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      標(biāo)簽　>　碳化硅

      碳化硅

      碳化硅

      +關(guān)注26人關(guān)注

      金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

      文章：3008個 瀏覽：52721次 帖子：39個

      碳化硅資訊

      基于SiC碳化硅的雙向儲能變流器PCS設(shè)計

      隨著雙向儲能變流器(PCS)朝著高電壓、高效率的趨勢發(fā)展,SiC器件在雙向PCS中開始應(yīng)用。SiC的PCS主電路拓?fù)洳捎每梢杂行Ы档筒⒕W(wǎng)電流諧波的T型三...

      2025-01-06 標(biāo)簽：SiCPCS碳化硅 2.1k 0

      提高能源效率的碳化硅半導(dǎo)體

      提高能源效率的碳化硅半導(dǎo)體

      能源效率不斷需要進(jìn)一步優(yōu)化：這促使工業(yè)市場尋求不同的資源。 現(xiàn)在的半導(dǎo)體主要用硅和鍺生產(chǎn)。碳化硅 (SiC)已成為處理新型寬帶隙時最重要的資源，這要歸功...

      2022-08-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體能源效率碳化硅 2.1k 0

      高純碳化硅粉體合成方法

      ? 本文介紹了半導(dǎo)體材料碳化硅的性能、碳化硅單晶生長以及高純碳化硅粉體的合成方式。 在科技飛速發(fā)展的今天，半導(dǎo)體材料領(lǐng)域正經(jīng)歷著一場深刻的變革。第三代寬...

      2024-12-17 標(biāo)簽：SiC碳化硅 2.1k 0

      意法半導(dǎo)體推出第三代碳化硅產(chǎn)品，推動電動汽車和工業(yè)應(yīng)用未來發(fā)展

      意法半導(dǎo)體推出第三代碳化硅產(chǎn)品，推動電動汽車和工業(yè)應(yīng)用未來發(fā)展

      作為 SiC 功率 MOSFET市場的領(lǐng)導(dǎo)者，意法半導(dǎo)體整合先進(jìn)的設(shè)計技術(shù)，進(jìn)一步挖掘 SiC的節(jié)能潛力，繼續(xù)推動電動汽車和工業(yè)市場變革。

      2021-12-10 標(biāo)簽：電動汽車MOSFET意法半導(dǎo)體 2.1k 0

      英飛凌推出62mm CoolSiC?模塊，為碳化硅開辟新應(yīng)用領(lǐng)域

      該62mm模塊配備了英飛凌的CoolSiC MOSFET芯片，可實現(xiàn)極高的電流密度。其極低的開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗可以最大限度地減少冷卻器件的尺寸。

      2020-07-14 標(biāo)簽：英飛凌柵極電阻碳化硅 2.1k 0

      Nexperia斥資2億美元,布局未來寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

      在全球電氣化和數(shù)字化浪潮不斷加速的今天，半導(dǎo)體技術(shù)作為其核心驅(qū)動力，正迎來前所未有的發(fā)展機遇。近日，全球知名半導(dǎo)體制造商Nexperia（安世半導(dǎo)體）宣...

      2024-06-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 2.1k 0

      模塊化碳化硅（SiC）器件評估的深入分析

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      碳化硅(SiC)的高性能能力正在改變功率電子領(lǐng)域的格局，帶來了諸如卓越的效率、增加的功率密度和提升的熱性能等好處。值得注意的是，汽車應(yīng)用正從SiC技術(shù)中...

      2024-05-06 標(biāo)簽：SiC模塊化碳化硅 2.1k 0

      碳化硅（SiC）MOSFET并聯(lián)應(yīng)用均流控制技術(shù)的綜述

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      碳化硅（SiC）MOSFET并聯(lián)應(yīng)用均流控制技術(shù)的綜述，傾佳電子楊茜綜合了當(dāng)前研究進(jìn)展與關(guān)鍵技術(shù)方向。

      2025-02-05 標(biāo)簽：MOSFETSiC碳化硅 2.1k 0

      關(guān)于先進(jìn)碳化硅（Sic）功率半導(dǎo)體封裝工藝技術(shù)的詳解；

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      【博主簡介】本人“ 愛在七夕時 ”，系一名半導(dǎo)體行業(yè)質(zhì)量管理從業(yè)者，旨在業(yè)余時間不定期的分享半導(dǎo)體行業(yè)中的：產(chǎn)品質(zhì)量、失效分析、可靠性分析和產(chǎn)品基礎(chǔ)應(yīng)用...

      2025-11-20 標(biāo)簽：封裝SiC碳化硅 2.1k 0

      全球SiC晶圓市場預(yù)計2030年達(dá)21億美元！市場+技術(shù)趨勢深度分析

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      高溫、高頻和高功率應(yīng)用需求：碳化硅在高溫、高頻和高功率電子器件中表現(xiàn)出色，因此受到這些應(yīng)用領(lǐng)域的廣泛關(guān)注，如電力電子、電動汽車、無線通信和軍事領(lǐng)域。需求...

      2023-11-24 標(biāo)簽：晶圓SiC碳化硅 2.1k 0

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      單晶生長，以高純硅粉和高純碳粉作為原材料形成碳化硅晶體；2）襯底環(huán)節(jié)，碳化硅晶體經(jīng)過切割、研磨、拋光、清洗等工序加工形成單晶薄片，也即半導(dǎo)體襯底材料；

      2023-12-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件碳化硅 2.1k 0

      Nexperia發(fā)布新款1200V碳化硅MOSFET

      Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布，公司推出了業(yè)界領(lǐng)先的1200V碳化硅（SiC）MOSFET，標(biāo)志著其在高功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的又一重要突破。

      2024-05-23 標(biāo)簽：MOSFET碳化硅Nexperia 2.1k 0

      安世半導(dǎo)體推出其首款碳化硅(SiC)MOSFET

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      第三代半導(dǎo)體的發(fā)展機遇與挑戰(zhàn)

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      2023-12-26 標(biāo)簽：MOSFET碳化硅半導(dǎo)體市場 2.1k 0

      國內(nèi)打造SiC大煉鋼廠，2024挑戰(zhàn)全球總供給量一半市占？

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      國內(nèi)2023年第三代半導(dǎo)體迎來歷史性大突破，碳化硅（SiC）長晶、芯片材料自制領(lǐng)域，受到國際IDM大廠的肯定，這促使國內(nèi)廠大幅加碼擴產(chǎn)。

      2024-02-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓SiC 2.1k 0

      汽車電氣化的八大難點如何解決

      在全球范圍內(nèi)，無論是幫助汽車制造商減輕內(nèi)燃機負(fù)擔(dān)，抑或是過渡到全電動汽車，我們都需共同努力，重新構(gòu)想汽車業(yè)愿景并減少排放。電氣化已被證明是減少排放的較適...

      2022-01-14 標(biāo)簽：碳化硅汽車 2k 0

      碳化硅推動電源應(yīng)用創(chuàng)新

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      在過去的四年里，由于采用了更好的設(shè)計和制造工藝，以及高質(zhì)量材料的可用性，基于硅技術(shù)的功率器件取得了重大進(jìn)展。然而，大多數(shù)商用功率器件現(xiàn)在正接近硅提供的理...

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      探索碳化硅如何改變能源系統(tǒng)

      作者：Michael Williams, Shawn Luke 碳化硅 (SiC) 已成為各行各業(yè)提高效率和推動脫碳的基石。碳化硅是高級電力系統(tǒng)的推動劑...

      2025-10-02 標(biāo)簽：能源系統(tǒng)SiC碳化硅 2k 0

      安森美推出最新一代碳化硅技術(shù)平臺EliteSiCM3e MOSFET

      面對不斷升級的氣候危機和急劇增長的全球能源需求，世界各地的政府和企業(yè)都在為宏大的氣候目標(biāo)而攜手努力，致力于減輕環(huán)境影響，實現(xiàn)可持續(xù)未來。其中的關(guān)鍵在于推...

      2024-07-19 標(biāo)簽：MOSFET安森美功率半導(dǎo)體 2k 0

      安森美推出新款碳化硅芯片，助力AI數(shù)據(jù)中心節(jié)能

      全球半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)軍企業(yè)安森美（Onsemi）近日宣布，推出了一系列創(chuàng)新的碳化硅（SiC）芯片。這些新型芯片的設(shè)計初衷，是借鑒其在電動汽車領(lǐng)域已經(jīng)成熟的技...

      2024-06-11 標(biāo)簽：安森美數(shù)據(jù)中心碳化硅 2k 0

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