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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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快充國產(chǎn)替代新突破！爭妍微650V GaN HEMT賦能300W USB-C PD，替代英諾賽科INN650D02
在消費電子快充領(lǐng)域，300W USB-C PD快充因適配筆記本、便攜式儲能等高頻需求，成為市場增長核心賽道。而650V GaN HEMT作為快充方案的核...
2025-12-23 標(biāo)簽：MOSFET快恢復(fù)二極管氮化鎵 2.4k 0
氮化鎵應(yīng)用拓展加速，從快充跨步到數(shù)據(jù)中心
在廠商的推廣和終端產(chǎn)品的面世后，氮化鎵器件的優(yōu)勢大家也都有所耳聞了。更快的開關(guān)速度省去了更多的無源器件，從而實現(xiàn)了更小的體積和更低的成本；更小的開關(guān)損耗...
2023-03-21 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)中心氮化鎵 2.4k 0
最近在朋友圈轉(zhuǎn)發(fā)了一篇題目是重磅！全球最大氮化鎵生產(chǎn)線月底通線試產(chǎn)！的文章，表示不太看好，引來不少朋友的不同評價。正好這幾天給女兒講皇帝的新裝的故事，我...
一種可以實現(xiàn)太赫茲波前調(diào)控的超構(gòu)表面
近年來，太赫茲（THz）技術(shù)已經(jīng)成為第六代（6G）無線通信、雷達探測、光譜成像和生物醫(yī)學(xué)傳感等領(lǐng)域的研究熱點。
GaN場效應(yīng)晶體管包括耗盡型（d-mode）、增強型（e-mode）、共源共柵型（cascode）等三種類型，并且每種都具有各自的柵極驅(qū)動和系統(tǒng)要求。
隨著全球能源需求因 AI 數(shù)據(jù)中心、電動汽車以及其他高能耗應(yīng)用而激增，安森美（onsemi）推出垂直氮化鎵（vGaN）功率半導(dǎo)體，為相關(guān)應(yīng)用的功率密度、...
英飛特氮化鎵LED驅(qū)動電源助力邁向可持續(xù)照明新時代
在“碳達峰、碳中和”成為全球共識的背景下，提升能源利用效率已成為各行業(yè)的核心任務(wù)。照明約占全球電力消耗的15%，而LED 驅(qū)動電源作為照明系統(tǒng)的核心部件...
全球領(lǐng)先！納微半導(dǎo)體氮化鎵芯片出貨量超1300萬顆
納微半導(dǎo)體今日正式宣布，其出貨量創(chuàng)下最新紀錄，已向市場成功交付超過1300萬顆氮化鎵（GaN）功率IC實現(xiàn)產(chǎn)品零故障。
2021-01-27 標(biāo)簽：氮化鎵功率IC納微半導(dǎo)體 2.4k 0
目前，以傳統(tǒng)半導(dǎo)體硅（Si）為主要材料的半導(dǎo)體器件仍然主導(dǎo)著電力電子功率元件。
Power Integrations推出LYTSwitch-6系列安全隔離型LED驅(qū)動器IC的最新成員
基于PowiGaN的LYT6078C IC集成了一個750V功率開關(guān)，可提供高達90W的無閃爍輸出，同系列的其他器件可提供高達110W的無閃爍輸出。包括...
2020-09-22 標(biāo)簽：驅(qū)動器功率開關(guān)氮化鎵 2.4k 0
氮化鎵功率器件與驅(qū)動芯片領(lǐng)先廠商晶通半導(dǎo)體授權(quán)世強硬創(chuàng)代理
近日，世強先進(深圳)科技股份有限公司(下稱“世強先進”)與國內(nèi)氮化鎵功率器件與驅(qū)動芯片領(lǐng)先廠商——晶通半導(dǎo)體(深圳)有限公司(下稱“晶通半導(dǎo)體”)簽署...
【芯聞精選】穩(wěn)懋加碼投資建廠，預(yù)計三年后量產(chǎn)；大眾汽車宣布將自研高性能芯片
2021年90期 產(chǎn)業(yè)新聞 ? 長電科技完成50億元定增項目，進一步提升芯片成品制造能力 ? 5月8日消息 電科技近日發(fā)布公告稱，公司完成定增募資約50...
RF GaAs模具市場將從2019年的28億美元左右增長到2025年的36億美元以上。這一市場是由5G和Wi-Fi6手機應(yīng)用需求的增長推動的。
在智能設(shè)備飛速發(fā)展的今天，無論是家里的智能音箱，還是工廠的自動化設(shè)備，都對其“心臟”—電源模塊，提出了前所未有的高要求：高效率、小體積、高可靠性、綠色環(huán)...
臺鈴發(fā)布新型無線充電專利技術(shù)，InnoGaN正式進軍電動車領(lǐng)域
臺鈴在天津展上重磅首發(fā)“奔跑的機器人”——N9超智版智能電動車，提出了擁有16項發(fā)明專利加持的氮化鎵有線+無線充電黑科技，臺鈴再一次驚艷業(yè)界，以技術(shù)創(chuàng)新...
氮化鎵上車進行時：從器件特性到系統(tǒng)效率的全面驗證
2025年12月，匯川聯(lián)合動力與英諾賽科共同宣布，采用650V氮化鎵的新一代6.6kW車載充電系統(tǒng)在長安汽車成功裝車。這標(biāo)志著氮化鎵技術(shù)在中國新能源汽車...
2026-01-09 標(biāo)簽：氮化鎵 2.4k 0
7月31日，是世界氮化鎵日。在這個充滿探索與突破的時代，氮化鎵憑借其卓越的特質(zhì)和廣袤的應(yīng)用維度，化作科技領(lǐng)域的一顆冉冉升起的新星。氮化鎵的登場，給電子行...
納微半導(dǎo)體宣布全球首個氮化鎵功率芯片20年質(zhì)保承諾
氮化鎵作為下一代半導(dǎo)體技術(shù)，其運行速度比傳統(tǒng)硅功率芯片快 20 倍。納微半導(dǎo)體以其專有的GaNFast?氮化鎵功率集成芯片技術(shù)，集成了氮化鎵功率場效應(yīng)管...
量子光源芯片作為量子互聯(lián)網(wǎng)的“心臟”，在量子通信中扮演著至關(guān)重要的角色。而電子科技大學(xué)團隊此次研發(fā)的氮化鎵量子光源芯片，在性能上取得了顯著的突破。
本文要點氮化鎵是一種晶體半導(dǎo)體，能夠承受更高的電壓。氮化鎵器件的開關(guān)速度更快、熱導(dǎo)率更高、導(dǎo)通電阻更低且擊穿強度更高。氮化鎵技術(shù)可實現(xiàn)高功率密度和更小的...
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