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標(biāo)簽 > 氮化鎵

氮化鎵

氮化鎵

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氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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氮化鎵資訊

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電子元件和電路的適當(dāng)熱管理是確保系統(tǒng)在所有操作條件下正確運(yùn)行和可靠性的基本要求。當(dāng)前電子設(shè)備逐漸小型化的趨勢(shì)以及對(duì)功率密度的需求不斷增加,將熱管理問(wèn)題置...

2022-08-03 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 2.6k 0

納微半導(dǎo)體推出全球首款智能GaNFast氮化鎵功率芯片,GaNSense新技術(shù)登場(chǎng)

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2021-11-08 標(biāo)簽:氮化鎵電流測(cè)量功率芯片 2.6k 0

氮化鎵半導(dǎo)體技術(shù)制造

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氮化鎵(GaN)主要是指一種由人工合成的半導(dǎo)體材料,是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表, 研制微電子器件、光電子器件的新型材料。氮化鎵技術(shù)及產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)初步形成...

2023-02-07 標(biāo)簽:芯片設(shè)計(jì)半導(dǎo)體材料氮化鎵 2.6k 0

Nexperia推出650V的功率器件GAN063-650WSA

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2019-11-22 標(biāo)簽:功率器件氮化鎵Nexperia 2.6k 0

2024新一代半導(dǎo)體晶體技術(shù)及應(yīng)用大會(huì)6月21-23日濟(jì)南召開

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半導(dǎo)體晶體是信息產(chǎn)業(yè)的基石,其生長(zhǎng)技術(shù)、加工工藝、關(guān)鍵設(shè)備、器件應(yīng)用及原材料供給等對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈的安全穩(wěn)定至關(guān)重要。

2024-05-20 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 2.6k 0

Power Integrations榮獲“國(guó)際功率器件行業(yè)卓越獎(jiǎng)”

Power Integrations,憑借其全球領(lǐng)先的功率器件技術(shù)和卓越的市場(chǎng)表現(xiàn),榮獲了“國(guó)際功率器件行業(yè)卓越獎(jiǎng)”。這一榮譽(yù)不僅是對(duì)Power Int...

2024-01-08 標(biāo)簽:功率器件氮化鎵GaN 2.6k 0

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2022-05-05 標(biāo)簽:氮化鎵功率芯片GaN器件 2.6k 0

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2016-06-03 標(biāo)簽:氮化鎵GaNMACOM 2.6k 0

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2024-05-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 2.6k 0

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最新一代 GaN 器件為功率器件帶來(lái)智能和自主性

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自從碳化硅MOS管在Model3牽引電驅(qū)中使用后,整個(gè)世界對(duì)碳化硅的討論就沒有停過(guò),也促進(jìn)了碳化硅MOS管在充電樁與新能源汽車中的應(yīng)用,從而提高充電速度...

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GaN晶體管的高級(jí)優(yōu)勢(shì)是什么

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2022-07-29 標(biāo)簽:晶體管氮化鎵GaN 2.6k 0

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瑞薩 沁恒股份 全志 國(guó)民技術(shù) 瑞芯微 兆易創(chuàng)新 芯??萍?/a> Altium
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安森美 DIODES Nidec Intel EPSON 樂(lè)鑫 Realtek ERNI電子
TE Connectivity Toshiba OMRON Sensirion Broadcom Semtech 旺宏 英飛凌
Nexperia Lattice KEMET 順絡(luò)電子 霍尼韋爾 pulse ISSI NXP
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