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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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9月，英飛凌宣布成功開(kāi)發(fā)出全球首款12英寸（300mm）功率氮化鎵（GaN）晶圓。12英寸晶圓與8英寸晶圓相比，每片能多生產(chǎn)2.3倍數(shù)量的芯片，技術(shù)和效...
格芯收購(gòu)Tagore Technology氮化鎵技術(shù),加速電源管理創(chuàng)新
近日，全球領(lǐng)先的純晶圓代工廠格芯（GlobalFoundries，簡(jiǎn)稱GF）宣布了一項(xiàng)重大戰(zhàn)略舉措，成功收購(gòu)了Tagore Technology公司所持...
宜普電源推出EPC2001和EPC2015增強(qiáng)型氮化鎵FET
宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出EPC2001和EPC2015兩種無(wú)鉛且符合RoHS(有害物質(zhì)限制條例)要求的增強(qiáng)型氮化鎵 (eGaN) FET
納微半導(dǎo)體正式登陸納斯達(dá)克，以股票代碼NVTS上市交易
氮化鎵功率芯片的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（“納微”）的股票，正式開(kāi)始在納斯達(dá)克全球市場(chǎng)交易，股票代碼為“NVTS”。
2021-10-21 標(biāo)簽：氮化鎵功率芯片納微半導(dǎo)體 2.8k 0
納微十年，氮化鎵GaNSlim上新，持續(xù)引領(lǐng)集成之勢(shì)
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）十年前納微半導(dǎo)體作為氮化鎵行業(yè)的先鋒，成功地將氮化鎵功率器件帶入消費(fèi)電子市場(chǎng)，幫助客戶打造了許多氮化鎵充電器的爆款產(chǎn)品，也...
日前，紫米公司發(fā)布致歉公告，表示ZMI 33W氮化鎵充電器，因不可抗力原因?qū)е聼o(wú)法如期上市，具體日期待定中，更新進(jìn)度會(huì)及時(shí)告與大家，望理解體諒。
高中低壓全品線布局！一家快速發(fā)展的國(guó)產(chǎn)氮化鎵IDM芯片廠商
據(jù)了解，致能科技成立于2018年，專注于寬禁帶半導(dǎo)體氮化鎵功率器件在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用。近年來(lái)，公司的發(fā)展勢(shì)頭愈發(fā)亮眼，已研發(fā)出了650V、900V系列...
GaN及相關(guān)合金可用于制造藍(lán)色/綠色/紫外線發(fā)射器以及高溫、高功率電子器件。由于 III 族氮化物的濕法化學(xué)蝕刻結(jié)果有限，因此人們投入了大量精力來(lái)開(kāi)發(fā)干...
圖1. FP腔邊發(fā)射激光器、DFB邊發(fā)射激光器、VCSEL和PCSEL的結(jié)構(gòu)示意圖、典型遠(yuǎn)場(chǎng)發(fā)散角及輸出光譜特性。 常規(guī)的半導(dǎo)體激光器，如Fabry–P...
OPPO超快閃充80W氮化鎵雙口充電器套裝上市，售價(jià)169元
據(jù)悉，該設(shè)備具備Type-C及USB-A兩接口，單接口均支持80W Max閃充，半小時(shí)內(nèi)即可將Find X7由1%充滿至100%。雙口同時(shí)輸出時(shí)，可達(dá)到...
如何化解第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用痛點(diǎn)
如何化解第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用痛點(diǎn) 在集成電路和分立器件領(lǐng)域，硅始終是應(yīng)用最廣泛、技術(shù)最成熟的半導(dǎo)體材料，但硅材料技術(shù)的成熟恰恰意味著難以突破瓶頸。為了打破...
合封氮化鎵芯片是一種新型的半導(dǎo)體器件，它具有高效率、高功率密度和高可靠性等優(yōu)點(diǎn)。與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體器件相比，合封氮化鎵芯片采用了全新的封裝技術(shù)，將多個(gè)半導(dǎo)體...
高功率快充在近幾年成為了充電市場(chǎng)的當(dāng)紅炸子雞。前段時(shí)間小米推出的新款氮化鎵快速充電器更是引爆了快充小型化的潮流。
在日本政府推行新能源車鼓勵(lì)政策下，日本廠商正在積極擴(kuò)產(chǎn)備戰(zhàn)
對(duì)于技術(shù)的追求以及資本推動(dòng)下，日本在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域一直擁有強(qiáng)大的實(shí)力。據(jù)悉，目前全球的功率半導(dǎo)體器件主要由歐洲、美國(guó)、日本三個(gè)國(guó)家和地區(qū)提供，他們憑借先...
2021-05-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵功率半導(dǎo)體 2.7k 0
近日，小米上架了兩款充電器，一個(gè)是小米充電器120W秒充版，售價(jià)249元，另一個(gè)是小米氮化鎵GaN充電器55W，售價(jià)99元。兩款充電器均附送數(shù)據(jù)線。
氮化鎵和MMIC及射頻SoC推動(dòng)5G無(wú)線更快發(fā)展
在半導(dǎo)體層面上，硅基氮化鎵的主流商業(yè)化開(kāi)啟了提高射頻功率密度、節(jié)省空間和提高能效的大門，其批量生產(chǎn)水平的成本結(jié)構(gòu)非常低，與LDMOS相當(dāng)，遠(yuǎn)低于碳化硅基氮化鎵。
外交部回應(yīng)公布對(duì)鎵鍺出口管制 突發(fā)，中國(guó)商務(wù)部正式宣布將在8月1日起，對(duì)鎵、鍺等半導(dǎo)體關(guān)鍵原材料實(shí)施出口管制。對(duì)此我國(guó)外交部回應(yīng)公布對(duì)鎵鍺出口管制是中方...
德州儀器 (TI) 今日發(fā)布低功耗氮化鎵 (GaN) 系列新品，可助力提高功率密度，大幅提升系統(tǒng)效率，同時(shí)縮小交流/直流消費(fèi)類電力電子產(chǎn)品和工業(yè)系統(tǒng)的尺...
小米納微三度攜手，小米 65W 1A1C氮化鎵充電器發(fā)布！
小米 65W 1A1C 氮化鎵充電器，采用了納微半導(dǎo)體 NV6115 GaNFast 氮化鎵功率芯片。該芯片采用 5×6mm 的 QFN 封裝，并且采用...
放眼當(dāng)下市場(chǎng)，已經(jīng)量產(chǎn)商用的氮化鎵直驅(qū)控制器多為國(guó)外廠商產(chǎn)品，客戶的選擇空間十分有限，同時(shí)也蘊(yùn)藏著巨大的商機(jī)。日前，智融科技推出了一款氮化鎵直驅(qū)控制芯片...
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