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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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國產(chǎn)碳化硅功率器件領(lǐng)先品牌派恩杰半導(dǎo)體PCIM Asia 2023亮點(diǎn)回顧
8月29日-31日，上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)（簡稱PCIM Asia）在上海新國際博覽中心W2館圓滿舉行。作為領(lǐng)先亞洲的電力電子展會(huì)，本屆...
碳化硅 VS 氮化鎵：第三代半導(dǎo)體的“雙雄對(duì)決”
以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導(dǎo)體，正憑借更高的耐壓、更低的損耗和更高的工作頻率，逐步取代傳統(tǒng)硅器件，成為電源系統(tǒng)的“新引擎”。然...
韓國晶圓代工廠DB HiTek發(fā)放20%獎(jiǎng)金，繼續(xù)加大電力半導(dǎo)體技術(shù)投資力度
盡管東晶圓的2023年銷售與運(yùn)營利潤雙雙大幅縮水，分別相較去年減少了31%和65%，但仍堅(jiān)持向員工發(fā)放高額獎(jiǎng)金，鼓勵(lì)團(tuán)隊(duì)士氣。在半導(dǎo)體領(lǐng)域高端人才爭奪日...
氮化鎵功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克代碼：NVTS）宣布已任命 Ron Shelton 為新任高級(jí)副總裁、首席財(cái)務(wù)官和財(cái)務(wù)主管。同時(shí)，臨時(shí)首席財(cái)...
2022-06-02 標(biāo)簽：芯片氮化鎵納微半導(dǎo)體 2.2k 0
這款氮化鎵充電樁的外觀采用機(jī)甲身型設(shè)計(jì)，并進(jìn)行了金屬磨砂噴漆處理，內(nèi)嵌了燈帶，通過不同顏色的燈光狀態(tài)來顯示充電進(jìn)度：綠燈常亮表示已充滿，綠燈閃爍表示充電...
當(dāng)前，人們正在致力于研發(fā)氮化鎵和其他III族氮化物的高功率、高頻率器件。
構(gòu)建雙極型氮化鎵PN結(jié)實(shí)現(xiàn)雙通道加密光通信應(yīng)用
半導(dǎo)體p-n結(jié)二極管是構(gòu)建光電器件的基本單元之一。然而，傳統(tǒng)p-n結(jié)二極管在某種程度上受到電流整流行為的限制，這使得載流子的調(diào)控性受到影響
福布斯專訪納微半導(dǎo)體：談氮化鎵在電動(dòng)汽車領(lǐng)域的廣闊應(yīng)用
納微半導(dǎo)體向福布斯詳細(xì)介紹了納微 GaNFast 氮化鎵功率芯片的相關(guān)信息，并且介紹了氮化鎵功率芯片在電動(dòng)汽車以及電動(dòng)交通工具等方面的應(yīng)用。
2021-08-24 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車充電器汽車電子 2.2k 0
氮化鎵(GaN)是一種寬禁帶隙的半導(dǎo)體材料，在半導(dǎo)體行業(yè)是繼硅之后最受歡迎的材料。這背后的原動(dòng)力趨勢是led，微波，以及最近的電力電子。新的研究領(lǐng)域還包...
怎么區(qū)分快充和普通充電器？從倍思氮化鎵快充看核心差異
當(dāng)下,給手機(jī)選擇充電器的時(shí)候,“充電5分鐘通話2小時(shí)”的快充體驗(yàn)與“一充就是大半天”的普通充電形成了鮮明對(duì)比。但是市面上產(chǎn)品繁多,面對(duì)五花八門的選擇,我...
過去30年，臺(tái)積電、聯(lián)電擅長制造的邏輯IC，基本上都是以硅做為材料。「硅基本上是一種相當(dāng)全能的材料?！构ぱ性寒a(chǎn)業(yè)科技國際策略發(fā)展所研究總監(jiān)楊瑞臨觀察。
2021-03-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料氮化鎵 2.2k 0
復(fù)旦大學(xué)芯片院在高速低EMI功率集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域取得重要進(jìn)展
開關(guān)電源芯片被廣泛應(yīng)用于車載電子系統(tǒng)中，完成高效電能轉(zhuǎn)換。隨著智能駕駛技術(shù)的迅速發(fā)展，對(duì)開關(guān)電源芯片的電磁干擾（EMI）噪聲的要求也日益嚴(yán)苛。
貿(mào)澤推出TI LMG1210 MOSFET和GaN FET驅(qū)動(dòng)器 高頻應(yīng)用的好選擇
TI LMG1210是一款50 MHz半橋驅(qū)動(dòng)器，經(jīng)過特別設(shè)計(jì)，能與電壓高達(dá)200V的增強(qiáng)模式GaN FET搭配使用。
2019-09-29 標(biāo)簽：氮化鎵半橋驅(qū)動(dòng)器貿(mào)澤電子 2.2k 0
從研發(fā)到商業(yè)化應(yīng)用，氮化鎵的發(fā)展是當(dāng)下的顛覆性技術(shù)創(chuàng)新，其影響波及了現(xiàn)今整個(gè)微波和射頻行業(yè)。氮化鎵對(duì)眾多射頻應(yīng)用的系統(tǒng)性能、尺寸及重量產(chǎn)生了明確而深刻的...
2020-07-06 標(biāo)簽：氮化鎵 2.2k 0
三星計(jì)劃入局8英寸氮化鎵功率半導(dǎo)體代工服務(wù)
三星詳細(xì)介紹了他們的2納米制造工藝量產(chǎn)計(jì)劃和性能水平，并宣布從2025年開始提供8英寸氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體代工服務(wù)，以滿足人工智能技術(shù)的需求。這種...
65w氮化鎵充電器2c1a方案| 過認(rèn)證、低成本！
驪微電子65w氮化鎵充電器2c1a方案采用主控芯片PN8783、同步整流芯片PN8307P、DC-DC降壓芯片NDP1460PQB和PD協(xié)議芯片XPD7...
日本企業(yè)加速氮化鎵半導(dǎo)體生產(chǎn),力推電動(dòng)汽車?yán)m(xù)航升級(jí)
日本公司正積極投入大規(guī)模生產(chǎn)氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體器件，旨在提升電動(dòng)汽車的行駛里程。盡管氮化鎵與碳化硅（SiC）在電動(dòng)汽車功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用上競爭...
2024-10-22 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車SiC氮化鎵 2.2k 0
借助 GaN，智能手機(jī)制造商可以制造外殼尺寸更小且性價(jià)比更高的充電器。盡管基于 GaN 的器件的單價(jià)比硅貴，但更高的頻率和更高的功率密度值導(dǎo)致每瓦美元更...
宜普電源轉(zhuǎn)換公司推出100V ~ 200V產(chǎn)品系列的EPC2059氮化鎵場效應(yīng)晶體管
宜普電源轉(zhuǎn)換公司是增強(qiáng)型硅基氮化鎵（eGaN）功率場效應(yīng)晶體管和集成電路的全球領(lǐng)先供應(yīng)商，致力提高產(chǎn)品性能且降低可發(fā)貨的氮化鎵晶體管的成本，最新推出EP...
2020-11-13 標(biāo)簽：適配器服務(wù)器場效應(yīng)晶體管 2.2k 0
__[導(dǎo)讀]__Nexperia 是基本半導(dǎo)體領(lǐng)域的專家，最近宣布其最新產(chǎn)品添加到越來越多的分立器件中，該器件采用具有側(cè)面可濕性側(cè)面 (SWF) 的無引...
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