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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。
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眾所周知單晶材料是SiC功率半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)，依據(jù)器件的使用，還會(huì)要求SiC單晶片要有高的表面質(zhì)量
Wolfspeed在碳化硅功率模塊中應(yīng)對(duì)功率循環(huán)挑戰(zhàn)的方法
碳化硅 (SiC) 功率器件在汽車、可再生能源、工業(yè)電動(dòng)交通和航空航天市場(chǎng)的快速應(yīng)用，重新定義了系統(tǒng)要求。傳統(tǒng)的認(rèn)證已不再足夠?？蛻衄F(xiàn)在要求耐久性，確保...
2026-01-08 標(biāo)簽：功率模塊功率半導(dǎo)體碳化硅 8.6k 0
在電動(dòng)汽車的逆變器中采用碳化硅 (SiC) 的理由非常充分。在取代傳統(tǒng)的硅基逆變器時(shí)，SiC 解決方案將帶來(lái)約 5-10% 的效率提升。
2023-07-11 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車MOSFET逆變器 8.5k 0
硅是最常見的半導(dǎo)體材料，它具有穩(wěn)定性好、成本低、加工工藝成熟等優(yōu)點(diǎn)。硅材料可以制成單晶硅、多晶硅、非晶硅等形式，其中單晶硅在制造集成電路方面應(yīng)用最廣泛。...
采用碳化硅和氮化鎵材料器件的應(yīng)用及優(yōu)勢(shì)介紹
1.1 碳化硅和氮化鎵器件的介紹, 應(yīng)用及優(yōu)勢(shì)
GaN：由鎵（原子序數(shù) 31） 和氮（原子序數(shù) 7） 結(jié)合而來(lái)的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。
2023-03-22 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 8.1k 0
晶片切割是半導(dǎo)體器件制造的關(guān)鍵步驟，切割方式和質(zhì)量直接影響晶片的厚度、表面光滑度、尺寸和生產(chǎn)成本，同時(shí)對(duì)器件制造也有重大影響。碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料...
2024-01-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶片激光切割技術(shù) 8k 0
SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體具有擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)，在各種各樣的電源應(yīng)用范圍在迅速地?cái)U(kuò)大。
近年來(lái)，以碳化硅、氮化鎵材料為代表的第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體器件越來(lái)越受到客戶的追捧。特別是碳化硅材料的MOSFET、肖特基二極管，以其寬帶隙，高電場(chǎng)強(qiáng)度...
氮化鎵晶體管的結(jié)構(gòu)及優(yōu)缺點(diǎn)
氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET是近兩三年來(lái)新興的功率半導(dǎo)體，相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導(dǎo)體，他們都具有許多非常優(yōu)異的特性：耐壓高，導(dǎo)通電阻小，寄生參...
SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu)
碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料的代表性材料，下圖1展示了SiC的材料優(yōu)勢(shì)，相較于 Si，SiC 具有更高的禁帶寬度，使 SiC 器件的工作溫度可達(dá)...
碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）應(yīng)用差異在哪里？
SiC 和 GaN 被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)。由于使用的生產(chǎn)工藝，WBG 設(shè)備顯示出以下優(yōu)點(diǎn)：
邁來(lái)芯硅基RC緩沖器助力碳化硅功率模塊設(shè)計(jì)
現(xiàn)代電動(dòng)汽車和工業(yè)電力系統(tǒng)的蓬勃發(fā)展，源于對(duì)極致效率的不懈追求。為實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，功率組件，特別是像碳化硅（SiC）這類寬帶隙技術(shù)，必須以前所未有的速度進(jìn)...
碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。
電機(jī)碳化硅技術(shù)是一種利用碳化硅材料制作電機(jī)的技術(shù)，它是利用碳化硅材料的特性，如高熱導(dǎo)率、高電阻率、低摩擦系數(shù)等，來(lái)提高電機(jī)的效率、耐久性和可靠性，從...
探討碳化硅在電動(dòng)汽車領(lǐng)域的應(yīng)用
隨著電動(dòng)汽車、智能電網(wǎng)、核電、太陽(yáng)能、風(fēng)能等能源領(lǐng)域以及航海、航空、航天、高速軌道交通等技術(shù)的不斷發(fā)展，對(duì)功率器件的性能提出了更高的要求。
2018-10-15 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車碳化硅 7.8k 0
碳化硅作為一種重要的結(jié)構(gòu)陶瓷材料，憑借其優(yōu)異的高溫力學(xué)強(qiáng)度、高硬度、高彈性模量、高耐磨性、高導(dǎo)熱性、耐腐蝕性等性能，不僅應(yīng)用于高溫窯具、燃燒噴嘴、熱交換...
碳化硅的用途有哪些？碳化硅在高溫下能與氧發(fā)生反應(yīng)嗎？
作為金屬脫氧劑，碳化硅脫氧劑是一種新型的強(qiáng)復(fù)合脫氧劑，取代了傳統(tǒng)的硅粉碳粉進(jìn)行脫氧，各項(xiàng)理化性能穩(wěn)定，脫氧效果好，時(shí)間縮短，提高煉鋼效率，提高鋼的質(zhì)量，...
碳化硅在電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的應(yīng)用
今天碳化硅器件已經(jīng)在多種應(yīng)用中取得商業(yè)的成功。碳化硅MOSFET已被證明是硅IGBT在太陽(yáng)能、儲(chǔ)能系統(tǒng)、電動(dòng)汽車充電器和電動(dòng)汽車等領(lǐng)域的商業(yè)可行替代品。
介紹碳化硅產(chǎn)品的應(yīng)用方向和生產(chǎn)過(guò)程
相比硅基功率半導(dǎo)體，碳化硅功率半導(dǎo)體在開關(guān)頻率、損耗、散熱、小型化等方面存在優(yōu)勢(shì)，隨著特斯拉大規(guī)模量產(chǎn)碳化硅逆變器之后，更多的企業(yè)也開始落地碳化硅產(chǎn)品。
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