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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。
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眾所周知，對(duì)于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來(lái)說(shuō)，高質(zhì)量的襯底可以從外部購(gòu)買(mǎi)得到，高質(zhì)量的外延片也可以從外部購(gòu)買(mǎi)到，可是這只是具備了獲得一個(gè)...
在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，碳化硅與氮化鎵無(wú)疑是當(dāng)前最炙手可熱的明星。其中，碳化硅擁有高壓、高頻和高效率等特性，其耐高頻耐高溫的性能，是同等硅器件耐壓的10倍。
電力電子器件(Power Electronic Device)是指可直接用于處理電能的主電路中，實(shí)現(xiàn)電能的變換或控制的電子器件。廣義上電力電子器件可分為...
2023-04-04 標(biāo)簽：電力電子器件驅(qū)動(dòng)電路SiC 1.1萬(wàn) 0
用于碳化硅的Aehr測(cè)試系統(tǒng)的技術(shù)差距
Advantes和 Teradyne最知名的是自動(dòng)化測(cè)試設(shè)備。許多其他事情中，ATE工具取出探針卡，將它們與晶圓上的芯片完美對(duì)齊，并與晶圓上的電路進(jìn)行物...
2023-04-04 標(biāo)簽：SiCGaN半導(dǎo)體制造 2.1k 0
碳化硅MOSFET在汽車(chē)動(dòng)力逆變器中的優(yōu)勢(shì)有哪些呢？
新型電子研發(fā)組件在不斷發(fā)展，也隨之而來(lái)的是取得的成果。公司不斷嘗試開(kāi)發(fā)越來(lái)越多的性能設(shè)備，特點(diǎn)是更高的效率和更好的電氣特性。
2023-04-01 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器MOSFET逆變器 3.9k 0
銀燒結(jié)技術(shù)在功率模塊封裝的應(yīng)用
作為高可靠性芯片連接技術(shù)，銀燒結(jié)技術(shù)得到了功率模塊廠商的廣泛重視，一些功率半導(dǎo)體頭部公司相繼推出類(lèi)似技術(shù)，已在功率模塊的封裝中取得了應(yīng)用。
國(guó)內(nèi)企業(yè)逐步切入，國(guó)產(chǎn)碳化硅器件存在突圍機(jī)會(huì)
在車(chē)載充電器領(lǐng)域，碳化硅MOSFET的滲透率已很高。電機(jī)控制器將是近幾年碳化硅MOSFET要更高速發(fā)展的關(guān)鍵因素。
特斯拉車(chē)型采用CTC技術(shù)后，續(xù)航里程得到大幅提升、每千瓦時(shí)電池生產(chǎn)成本和資本投入也實(shí)現(xiàn)有效降低。
2023-03-31 標(biāo)簽：動(dòng)力電池逆變器特斯拉 4.3k 0
交通應(yīng)用中電氣化的趨勢(shì)導(dǎo)致了高功率密度電力電子轉(zhuǎn)換器的快速發(fā)展。高開(kāi)關(guān)頻率和高溫操作是實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的兩個(gè)關(guān)鍵因素。
2023-03-30 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 2.1k 0
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）作為一種新型功率半導(dǎo)體器件，是國(guó)際上公認(rèn)的電力電子技術(shù)第三次革命最具代表性...
2023-03-30 標(biāo)簽：IGBT特斯拉半導(dǎo)體器件 2.7k 0
新能源電驅(qū)動(dòng)核心的技術(shù)有哪些？
另外相比IGBT，碳化硅更耐高壓的優(yōu)勢(shì)（千伏以上），更適用于后續(xù)更多新能源車(chē)型將要搭載的800v電氣架構(gòu)，不止用在主逆變器上，還可以應(yīng)用到高壓充電樁、高...
電子器件的使用環(huán)境逐漸惡劣，航空航天、石油探測(cè)領(lǐng)域前景廣闊，在熱導(dǎo)率、擊穿場(chǎng)等上的要求更高，那么以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為主的第三代半導(dǎo)體材...
IGBT、MCU、以及SIC會(huì)是接下來(lái)新能源汽車(chē)智能化比較長(zhǎng)期的需求點(diǎn)，根據(jù)特斯拉Model3的車(chē)型用量來(lái)看，單車(chē)使用IGBT是84顆，或者48顆Sic...
碳化硅襯底市場(chǎng)群雄逐鹿 碳化硅襯底制備環(huán)節(jié)流程
全球碳化硅產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)明顯的行業(yè)上下游收購(gòu)兼并、大廠積極布局的特征。襯底作為碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中的核心環(huán)節(jié)，已成為兵家必爭(zhēng)之地。
2023-03-23 標(biāo)簽：晶體碳化硅第三代半導(dǎo)體 2.7k 0
碳化硅規(guī)?；瘧?yīng)用的技術(shù)難點(diǎn)
碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈主要包括襯底、外延、器件設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)等環(huán)節(jié)。上游是襯底和外延、中游是器件和模塊制造，下游是終端應(yīng)用。
GaN：由鎵（原子序數(shù) 31） 和氮（原子序數(shù) 7） 結(jié)合而來(lái)的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。
2023-03-22 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 8.1k 0
雖然將典型 400 V 電池的電壓加倍可為 EV 帶來(lái)巨大好處，但對(duì)于依賴硅 (Si) MOSFET 和 IGBT 的 EV 逆變器來(lái)說(shuō)，在更高電壓下的...
2023-03-16 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)逆變器IGBT 1.5k 0
在特斯拉投資者大會(huì)上，特斯拉表示下一代汽車(chē)平臺(tái)的動(dòng)力總成中將減少75%的碳化硅使用。
2023-03-14 標(biāo)簽：微控制器電動(dòng)汽車(chē)SiC 2.8k 0
顯然特斯拉用的是意法半導(dǎo)體2018年的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品，第四代產(chǎn)品目前還沒(méi)有推出。溝槽型是發(fā)展方向，但意法半導(dǎo)體要到2025年才開(kāi)始推出。
戰(zhàn)爭(zhēng)在戰(zhàn)壕中決出勝負(fù)，而溝槽就是我們的前線戰(zhàn)壕。也就是說(shuō)，前線奮戰(zhàn)人員憑借他們的集體合作和努力決定最終的勝利。作為電源管理應(yīng)用的設(shè)計(jì)工程師，本文的讀者就...
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