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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅資訊

CoolSiC MOSFET 電機(jī)驅(qū)動(dòng)評(píng)估板

英飛凌科技為電機(jī)控制應(yīng)用開發(fā)了一款評(píng)估板，其中包括一個(gè)三相 SiC 模塊。特別是，它在電力驅(qū)動(dòng)器中使用了 CoolSiC MOSFET 模塊的功率。 C...

2022-07-27 標(biāo)簽：MOSFET 電機(jī)驅(qū)動(dòng)碳化硅 2.4k 0

寬帶隙半導(dǎo)體終結(jié)了硅的主導(dǎo)地位

寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體，例如氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC)，已經(jīng)終結(jié)了硅在電力電子領(lǐng)域的主導(dǎo)地位。自硅問世以來，WBG 半導(dǎo)體被證明是電力...

2022-07-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 FET 碳化硅 2.6k 0

軍用、航空系統(tǒng)從 GaN 和 SiC 功率器件中獲得巨大提升

現(xiàn)在，碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 的寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體材料滿足了軍事和航空航天系統(tǒng)對(duì)更高功率密度和改進(jìn)冷卻的巨大需求，這讓這兩個(gè)行...

2022-07-28 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅軍事應(yīng)用 4.5k 0

令人欽佩的碳化硅接受度

甚至懷疑它的人也改變了主意，因?yàn)樗麄凅@嘆于它的能力、性能和強(qiáng)度。碳化硅 (SiC)，這種化合物一直令半導(dǎo)體設(shè)計(jì)師著迷。隨著對(duì)其技術(shù)的需求不斷增長，該技術(shù)...

2022-07-28 標(biāo)簽：模塊半導(dǎo)體 SiC 1.2k 0

羅姆的創(chuàng)新工廠將增加 SiC 功率器件的產(chǎn)量

羅姆最近在日本筑后市的羅姆阿波羅工廠完成了一座新建筑。該設(shè)施旨在提高碳化硅（SiC）功率器件的生產(chǎn)能力。這座創(chuàng)新建筑采用工廠自動(dòng)化和可再生節(jié)能技術(shù)，從生...

2022-07-26 標(biāo)簽：制造業(yè)功率器件 SiC 1.5k 0

SiC FET封裝選項(xiàng)提高了車載充電器性能

功率轉(zhuǎn)換效率對(duì)于解決電動(dòng)汽車?yán)m(xù)航里程和充電時(shí)間的擔(dān)憂至關(guān)重要。具有直流輸出和大型磁性元件的車載充電器（OBC）可以通過在更高頻率下切換而受益于減小的...

2022-07-25 標(biāo)簽：電動(dòng)車充電器碳化硅 1.3k 0

Soitec 宣布與 KLA 公司拓展合作，提升碳化硅生產(chǎn)良率

? 北京，2022 年 7 月 22 日——作為設(shè)計(jì)和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導(dǎo)體材料的全球領(lǐng)軍企業(yè)，法國 Soitec 半導(dǎo)體公司正式宣布選用 KLA 公司（納斯...

2022-07-22 標(biāo)簽：碳化硅 SOITEC 1.4k 0

高溫熔融沉積結(jié)合反應(yīng)燒結(jié)制備SiC陶瓷新方法

碳化硅(SiC)陶瓷由于其低密度、高剛度、低熱膨脹、高光學(xué)質(zhì)量和優(yōu)良的尺寸穩(wěn)定性，廣泛應(yīng)用于航空航天、石油化工、集成電路等領(lǐng)域。但碳化硅陶瓷的硬度高、脆...

2022-07-10 標(biāo)簽：集成電路 SiC 碳化硅 2.3k 0

碳化硅模塊引發(fā)大眾博弈巨頭各自建立準(zhǔn)入門檻

以SiC市場(chǎng)為例，美國在SiC 領(lǐng)域全球獨(dú)大，美國Wolfspeed、Ⅱ-Ⅵ、Transphorm、道康寧等行業(yè)巨頭占據(jù)了全球70%以上的市場(chǎng)份額。

2022-07-07 標(biāo)簽：功率器件 SiC 功率模塊 1.2k 0

寬禁帶半導(dǎo)體發(fā)展迅猛碳化硅MOSFET未來可期

在高端應(yīng)用領(lǐng)域，碳化硅MOSFET已經(jīng)逐漸取代硅基IGBT。以碳化硅、氮化鎵領(lǐng)銜的寬禁帶半導(dǎo)體發(fā)展迅猛，被認(rèn)為是有可能實(shí)現(xiàn)換道超車的領(lǐng)域。

2022-07-06 標(biāo)簽：新能源汽車 MOSFET IGBT 1.9k 0

國產(chǎn)SiC MOSFET為什么遲遲還未上車？

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）SiC在電動(dòng)汽車電驅(qū)模塊上的應(yīng)用，隨著市場(chǎng)對(duì)電動(dòng)汽車長續(xù)航、高壓電氣架構(gòu)、快充等需求，正在加速普及。 ? 傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體由...

2022-07-06 標(biāo)簽：SiC 碳化硅 SiCMOSFET 4.7k 0

富昌電子SiC設(shè)計(jì)分享（三）：SiC MOSFET 和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對(duì)比

富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專業(yè)的技術(shù)服務(wù)，為客戶打造個(gè)性化的解決方案，并縮短產(chǎn)品設(shè)計(jì)周期。在第三代半導(dǎo)體的實(shí)際應(yīng)用領(lǐng)域...

2022-07-07 標(biāo)簽：新能源汽車 SiC 寄生電容 3.2k 0

森國科碳化硅二極管助力“中國芯”創(chuàng)新發(fā)展

近日，由電子研習(xí)社主辦的《第三屆國產(chǎn)半導(dǎo)體技術(shù)大會(huì)》成功舉辦，現(xiàn)場(chǎng)邀請(qǐng)了千余名半導(dǎo)體領(lǐng)域的資深教授講師和各大知名企業(yè)CEO、高管及工程師們共聚于此，聚焦...

2022-06-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件碳化硅 2k 0

CISSOID、NAC和Advanced Conversion三強(qiáng)聯(lián)手開發(fā) 高功率密度碳化硅（SiC）逆變器

比利時(shí)蒙-圣吉貝爾/美國Bare–2022年6月23日– 高溫半導(dǎo)體和功率模塊領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID宣布，公司已與NAC Group和Advance...

2022-06-23 標(biāo)簽：逆變器 CISSOID 碳化硅 1.1k 0

博世為汽車新能源事業(yè)和碳中和持續(xù)注能

近日，廣東芯聚能半導(dǎo)體有限公司（AccoPower）向博世汽車電子事業(yè)部半導(dǎo)體業(yè)務(wù)單元發(fā)送了碳化硅芯片的項(xiàng)目定點(diǎn)函和相關(guān)產(chǎn)品訂單。此次定點(diǎn)，開啟了博世和...

2022-06-21 標(biāo)簽：新能源汽車碳化硅博世 1.8k 0

博世將累計(jì)追加投資在羅伊特林根增建無塵車間

近日，廣東芯聚能半導(dǎo)體有限公司（AccoPower）向博世汽車電子事業(yè)部半導(dǎo)體業(yè)務(wù)單元發(fā)送了碳化硅芯片的項(xiàng)目定點(diǎn)函和相關(guān)產(chǎn)品訂單。

2022-06-21 標(biāo)簽：芯片功率半導(dǎo)體碳化硅 1.5k 0

碳化硅功率 MOSFET 制造中外延后和爐前清潔

碳化硅MOSFETs進(jìn)入量產(chǎn)階段碳化硅(SiC)功率器件提供更高的開關(guān)效率，非常適合高溫和中高壓應(yīng)用(1，2)。因此，它們有望在未來十年刺激1000 ...

2022-06-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體碳化硅 1.8k 0

SiC N溝道IGBT器件研制的最新成果

超高壓 SiC N 溝道 IGBT 器件元胞的基本結(jié)構(gòu)如圖 1 所示。N+ 區(qū)域定義為源區(qū)，相應(yīng)的電極稱為發(fā)射極（Emitter）。背面 P+ 區(qū)域定義...

2022-06-17 標(biāo)簽：IGBT 碳化硅 2.2k 0

富昌電子SiC設(shè)計(jì)分享（二）：碳化硅器件驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)之寄生導(dǎo)通問題探討

作者：富昌電子星空 ??校稿：富昌電子蕭峰 ? 富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專業(yè)的技術(shù)服務(wù)，為客戶打造個(gè)性化的解決方...

2022-06-16 標(biāo)簽：富昌電子 SiC 驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì) 11.0萬 0

英飛凌推出Sixpack三相橋碳化硅產(chǎn)品系列

　新一代碳化硅模塊采用增強(qiáng)型CoolSiC? MOSFET（M1H），首發(fā)型號(hào)為EasyPACK?和EasyDUAL?封裝。

2022-06-14 標(biāo)簽：英飛凌驅(qū)動(dòng)器封裝 2.6k 0

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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FinFET全稱叫鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。
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美國Vicor 是Vicor Corporation旗下品牌，致力于模塊化電源技術(shù)創(chuàng)新，近年來專注于48V電源解決方案。Vicor帶來了全新的配電架構(gòu)、零電流開關(guān) （ZCS）及零電壓開關(guān) （ZVS）電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?
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Cirrus Logic 1984 年創(chuàng)立于硅谷，是音頻和能源市場(chǎng)上高精度模擬和數(shù)字信號(hào)處理元件的主要供應(yīng)商。Cirrus Logic 擅長于開發(fā)具備優(yōu)秀功能集成和創(chuàng)新的復(fù)雜芯片設(shè)計(jì)。
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　　柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來自微控制器或其他來源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí)，使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡(jiǎn)稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊(cè)資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來單筆投資額最大的工業(yè)項(xiàng)目，也是深圳市政府重點(diǎn)推動(dòng)的項(xiàng)目。
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驍龍是Qualcomm Technologies（美國高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
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ARM，其中ARM7，9，10是公開的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
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Mobileye在單目視覺高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺融合的車輛探測(cè)、前部碰撞警告（FCW）、車距監(jiān)測(cè) （HMW）、行人探測(cè)、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識(shí)別（TSR）、僅視覺自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
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STM32F4是由ST（意法半導(dǎo)體）開發(fā)的一種高性能微控制器。其采用了90 納米的NVM 工藝和ART（自適應(yīng)實(shí)時(shí)存儲(chǔ)器加速器，Adaptive Real-Time MemoryAccelerator?）。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測(cè)樣品的在外加激勵(lì)電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號(hào)，通常會(huì)對(duì)探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵(lì)信號(hào)，通過鎖相放大器對(duì)PFM信號(hào)進(jìn)行提取。
超級(jí)本

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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。

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