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簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

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東芝半導體擴展80V／100V車載N溝道功率MOSFET的產(chǎn)品線

用于輕型電動汽車和ISG的逆變器、電池管理系統(tǒng)和接線盒的負載開關以及半導體繼電器，要求產(chǎn)品具有高可靠性、高漏極電流額定值和高散熱設計。

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深圳基本半導體公司成功研發(fā)溝槽型碳化硅MOSFET器件結(jié)構(gòu)及制備技術

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2024-04-19 標簽：MOSFET 碳化硅基本半導體 1.6k 0

納芯微發(fā)布首款車規(guī)級1200V SiC MOSFET

為了提供給客戶更可靠的碳化硅MOSFET產(chǎn)品，在碳化硅芯片生產(chǎn)過程中施行嚴格的質(zhì)量控制，所有碳化硅產(chǎn)品做到 100% 靜態(tài)電參數(shù)測試，100%抗雪崩能力測試。

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納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產(chǎn)品

納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產(chǎn)品，該產(chǎn)品RDSon為60mΩ，具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-2...

2024-04-17 標簽：MOSFET SiC 體二極管 2k 0

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2024-04-17 標簽：MOSFET SiC 納芯微 1.1k 0

安富利推出了SiC高功率密度3.3KW雙向功率PFC電源解決方案

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三菱電機出席第十七屆中國高校電力電子與電力傳動學術年會

4月12日至14日，第十七屆中國高校電力電子與電力傳動學術年會在安徽宣城隆重舉辦，本屆會議由中國高校電力電子與電力傳動學術年會組織委員會主辦，合肥工業(yè)大學承辦。

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管腳兼容的驅(qū)動集成電路在哪里？

功率半導體IGBT、MOSFET以及SiC、GaN等都離不開驅(qū)動集成電路，以實現(xiàn)驅(qū)動、保護和隔離……電力電子技術在發(fā)展，功率器件對驅(qū)動的要求越來越高，這...

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英飛凌推出新一代OptiMOS? MOSFET技術封裝

全球半導體行業(yè)的領導者英飛凌科技股份公司宣布推出一款新型封裝——SSO10T TSC，該封裝基于其先進的OptiMOS? MOSFET技術，專為滿足汽車...

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2024-04-14 標簽：MOSFET 電動車半導體 1.7k 0

光谷誕生全球集成度最高光電芯片

丁琪超重點介紹了實驗室的6個技術能力體系。如實驗室核心技術方向之一的“異質(zhì)集成”，能通過8英寸硅集成不同化合物半導體材料，發(fā)揮不同材料最優(yōu)勢特性，集成相關芯片。

2024-04-11 標簽：MOSFET 無源器件碳化硅 1.8k 0

8寸硅光薄膜鈮酸鋰光電集成晶圓亮相九峰山論壇

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2024-04-11 標簽：MOSFET 半導體晶圓 1.5k 0

基本半導體推出一款1200V 240A大功率碳化硅MOSFET半橋模塊

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2024-04-11 標簽：MOSFET 晶圓 DCDC變換器 2.4k 0

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電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）碳化硅在電動汽車上的應用正在越來越普遍，而車企自研碳化硅模塊，也成為了不少車企選擇的方向。最近，蔚來自研碳化硅模塊C樣件在...

2024-04-11 標簽：MOSFET SiC 功率模塊 9.5k 0

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功率半導體器件（Power Electronic Device）又稱為電力電子器件和功率電子器件，是指可直接用于處理電能的主電路中，實現(xiàn)電能的變換或控制...

2024-04-09 標簽：MOSFET IGBT BJT 3.5k 0

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安建半導體C1輪融資圓滿收官，公司獲得超過2億元人民幣的融資。本輪融資由北京國管順禧基金及中航投資領投，龍鼎投資、一元航天及萬創(chuàng)投資跟投。

2024-04-08 標簽：MOSFET 功率半導體 GaN技術 1.9k 0

溝槽當?shù)?，平面型SiC MOSFET尚能飯否？

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）最近，安森美發(fā)布了第二代1200V SiC MOSFET產(chǎn)品。安森美在前代SiC MOSFET產(chǎn)品中，采用M1及其衍生的M...

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