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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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納微半導(dǎo)體2022年第四季度及全年財(cái)報(bào)亮眼 2022年收入增長(zhǎng)60%
1 2022年收入增長(zhǎng)60%。 2 納微藉技術(shù)、終端市場(chǎng)、地域多樣化形成規(guī)模優(yōu)勢(shì)。 3 取代功率半導(dǎo)體器件中的傳統(tǒng)硅應(yīng)用；實(shí)現(xiàn)新增長(zhǎng)市場(chǎng)電氣化。 下一代...
意法半導(dǎo)體和MACOM射頻硅基氮化鎵原型芯片制造成功
意法半導(dǎo)體和世界排名前列的電信、工業(yè)、國(guó)防和數(shù)據(jù)中心半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商MACOM技術(shù)解決方案控股有限公司宣布，射頻硅基氮化鎵（RF GaN-on-Si...
2022-05-20 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體無(wú)線網(wǎng)絡(luò)氮化鎵 2.3k 0
低阻高導(dǎo)｜捷捷微電 JMSL1006PG 助力小米大功率氮化鎵充電方案
近日，小米推出了全新的140W8合1氮化鎵桌面充電站，以一體化的多接口設(shè)計(jì)、強(qiáng)大的多設(shè)備同時(shí)快充能力，以及高效的氮化鎵技術(shù)，為用戶打造了整潔、高效的桌面...
納微GaNFast?氮化鎵功率芯片獲三星旗艦智能手機(jī)Galaxy S23采用
從三星S22到S23，下一代GaNFast?技術(shù)持續(xù)在超便攜、超快充的手機(jī)市場(chǎng)中取代傳統(tǒng)硅功率芯片
2023-11-03 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)OLED屏氮化鎵 2.3k 0
據(jù)日本研究人員報(bào)告，通過(guò)減少碳污染來(lái)避免碳污染源導(dǎo)致的“遷移率崩潰”，氮化鎵（GaN）的電子遷移率性能創(chuàng)下新高 。
2024-03-13 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)逆變器氮化鎵 2.3k 0
隨著手機(jī)充電技術(shù)的迅猛發(fā)展，快充已經(jīng)成為智能手機(jī)的標(biāo)配，不少手機(jī)廠商還將“百瓦級(jí)”快充作為自家旗艦的宣傳亮點(diǎn)。
西電廣州第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心通線，中國(guó)科學(xué)院院士郝躍領(lǐng)銜
西安電子科技大學(xué)表示，該項(xiàng)目竣工后，將具備6至8英寸氮化鎵晶片生長(zhǎng)、工程準(zhǔn)備、密封測(cè)試等整個(gè)工程的研發(fā)和技術(shù)服務(wù)能力。接著革新中心是第三代半導(dǎo)體技術(shù)公共...
2023-09-25 標(biāo)簽：新能源汽車(chē)半導(dǎo)體技術(shù)氮化鎵 2.3k 0
Qorvo全球CEO專(zhuān)訪：手機(jī)中哪些射頻器件會(huì)爆增？
“我們?cè)谖磥?lái)的5G 射頻市場(chǎng)將擁有很多領(lǐng)先的技術(shù)，比如非常適合毫米波器件的氮化鎵（GaN）工藝。不僅如此，現(xiàn)在多頻多模LTE手機(jī)，特別是運(yùn)營(yíng)商最新要求的...
電動(dòng)汽車(chē)的日益普及正在改變行業(yè)，對(duì)緊湊輕巧的電源管理解決方案的強(qiáng)烈需求同時(shí)又不影響車(chē)輛性能。同時(shí)，設(shè)計(jì)更高效、更具成本效益的工業(yè)解決方案將減少排放，為更...
2022-08-05 標(biāo)簽：電源驅(qū)動(dòng)器氮化鎵 2.3k 0
制造成本可降低90%，日本信越開(kāi)發(fā)新技術(shù)
據(jù)了解，此次信越化學(xué)工業(yè)與OKI開(kāi)發(fā)的新技術(shù)，可以在特有的基板上噴射鎵系氣體，使晶體生長(zhǎng)。信越化學(xué)工業(yè)的增厚晶體技術(shù)與OKI的接合技術(shù)相結(jié)合，可以從基板...
面向氮化鎵光電器件應(yīng)用的氮化鎵單晶襯底制備技術(shù)研發(fā)進(jìn)展
以氮化鎵（GaN）為代表的一系列具有纖鋅礦結(jié)構(gòu)的氮化物半導(dǎo)體是直接帶隙半導(dǎo)體材料，其組成的二元混晶或三元混晶在室溫下禁帶寬度從0.7 eV到6.28 e...
1A2C-65W氮化鎵（GaN）快充方案，快充方案支持90~264V寬輸入電壓，輸出支持5V/3A，9V/3A，12V/3A，15V/3A，20V/3....
氮化鎵（GaN）晶體管在工作過(guò)程中產(chǎn)生的熱量和由此引起的溫升會(huì)導(dǎo)致性能下降并縮短器件的壽命，因此亟需開(kāi)發(fā)有效的散熱方法。
陳敬教授：面向功率、射頻和數(shù)字應(yīng)用的氮化鎵器件技術(shù)
近日，在第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇&第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇開(kāi)幕大會(huì)上，香港科技大學(xué)講席教授陳敬帶來(lái)了“面向功率、射頻和數(shù)字應(yīng)用的氮化鎵器...
能源轉(zhuǎn)型的挑戰(zhàn)涉及不同的市場(chǎng)。電動(dòng)汽車(chē) (EV) 的技術(shù)進(jìn)步正在降低成本，但最重要的是提供了許多消費(fèi)者所需的更大范圍效率。更高功率密度的電池、更高效的電...
士蘭微電子推出小體積、低成本的兩級(jí)無(wú)頻閃隔離LED照明驅(qū)動(dòng)方案
在LED驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)領(lǐng)域，不斷追求更高性能和成本效益是行業(yè)發(fā)展的驅(qū)動(dòng)力。士蘭微電子以先進(jìn)的高壓MOS工藝平臺(tái)為基礎(chǔ)，以其卓越的穩(wěn)定性和成熟制造工藝，成為...
金剛石/氮化鎵薄膜生長(zhǎng)工藝與熱物性表征領(lǐng)域研究進(jìn)展
氮化鎵高電子遷移率晶體管(HEMTs)因其優(yōu)異的大功率高頻性能在大功率射頻器件領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。
氮化鎵（GaN）如何應(yīng)對(duì)設(shè)計(jì)和可持續(xù)性挑戰(zhàn)
為了提高采用率，電動(dòng)汽車(chē)必須提供安全性和便利性，在這種情況下，這主要與提高續(xù)航效率、更好的充電基礎(chǔ)設(shè)施和更快的充電時(shí)間有關(guān)。硅器件不太可能達(dá)到所需的水平...
2022-12-14 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)DC-DC氮化鎵 2.2k 0
數(shù)據(jù)中心鈦基準(zhǔn)性能優(yōu)于基于GaN的3kW AC/DC PSU
數(shù)據(jù)中心中數(shù)量龐大且不斷增加的服務(wù)器，每個(gè)都配備中央處理單元 （CPU）、圖形處理單元 （GPU） 和能夠存儲(chǔ)大量數(shù)據(jù)的內(nèi)存，因此需要增加功率。為了支持...
2022-07-25 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)中心氮化鎵GaN 2.2k 0
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