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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。

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碳化硅資訊

碳化硅為電力電子技術(shù)帶來(lái)了重大改進(jìn)

寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體技術(shù)的廣泛采用在電力電子行業(yè)中持續(xù)增長(zhǎng)。與傳統(tǒng)硅技術(shù)相比，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體材料顯示出優(yōu)異的性能...

2022-08-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電力電子技術(shù)碳化硅 897 0

有關(guān)電力應(yīng)用中碳化硅的知識(shí)

以下是有關(guān)用于電源應(yīng)用的碳化硅 (SiC) 的 10 個(gè)事實(shí)，包括 SiC 如何實(shí)現(xiàn)比硅更好的熱管理。

2022-08-17 標(biāo)簽：MOSFET 電力 SiC 2.9k 0

碳化硅助力電動(dòng)汽車應(yīng)用

關(guān)于硅基 IGBT，碳化硅 MOSFET 在此應(yīng)用中也提供更好的性能：效率提高 2% 以上，功率密度增加 33%，系統(tǒng)成本更低，組件更少。

2022-08-09 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車充電器碳化硅 1.3k 0

碳化硅功率器件面臨的挑戰(zhàn)

碳化硅（SiC）器件與高功率應(yīng)用中常用的硅器件相比具有多項(xiàng)優(yōu)勢(shì)。SiC 功率器件仍然面臨一些大規(guī)模生產(chǎn)的挑戰(zhàn)，包括縮放的限制因素、與 SiC 器件較...

2022-08-09 標(biāo)簽：功率器件碳化硅 sic器件 2.8k 0

寬帶材料支持下一代電源策略

在當(dāng)今的電力電子產(chǎn)品中，質(zhì)量和可靠性是既定的，設(shè)計(jì)重點(diǎn)是最大限度地提高效率和功率密度，同時(shí)最大限度地降低成本。工作頻率的急劇增加挑戰(zhàn)了當(dāng)前的設(shè)計(jì)實(shí)踐，以...

2022-08-09 標(biāo)簽：電源氮化鎵碳化硅 738 0

碳化硅MOSFET為電力系統(tǒng)帶來(lái)顛覆性突破

電力電子行業(yè)在 80 年代初期向前邁出了一大步，當(dāng)時(shí)絕緣柵雙極晶體管（IGBT）技術(shù)的引入使創(chuàng)新型電源轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)成為可能，從而以更低的成本實(shí)現(xiàn)更高...

2022-08-09 標(biāo)簽：MOSFET 碳化硅 1.6k 0

使用碳化硅提高工業(yè)應(yīng)用的能效

服務(wù)器電源、不間斷電源 (UPS) 和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等工業(yè)應(yīng)用消耗了全球很大一部分電力。因此，工業(yè)電源效率的任何提高都將大大降低公司的運(yùn)營(yíng)成本。結(jié)合更高的功...

2022-08-08 標(biāo)簽：SiC 碳化硅 750 0

碳化硅瞄準(zhǔn)新型電力電子產(chǎn)業(yè)

碳化硅技術(shù)有望為更智能的電源設(shè)計(jì)提供更高的效率、更小的外形尺寸、更低的成本和更低的冷卻要求。寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體技術(shù)在電力電子行業(yè)中的廣泛采用持...

2022-08-08 標(biāo)簽：電力電子 SiC 碳化硅 742 0

數(shù)據(jù)中心用碳化硅半導(dǎo)體

在數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施對(duì)以盡可能低的成本提供高效、可靠電力的要求的推動(dòng)下，不間斷電源 (UPS) 市場(chǎng)預(yù)計(jì)將在未來(lái)幾年顯著增長(zhǎng)。隨著全球經(jīng)濟(jì)朝著更加數(shù)字化的...

2022-08-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體數(shù)據(jù)中心 SiC 1.4k 0

開關(guān)Rds(on)如何隨溫度變化

直接比較為半導(dǎo)體技術(shù)提供的總體性能數(shù)據(jù)有時(shí)會(huì)產(chǎn)生誤導(dǎo)。在溫度等動(dòng)態(tài)條件下，Rds(on) 等參數(shù)的可變性表明情況更為復(fù)雜。

2022-08-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體碳化硅 RDS 3.5k 0

碳化硅和氮化鎵的區(qū)別

經(jīng)典電力電子設(shè)備中使用的所有類型的器件都可以使用 WBG 器件制造。此外，經(jīng)典的硅器件在許多應(yīng)用領(lǐng)域已經(jīng)達(dá)到了極限。鑒于這些前提，很明顯 WBG 技術(shù)是...

2022-08-08 標(biāo)簽：氮化鎵 GaN 碳化硅 2.2萬(wàn) 0

碳化硅在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用挑戰(zhàn)

碳化硅是一種非常高效的材料，具有高功率和高溫特性。碳化硅 (SiC) 半導(dǎo)體是提高系統(tǒng)效率、支持更高工作溫度和降低電力電子設(shè)計(jì)成本的創(chuàng)新選擇。碳化硅是...

2022-08-08 標(biāo)簽：電力電子 GaN 碳化硅 2.9k 0

汽車應(yīng)用中的寬帶隙材料

寬帶隙半導(dǎo)體 (WBG)，例如碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)，與硅相比具有更出色的性能：更高的效率和開關(guān)頻率、更高的工作溫度和工作電壓。EV ...

2022-08-08 標(biāo)簽：SiC GaN 碳化硅 1.6k 0

可靠性、創(chuàng)新、整體解決方案……碳化硅的新高度

對(duì)碳化硅 (SiC) 技術(shù)的需求持續(xù)增長(zhǎng)，該技術(shù)可最大限度地提高當(dāng)今電力系統(tǒng)的效率，同時(shí)減小其尺寸、重量和成本。但是 SiC 解決方案并不是硅的直接替代...

2022-08-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 1.2k 0

碳化硅 (SiC) FET 推動(dòng)電力電子技術(shù)發(fā)展

甲碳化硅（SiC） JFET是一結(jié)基于常導(dǎo)通晶體管類型，它提供了最低的導(dǎo)通電阻R DS（ON）的每單位面積和是一個(gè)強(qiáng)大的設(shè)備。與傳統(tǒng) MOSFET 器件...

2022-08-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電力電子 FET 1.8k 0

從瓦特到兆瓦：碳化硅的優(yōu)勢(shì)及性能

設(shè)計(jì)人員當(dāng)然對(duì)碳化硅感興趣，因?yàn)樗哂袧摿?。這種潛力包括：在不損失效率的情況下實(shí)現(xiàn)高頻開關(guān)——這意味著更快的開關(guān)和更低的開關(guān)損耗。導(dǎo)通電阻 (RDS...

2022-08-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 1.8k 0

碳化硅肖特基二極管的設(shè)計(jì)與優(yōu)化

碳化硅（SiC）因其固有的寬帶隙和高導(dǎo)熱性材料特性而廣泛用于中高壓功率半導(dǎo)體器件制造。

2022-08-05 標(biāo)簽：晶圓肖特基二極管碳化硅 1.4k 0

碳化硅如何實(shí)現(xiàn)更高效的分布式太陽(yáng)能發(fā)電

該報(bào)告還強(qiáng)調(diào)了分布式光伏發(fā)電系統(tǒng)的重要性，因?yàn)橄M(fèi)者、商業(yè)建筑和工業(yè)設(shè)施開始自行發(fā)電。它預(yù)測(cè)，到 2024 年，分布式光伏總發(fā)電量將翻一番以上，超過(guò) 5...

2022-08-05 標(biāo)簽：太陽(yáng)能半導(dǎo)體碳化硅 2.5k 0

提高能源效率的碳化硅半導(dǎo)體

能源效率不斷需要進(jìn)一步優(yōu)化：這促使工業(yè)市場(chǎng)尋求不同的資源。現(xiàn)在的半導(dǎo)體主要用硅和鍺生產(chǎn)。碳化硅 (SiC)已成為處理新型寬帶隙時(shí)最重要的資源，這要?dú)w功...

2022-08-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體能源效率碳化硅 2.1k 0

碳化硅推動(dòng)電源應(yīng)用創(chuàng)新

在過(guò)去的四年里，由于采用了更好的設(shè)計(jì)和制造工藝，以及高質(zhì)量材料的可用性，基于硅技術(shù)的功率器件取得了重大進(jìn)展。然而，大多數(shù)商用功率器件現(xiàn)在正接近硅提供的理...

2022-08-04 標(biāo)簽：電源半導(dǎo)體碳化硅 2k 0

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開源電子原型平臺(tái)。包含硬件（各種型號(hào)的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
28nm

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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FinFET全稱叫鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長(zhǎng)。
20nm

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村田

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村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料，設(shè)計(jì)、制造最先進(jìn)的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機(jī)、家電，汽車相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等，都有村田公司的身影。
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TI是富有遠(yuǎn)見(jiàn)的企業(yè)，我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)覆蓋 35 個(gè)國(guó)家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無(wú)論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過(guò)35個(gè)國(guó)家、服務(wù)全球各地超過(guò)10萬(wàn)家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過(guò)10萬(wàn)種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
羅姆

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提供最新的羅姆公司產(chǎn)品，最活躍的羅姆工程師社區(qū)
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一般情況，IIoT往往有更結(jié)構(gòu)化的連接環(huán)境，因?yàn)榕c典型的IoT應(yīng)用相比，IIoT 系統(tǒng)履行的職責(zé)更事關(guān)重大。響應(yīng)時(shí)間往往是個(gè)問(wèn)題，像健身跟蹤那樣的IoT應(yīng)用通常可以先在本地存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，無(wú)線鏈路可用時(shí)再行處理。
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廣州金升陽(yáng)科技有限公司，成立于1998年7月，是國(guó)內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
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美國(guó)Vicor 是Vicor Corporation旗下品牌，致力于模塊化電源技術(shù)創(chuàng)新，近年來(lái)專注于48V電源解決方案。Vicor帶來(lái)了全新的配電架構(gòu)、零電流開關(guān) （ZCS）及零電壓開關(guān) （ZVS）電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?
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體感控制，在于人們可以很直接地使用肢體動(dòng)作，與周邊的裝置或環(huán)境互動(dòng)，而無(wú)需使用任何復(fù)雜的控制設(shè)備，便可讓人們身歷其境地與內(nèi)容做互動(dòng)。本章詳細(xì)介紹了：體感控制技術(shù)，體溫感應(yīng)控制等內(nèi)容。
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閃存是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位（注意：NOR Flash 為字節(jié)存儲(chǔ)。），區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。
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　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺(tái)Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車駕駛員輔助以及工廠自動(dòng)化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
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Cirrus Logic 1984 年創(chuàng)立于硅谷，是音頻和能源市場(chǎng)上高精度模擬和數(shù)字信號(hào)處理元件的主要供應(yīng)商。Cirrus Logic 擅長(zhǎng)于開發(fā)具備優(yōu)秀功能集成和創(chuàng)新的復(fù)雜芯片設(shè)計(jì)。
柵極驅(qū)動(dòng)器

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　　柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來(lái)自微控制器或其他來(lái)源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí)，使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
研華

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華星光電

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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡(jiǎn)稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊(cè)資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來(lái)單筆投資額最大的工業(yè)項(xiàng)目，也是深圳市政府重點(diǎn)推動(dòng)的項(xiàng)目。
驍龍

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驍龍是Qualcomm Technologies（美國(guó)高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
32位單片機(jī)

32位單片機(jī)

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ARM，其中ARM7，9，10是公開的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國(guó)內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
Cortex-A

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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
Mobileye

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Mobileye在單目視覺(jué)高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺(jué)算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺(jué)融合的車輛探測(cè)、前部碰撞警告（FCW）、車距監(jiān)測(cè) （HMW）、行人探測(cè)、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識(shí)別（TSR）、僅視覺(jué)自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
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CC2541 是一款針對(duì)低能耗以及私有 2.4GHz 應(yīng)用的功率優(yōu)化的真正片載系統(tǒng) （SoC）解決方案。
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STM32F4是由ST（意法半導(dǎo)體）開發(fā)的一種高性能微控制器。其采用了90 納米的NVM 工藝和ART（自適應(yīng)實(shí)時(shí)存儲(chǔ)器加速器，Adaptive Real-Time MemoryAccelerator?）。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測(cè)樣品的在外加激勵(lì)電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號(hào)，通常會(huì)對(duì)探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵(lì)信號(hào)，通過(guò)鎖相放大器對(duì)PFM信號(hào)進(jìn)行提取。
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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。

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