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標(biāo)簽 > 碳化硅

碳化硅

碳化硅

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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

SiC模塊開啟電機(jī)驅(qū)動(dòng)器更高功率密度

SiC模塊開啟電機(jī)驅(qū)動(dòng)器更高功率密度

牽引驅(qū)動(dòng)器是電動(dòng)汽車(EV)幾乎所有能量的消耗源。因此,驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)必須盡可能提高效率,同時(shí)以最低重量占用最小空間 — 這些均旨在盡可能提高電動(dòng)汽車的續(xù)航能力。

2023-05-19 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)器IGBT 1.7k 0

SiC賦能更為智能的半導(dǎo)體制造/工藝電源

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半導(dǎo)體器件的制造流程包含數(shù)個(gè)截然不同的精密步驟。無論是前道工藝還是后道工藝,半導(dǎo)體制造設(shè)備的電源都非常重要。

2023-05-19 標(biāo)簽:功率轉(zhuǎn)換器SiC半導(dǎo)體器件 1.5k 0

碳化硅將綠色替代品帶入良性循環(huán)

太陽能架構(gòu)通常分為三種配置。在住宅層面,微型逆變器支持1-4個(gè)面板塊。組串式逆變器將面板集群從幾千瓦聚合到大約 50 kW。從 50 kW 到 200 ...

2023-05-19 標(biāo)簽:太陽能逆變器碳化硅 1.3k 0

企業(yè)數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施中碳化硅的使用使氣候和商業(yè)受益

碳化硅是一種復(fù)雜的材料,需要太陽溫度一半的受控環(huán)境和高度專業(yè)化的晶體結(jié)構(gòu)。它是人類已知的第二硬材料,在200+種可能的晶體形成中,只有一種可以用來制造半...

2023-05-19 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體碳化硅 914 0

Wolfspeed不斷發(fā)展以應(yīng)對(duì)供應(yīng)挑戰(zhàn)并推出高性能Gen 3+芯片

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碳化硅(SiC)長期以來一直被稱為功率器件的理想半導(dǎo)體技術(shù),通過設(shè)計(jì)和制造創(chuàng)新,通過提供更高的功率密度,更好的高速開關(guān)性能,更高的擊穿場,更高的導(dǎo)熱性,...

2023-05-19 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車晶圓碳化硅 2.1k 0

除了氮化鎵,快充技術(shù)還須關(guān)注哪些領(lǐng)域

氮化鎵 (GaN) 或碳化硅 (SiC) 器件也被成為第三代半導(dǎo)體,其禁帶寬度約是硅器件的3倍,擊穿場強(qiáng)約是硅器件的10倍,因而具有更高的耐壓能力以及更...

2023-05-19 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 1.4k 0

MOS_DS電壓尖峰產(chǎn)生的原因

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SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體具有擊穿電場高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢,在各種各樣的電源應(yīng)用范圍在迅速地?cái)U(kuò)大。

2023-05-19 標(biāo)簽:MOSFETMOS管SiC 8k 0

連續(xù)纖維增強(qiáng)陶瓷基復(fù)合材料研究與應(yīng)用進(jìn)展

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連續(xù)纖維增強(qiáng)陶瓷基復(fù)合材料(以下簡稱陶瓷基復(fù)合材料)發(fā)明于20世紀(jì)70年代,歷經(jīng)近40年的發(fā)展,陶瓷基復(fù)合材料已成為戰(zhàn)略性尖端材料,許多國外機(jī)構(gòu)已具備了...

2023-05-18 標(biāo)簽:纖維SiC復(fù)合材料 5.4k 0

碳化硅肖特基二極管B2D60120H1性能優(yōu)勢

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碳化硅的RDS(ON)較低,因而開關(guān)損耗也較低,通常比硅低100倍?;谔蓟璧男ぬ鼗O管具有更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性,可以在電...

2023-05-18 標(biāo)簽:電源模塊肖特基二極管充電樁 989 0

基本半導(dǎo)體BGH75N120HF1在高頻DC-DC電源轉(zhuǎn)換器的優(yōu)勢

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混合碳化硅分立器件BGH75N120HF1是將傳統(tǒng)的硅基IGBT和碳化硅肖特基二極管合封,在部分應(yīng)用中可以替代傳統(tǒng)的IGBT(硅基IGBT與硅基快恢復(fù)二...

2023-05-18 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器分立器件碳化硅 907 0

SiC MOSFET的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)——如何平衡性能與可靠性

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碳化硅(SiC)的性能潛力是毋庸置疑的,但設(shè)計(jì)者必須掌握一個(gè)關(guān)鍵的挑戰(zhàn):確定哪種設(shè)計(jì)方法能夠在其應(yīng)用中取得最大的成功。

2023-05-18 標(biāo)簽:電阻MOSFET晶體管 632 0

SiC碳化硅單晶的生長原理

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碳化硅單晶襯底材料(Silicon Carbide Single Crystal Substrate Materials,以下簡稱SiC襯底)也是晶體材...

2023-05-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體射頻單晶 4.5k 0

激光與碳化硅相互作用的機(jī)理及應(yīng)用

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本文介紹了激光在碳化硅(SiC)半導(dǎo)體晶圓制程中的應(yīng)用,概括講述了激光與碳化硅相互作用的機(jī)理,并重點(diǎn)對(duì)碳化硅晶圓激光標(biāo)記、背金激光表切去除、晶粒隱切分片...

2023-05-17 標(biāo)簽:半導(dǎo)體激光晶圓 3.7k 0

薩科微光耦SL3063應(yīng)用解決方案

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光耦的主要作用是電氣絕緣和信號(hào)隔離,優(yōu)點(diǎn)是其輸入端與輸出端完全實(shí)現(xiàn)了電氣隔離,抗干擾能力強(qiáng),使用壽命長,傳輸效率高。

2023-05-17 標(biāo)簽:光耦功率器件碳化硅 1.2k 0

聚焦器件可靠性、柵極驅(qū)動(dòng)器創(chuàng)新和總體系統(tǒng)解決方案

聚焦器件可靠性、柵極驅(qū)動(dòng)器創(chuàng)新和總體系統(tǒng)解決方案

碳化硅 (SiC) 技術(shù)能在大幅提高當(dāng)前電力系統(tǒng)效率的同時(shí)降低其尺寸、重量和成本,因此市場需求不斷攀升。但是SiC 解決方案并不是硅基解決方案的直接替代...

2023-05-17 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器SiC碳化硅 802 0

激光器芯片封裝熱沉的選擇

半導(dǎo)體激光器又稱激光二極管,是用半導(dǎo)體材料作為工作物質(zhì)的激光器。具有體積小、壽命長,電光轉(zhuǎn)化效率高、穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)

2023-05-16 標(biāo)簽:半導(dǎo)體激光器激光二極管 6.1k 0

半導(dǎo)體制造裝置之SiC涂層石墨基座介紹

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SiC涂層的制備方法主要有凝膠-溶膠法、包埋法、刷涂法、等離子噴涂法、化學(xué)氣相反應(yīng)法(CVR)和化學(xué)氣相沉積法(CVD)。

2023-05-11 標(biāo)簽:SiCGaN碳化硅 6.1k 0

碳化硅功率器件及應(yīng)用

碳化硅功率器件及應(yīng)用

碳化硅(SiC)半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料(Si、Ge)和第二代化合物半導(dǎo)體材料(GaAs、GaP、InP等)之后發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體材料。作...

2023-05-10 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件SiC 3k 0

簡述碳化硅襯底類型及應(yīng)用

簡述碳化硅襯底類型及應(yīng)用

碳化硅襯底 產(chǎn)業(yè)鏈核心材料,制備難度大碳化硅襯底制備環(huán)節(jié)主要包括原料合成、碳化硅晶體生長、晶錠加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片拋光、拋光片清洗等環(huán)節(jié)。

2023-05-09 標(biāo)簽:SiC碳化硅 6.9k 0

什么是寬禁帶半導(dǎo)體?

什么是寬禁帶半導(dǎo)體?

半導(dǎo)體迄今為止共經(jīng)歷了三個(gè)發(fā)展階段:第一代半導(dǎo)體以硅(Si)、鍺(Ge)為代表;第二代半導(dǎo)體以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等化合物為代表;第三代...

2023-05-05 標(biāo)簽:SiC氮化鎵GaN 1.2萬 0

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模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
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