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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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2025-09-24 標(biāo)簽:芯片SiC功率模塊 1.2k 0

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羅姆的EcoSiC? TRCDRIVE pack? 模塊以小型化、高功率密度及易量產(chǎn)等特點,革新了電動汽車逆變器技術(shù),推動行業(yè)向更高性能和可靠性邁進。 ...

2024-09-23 標(biāo)簽:模塊SiC羅姆 1.2k 0

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2025-05-26 標(biāo)簽:SiC碳化硅 1.2k 0

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全球新能源汽車(EV)及充電基礎(chǔ)設(shè)施產(chǎn)業(yè)正處于一個劇烈的技術(shù)與經(jīng)濟轉(zhuǎn)型期。在過去十余年中,直流快速充電(DCFC)網(wǎng)絡(luò)的快速部署主要依賴于的標(biāo)準(zhǔn)化、離散...

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2022-08-08 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器驅(qū)動電路SiC 1.2k 0

SiCrystal與意法半導(dǎo)體新簽協(xié)議,擴大碳化硅襯底供應(yīng)

羅姆與服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(簡稱ST)宣布,雙方將在意法半導(dǎo)體與羅姆集團旗下SiCrystal公司現(xiàn)有的150mm(...

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環(huán)球晶宣布:6英寸碳化硅襯底價格趨于穩(wěn)定

近日,環(huán)球晶董事長徐秀蘭表示,主流6英寸碳化硅(SiC)襯底的價格已經(jīng)穩(wěn)定,但市場反彈仍不確定。中國臺灣制造商正專注于開發(fā)8英寸SiC襯底,盡管2025...

2025-02-19 標(biāo)簽:SiC碳化硅 1.2k 0

功率半導(dǎo)體2035年市值將達77,757億日元,SiC等占45%

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此次調(diào)查針對功率半導(dǎo)體18項、零部件材料20項、制造設(shè)備19項。調(diào)查期間為2023年10月至2024年2月。

2024-03-06 標(biāo)簽:功率器件SiC功率半導(dǎo)體 1.2k 0

SiC MOSFET的設(shè)計挑戰(zhàn)——如何平衡性能與可靠性

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碳化硅(SiC)的性能潛力是毋庸置疑的,但設(shè)計者必須掌握一個關(guān)鍵的挑戰(zhàn):確定哪種設(shè)計方法能夠在其應(yīng)用中取得最大的成功。

2023-05-04 標(biāo)簽:MOSFETSiC開關(guān)損耗 1.2k 0

安徽省首條先進SiC車規(guī)功率模塊產(chǎn)線成功下線

2月11日上午,在合肥市經(jīng)開區(qū)領(lǐng)導(dǎo)、戰(zhàn)略投資方代表及數(shù)十家新能源汽車和eVTOL航空器頭部企業(yè)百余位嘉賓的共同見證下,鈞聯(lián)電子安徽省首條先進工藝SiC車...

2025-02-14 標(biāo)簽:SiC功率模塊 1.2k 0

安森美推動數(shù)據(jù)中心能效革新

隨著數(shù)據(jù)中心為了滿足人工智能(AI)計算的龐大處理需求而變得越來越耗電,提高能效變得至關(guān)重要。與一般的搜索引擎請求相比,搭載AI的引擎需要消耗超過10倍...

2024-11-14 標(biāo)簽:安森美數(shù)據(jù)中心SiC 1.2k 0

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    目前手機快速充電主要分為三大類:VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。 另外在電動汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求,電動車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時快速充電”成為現(xiàn)實。
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