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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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新能源汽車領(lǐng)域關(guān)于碳化硅的應(yīng)用
汽車原始設(shè)備制造商對電力電子系統(tǒng)的要求對此類系統(tǒng)的開發(fā)人員來說是一個巨大的挑戰(zhàn)。特別是空間要求、重量和效率的相互制衡,整個系統(tǒng)的成本和產(chǎn)品設(shè)計階段的工作...
碳化硅MOSFET助力新能源汽車實現(xiàn)更出色的能源效率和應(yīng)用可靠性
碳化硅MOSFET具有優(yōu)秀的高頻、高壓、高溫性能,是目前電力電子領(lǐng)域最受關(guān)注的寬禁帶功率半導(dǎo)體器件。
碳化硅(SiC)是一種陶瓷材料,出于半導(dǎo)體應(yīng)用的目的,通常以單晶形式生長。其固有的材料特性,加上作為單晶生長,使其成為市場上最耐用的半導(dǎo)體材料之一。這種...
SiC,也稱為碳化硅,是硅和碳化物在晶體結(jié)構(gòu)中的組合,大約有250種不同的晶體形式可以找到SiC。碳化硅可以采取許多不同的形式:單個SiC晶??梢詿Y(jié)在...
碳化硅解決方案滿足了依賴半導(dǎo)體的可再生能源系統(tǒng)的所有需求,因為它們可以提高功率密度、降低開關(guān)損耗和開關(guān)頻率。Wolfspeed 碳化硅解決方案使太陽能功...
5G還圍繞提供滿足帶寬、延遲和數(shù)據(jù)速度新要求的連接所需的技術(shù)和基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)計帶來了新的思維。它不僅需要在宏觀層面實現(xiàn)致密化——這意味著更多的基站——還需要...
碳化硅更高的開關(guān)頻率和更低的固有損耗提高了系統(tǒng)效率。在雙向板載充電器中,SiC 支持使用圖騰柱 PFC 拓撲,與基于 Si 的器件相比,該拓撲結(jié)構(gòu)非常高...
碳化硅 (SiC) 是一種成熟的器件技術(shù),在 900 V 至 1,200 V 以上的高壓、高開關(guān)頻率應(yīng)用中,與硅 (Si) 技術(shù)(包括硅超結(jié) (SJ) ...
碳化硅功率器件已應(yīng)用于電動汽車內(nèi)部的關(guān)鍵電力系統(tǒng),包括牽引逆變器、車載充電器(OBC)和DC-DC轉(zhuǎn)換器。
2023-05-24 標(biāo)簽:新能源汽車逆變器DC-DC轉(zhuǎn)換器 1.1k 0
理想比導(dǎo)通電阻的一個關(guān)系式,其中WD是滿足所需擊穿電壓BV的漂移區(qū)的厚度,q是電子電荷,ND是漂移區(qū)的摻雜濃度,μn是電子遷移率,εn是半導(dǎo)體介電常數(shù),...
借助SpeedFit設(shè)計仿真軟件 縮短比較分析的時間
相較于基于硅(Si)或絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)之類的傳統(tǒng)技術(shù),碳化硅(SiC)元件擁有明顯的優(yōu)點,因此很多應(yīng)用都能從運用 SiC 器件中獲益。
使用SpeedFit 2.0設(shè)計模擬器快速啟動基于碳化硅的設(shè)計
了解電源中碳化硅 (SiC) MOSFET 和肖特基二極管的在線行為是設(shè)計過程中的關(guān)鍵組件。與硅基技術(shù)相比,作為一項相對較新的技術(shù),可視化這些碳化硅組件...
使用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)無底板封裝的碳化硅技術(shù)實現(xiàn)系統(tǒng)升級
本文探討了全新的 Wolfspeed WolfPACK 系列無碳化硅無基板功率模塊,并展示了這種多功能且可擴展的模塊方法如何實現(xiàn)當(dāng)前硅 (Si) 設(shè)計的...
SiC器件市場涵蓋廣泛的功率和應(yīng)用(電動汽車充電,太陽能和風(fēng)能等能量收集,電源逆變器,工業(yè)電源,數(shù)據(jù)中心)。在低端 (1–50 kW),分立式 MOSF...
中等功率應(yīng)用是Wolfspeed WolfPACK功率模塊“最理想的應(yīng)用場合”
經(jīng)過 30 多年的碳化硅(SiC)研發(fā),我們目前的產(chǎn)品組合中包含各種 SiC 肖特基二極管、MOSFET 和功率模塊,涵蓋了廣泛的功率要求。相較于硅(S...
2023-05-20 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器晶體管碳化硅 2.4k 0
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