yè)界擴大合作，加快產(chǎn)業(yè)...
2020-04-07 標簽：氮化鎵 2.6k 0
氮化鎵芯片是一種新型的半導(dǎo)體材料，具有高頻率、高功率、高溫穩(wěn)定性和低損耗等優(yōu)點，被廣泛應(yīng)用于電力電子器件、光電子器件和微波器件等領(lǐng)域。隨著科技的不斷發(fā)展...
直擊氮化鎵領(lǐng)域的無限可能！ 讓氮化鎵不再神秘，泰克攜手英諾賽科一起加速未來科技
中國北京2022年4月22日?— 近年來一直發(fā)力第三代半導(dǎo)體測試解決方案的泰克科技，最近攜手英諾賽科一起致力于開發(fā)氮化鎵的應(yīng)用未來。未來，雙方將攜手克服...
半導(dǎo)體硅片行業(yè)報告，國產(chǎn)替代進程加速
第二代半導(dǎo)體材料以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）為代表。第三代半導(dǎo)體材料主 要包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、硒化鋅（ZnSe）等，因其禁...
2024-01-23 標簽：半導(dǎo)體材料SiC氮化鎵 2.6k 0
作者：Sandeep Bahl 最近，一位客戶問我關(guān)于氮化鎵（GaN）可靠性的問題：JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會）似乎沒把應(yīng)用條件納入到開關(guān)電源的...
2017-04-18 標簽：開關(guān)電源氮化鎵 2.6k 0
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