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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。

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1200V氮化鎵挑戰(zhàn)SiC是否真的可行？

在全球最大的電力電子展 PCIM Europe 2023 上，旨在以類(lèi)似硅的成本實(shí)現(xiàn)垂直 GaN（氮化鎵）功率晶體管的歐洲財(cái)團(tuán) YESvGaN 介紹了其方案。

2023-06-16 標(biāo)簽：IGBT SiC 氮化鎵 1.2k 0

森國(guó)科推出TOLL封裝1200V/50A SiC二極管KS50120-K2

在功率半導(dǎo)體飛速迭代的進(jìn)程中，碳化硅（SiC）功率器件憑借高頻、高壓、低損耗、耐高溫等優(yōu)異性能，成為高效功率轉(zhuǎn)換的核心器件。而要將這些晶圓級(jí)的性能優(yōu)勢(shì)完...

2025-08-16 標(biāo)簽：二極管封裝 SiC 1.2k 0

年度展望：看見(jiàn)市場(chǎng)結(jié)構(gòu)性調(diào)整后的新機(jī)遇

半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展需要養(yǎng)精蓄銳，但新的發(fā)展機(jī)遇來(lái)臨時(shí)也要銳意進(jìn)取。新能源產(chǎn)業(yè)的發(fā)展應(yīng)用、新技術(shù)的創(chuàng)新推動(dòng)以及第三代半導(dǎo)體SiC持續(xù)滲透，將給半導(dǎo)體行業(yè)帶來(lái)...

2024-01-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 1.2k 0

新品 | 第二代CoolSiC? MOSFET G2 750V - 工業(yè)級(jí)與車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅功率器件

新品第二代CoolSiCMOSFETG2750V-工業(yè)級(jí)與車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅功率器件第二代750VCoolSiCMOSFET憑借成熟的柵極氧化層技術(shù)，在抗寄生...

2025-07-28 標(biāo)簽：MOSFET 功率器件 SiC 1.2k 0

又一車(chē)企入股SiC企業(yè)，市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)再加速！

廣東芯聚能半導(dǎo)體有限公司成立于2018年11月，主營(yíng)業(yè)務(wù)為SiC功率半導(dǎo)體器件，其主要產(chǎn)品車(chē)規(guī)級(jí)功率和工業(yè)級(jí)功率模塊廣泛，應(yīng)用于新能源汽車(chē)主機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域和...

2023-08-29 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)半導(dǎo)體 SiC 1.2k 0

2027年SiC晶圓需求量將達(dá)到110萬(wàn)片

Wolfspeed 材料高級(jí)副總裁兼總經(jīng)理 Cengiz Balkas 博士表示：“Wolfspeed 在碳化硅領(lǐng)域擁有無(wú)與倫比的經(jīng)驗(yàn)積累，從而在應(yīng)對(duì)快...

2022-12-21 標(biāo)簽：SiC 碳化硅半導(dǎo)體芯片 1.2k 0

東海半導(dǎo)體亮相2025慕尼黑上海電子展

此前，2025年4月15日至17日，東海半導(dǎo)體攜前沿技術(shù)與創(chuàng)新成果亮相2025慕尼黑上海電子展。作為全球電子行業(yè)的重要交流平臺(tái)，本次展會(huì)匯聚了來(lái)自世界各...

2025-04-22 標(biāo)簽：功率器件 SiC 慕尼黑上海電子展 1.2k 0

汽車(chē)半導(dǎo)體技術(shù)革新：SiC、Chiplet、RISC-V的協(xié)同作用

隨著電動(dòng)汽車(chē)和智能汽車(chē)技術(shù)的迅猛發(fā)展，汽車(chē)半導(dǎo)體市場(chǎng)正經(jīng)歷前所未有的變革。在這場(chǎng)變革中，碳化硅（SiC）、Chiplet、RISC-V三大技術(shù)成為了推動(dòng)...

2024-10-28 標(biāo)簽：SiC 芯片封裝 RISC-V 1.2k 0

萬(wàn)年芯：半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)替代浪潮，機(jī)遇與挑戰(zhàn)的“加速跑”

半導(dǎo)體作為現(xiàn)代電子信息產(chǎn)業(yè)的基石，從智能手機(jī)、電腦、服務(wù)器等消費(fèi)電子產(chǎn)品，到汽車(chē)、工業(yè)控制、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等新興領(lǐng)域，其重要性不言而喻。近年來(lái)，中國(guó)半...

2024-12-27 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 1.2k 0

新品 | 第二代 CoolSiC? MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬電距離

新品第二代CoolSiCMOSFETG2分立器件1200VTO-247-4HC高爬電距離采用TO-247-4HC高爬電距離封裝的第二代CoolSiCMO...

2025-02-08 標(biāo)簽：MOSFET 分立器件 SiC 1.2k 0

SiC MOSFET的基本概念

隨著全球?qū)δ茉葱屎涂沙掷m(xù)發(fā)展的關(guān)注不斷加深，寬禁帶半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用逐漸成為電子器件行業(yè)的熱點(diǎn)。碳化硅（SiC）作為一種重要的寬禁帶半導(dǎo)體材料，因...

2025-07-08 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 1.2k 0

SiC VJFET的動(dòng)態(tài)電路模型

JFET 是一種單極器件，具有兩個(gè)串聯(lián)的通道——橫向通道和垂直通道。1200V SiC JFET采用SiCED/INFINION（TO220封裝）制造，...

2022-07-29 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻 SCR SiC 1.2k 0

國(guó)產(chǎn)SiC模塊賦能組串式儲(chǔ)能變流器（PCS）助力能源高效利用

SiC模塊 BMF240R12E2G3 成為組串式儲(chǔ)能變流器（PCS）首選功率模塊并全面取代 IGBT 模塊和 IGBT 單管方案的核心原因如下： BM...

2025-03-03 標(biāo)簽：SiC 儲(chǔ)能 PCS 1.2k 0

美信檢測(cè)榮獲車(chē)規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體技術(shù)服務(wù)杰出供應(yīng)商

近日，以 “車(chē)啟芯時(shí)代，引領(lǐng)芯未來(lái)” 為主題的 2025 全球車(chē)規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體峰會(huì)（GAPS）在杭州隆重開(kāi)幕。深圳市美信檢測(cè)技術(shù)股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“...

2025-05-20 標(biāo)簽：二極管 SiC 功率半導(dǎo)體 1.2k 0

芯長(zhǎng)征2025慕尼黑上海電子展圓滿收官

近日，為期3天的慕尼黑上海電子展在上海新國(guó)際博覽中心圓滿收官。

2025-04-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 慕尼黑上海電子展 1.2k 0

國(guó)星光電SiC-SBD通過(guò)車(chē)規(guī)級(jí)認(rèn)證

近日，國(guó)星光電開(kāi)發(fā)的1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件成功通過(guò)第三方權(quán)威檢測(cè)機(jī)構(gòu)可靠性驗(yàn)證，并獲得AEC-Q101車(chē)規(guī)級(jí)認(rèn)證...

2023-03-20 標(biāo)簽：肖特基二極管功率器件 SiC 1.2k 0

唯樣代理IGBT 還是 SiC ? 英飛凌新型混合功率器件助力新能源汽車(chē)實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比電驅(qū)

近幾年新能源車(chē)發(fā)展迅猛，技術(shù)創(chuàng)新突飛猛進(jìn)。如何設(shè)計(jì)更高效的牽引逆變器使整車(chē)獲得更長(zhǎng)的續(xù)航里程一直是研發(fā)技術(shù)人員探討的最重要話題之一。高效的牽引逆變器需要...

2024-09-13 標(biāo)簽：英飛凌新能源汽車(chē)IGBT 1.2k 0

用于新型電力電子的 GaN、SiC

我們深入探討了 WBG 技術(shù)的前景和缺陷，考察了這些硅替代品的優(yōu)缺點(diǎn)，以及汽車(chē)和 5G 等要求苛刻的應(yīng)用是否足以將 GaN 和 SiC 技術(shù)推向未來(lái)芯片...

2022-07-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC GaN 1.2k 0

東芝推出兩項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)提升碳化硅功率器件性能

日本川崎——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(簡(jiǎn)稱“東芝”)研發(fā)了一項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)，該技術(shù)可在增強(qiáng)溝槽型碳化硅(SiC)MOSFET[2]的UIS耐用性[3]...

2025-06-20 標(biāo)簽：二極管 MOSFET 東芝 1.2k 0

8.2.10.1 影響反型層遷移率的機(jī)理∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

8.2.10.1影響反型層遷移率的機(jī)理8.2.10反型層電子遷移率8.2金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)第８章單極型功率開(kāi)關(guān)器件《碳化硅...

2022-03-03 標(biāo)簽：SiC 1.2k 0

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快充技術(shù)

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尼吉康

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trinamic

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無(wú)線供電

無(wú)線供電

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無(wú)線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線供電。
寧德時(shí)代

寧德時(shí)代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類(lèi)：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車(chē)的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

Qi標(biāo)準(zhǔn)

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國(guó)際無(wú)線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚(yú)臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
Pebble

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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
WPC

WPC

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電池系統(tǒng)

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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過(guò)充電和過(guò)放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
手機(jī)快充

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手機(jī)快充電主要分為三大類(lèi)：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。
A4WP

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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
MAX660

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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

智能變電站

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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
USB PD

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太陽(yáng)能充電

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PSR

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光伏并網(wǎng)逆變器

光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過(guò)交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
浪涌抑制器

浪涌抑制器

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DCDC電源

DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類(lèi)，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類(lèi)。例如車(chē)載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開(kāi)發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開(kāi)發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
USB-PD

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PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn)，用戶規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
醫(yī)療電源

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系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷(xiāo)人物”
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