功率器件
電子發(fā)燒友網(wǎng)功率器件欄目提供電源設(shè)計(jì)中所需的功率器件最新應(yīng)用技術(shù)和方法以及電源設(shè)計(jì)相關(guān)內(nèi)容，是電源工程師喜歡的網(wǎng)站。
電源管理芯片類型以及應(yīng)用有哪些
電源管理集成電路的種類很多，大致可分為電壓調(diào)節(jié)電路和接口電路。電壓調(diào)節(jié)器包括線性低壓降調(diào)節(jié)器（即LDO）、正、負(fù)串聯(lián)輸出電路和脈寬調(diào)制（PWM）開關(guān)電路。...
2023-02-06 標(biāo)簽：開關(guān)電路電源管理調(diào)節(jié)器 3764
常用的電源管理芯片及其作用
電源管理的技術(shù)趨勢(shì)是高效能、低功耗、智能化。提高效能涉及兩個(gè)不同方面的內(nèi)容：一方面想要保持能量轉(zhuǎn)換的綜合效率，同時(shí)還希望減小設(shè)備的尺寸；另一方面是保護(hù)尺寸不變，大幅度提高...
常見的電源管理IC芯片有哪些
電源管理集成電路種類繁多，大致分為電壓調(diào)節(jié)和接口電路兩個(gè)方面。電壓調(diào)節(jié)器包括線性低壓降穩(wěn)壓器（即LDO）、正負(fù)輸出系列電路、脈寬調(diào)制（PWM）開關(guān)電路等。...
2023-02-06 標(biāo)簽：開關(guān)電路穩(wěn)壓器電源管理 6710
開關(guān)電源IC耗散功率計(jì)算-KIA MOS管
可以看到，控制SW輸出的存在上和下，兩個(gè)MOS管，上邊我們俗稱上臂的MOS，下邊的俗稱下臂的MOS。LM25017的是一個(gè)同步整流的開關(guān)電源芯片，如果是非同步的，那么下臂的MOS管會(huì)由一個(gè)續(xù)流的二極...
2023-02-06 標(biāo)簽：芯片開關(guān)電源MOS管 3340
氮化鎵是什么晶體，氮化鎵（GaN）的重要性分析
氮化鎵是一種二元III/V族直接帶隙半導(dǎo)體晶體，也是一般照明LED和藍(lán)光播放器最常使用的材料。另外，氮化鎵還被用于射頻放大器和功率電子器件。氮化鎵是非常堅(jiān)硬的材料;其原子的化學(xué)鍵是高...
氮化鎵外延片工藝介紹 氮化鎵外延片的應(yīng)用
氮化鎵外延片生長(zhǎng)工藝較為復(fù)雜，多采用兩步生長(zhǎng)法，需經(jīng)過(guò)高溫烘烤、緩沖層生長(zhǎng)、重結(jié)晶、退火處理等流程。兩步生長(zhǎng)法通過(guò)控制溫度，以防止氮化鎵外延片因晶格失配或應(yīng)力而產(chǎn)生翹曲，...
Transphorm發(fā)布新的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管可靠性指標(biāo)
Transphorm發(fā)布新的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管可靠性指標(biāo) 日前，高可靠性、高性能氮化鎵（GaN）電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先驅(qū)和全球供應(yīng)商Transphorm， Inc. （Nasdaq： TGAN）發(fā)布了氮化鎵功率場(chǎng)效應(yīng)管（FET）的最新可靠...
2023-02-03 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管FET氮化鎵GaNTransphorm 3043
淺析氮化鎵技術(shù)原理及技術(shù)突破路線
通過(guò)種種信息，我們應(yīng)該都能發(fā)現(xiàn)，氮化鎵充電器目前已經(jīng)快要與普通充電器市場(chǎng)持平，而且，氮化鎵充電器是近幾年新開發(fā)出來(lái)的，從剛開始出現(xiàn)的30W到現(xiàn)在的140W、200W，相信未來(lái)還會(huì)有更...
2023-02-03 標(biāo)簽：充電器氮化鎵GaN功率半導(dǎo)體第三代半導(dǎo)體 12267
以NPN型三極管為例來(lái)說(shuō)說(shuō)它的工作原理
平常我們用電子電路的目的是最終讓目標(biāo)器件工作，例如讓發(fā)光二極管亮起來(lái)，讓電機(jī)正常轉(zhuǎn)起來(lái)，從根本上說(shuō)就是讓這些器件獲得一定的電流讓它做功。例如要讓發(fā)光二極管亮一般就需要1m...
汽車碳化硅技術(shù)成熟嗎 汽車碳化硅的優(yōu)缺點(diǎn)
SiC是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一，技術(shù)也已經(jīng)趨于成熟，令其成為實(shí)現(xiàn)新能源汽車最佳性能的理想選擇。SiC對(duì)電動(dòng)汽車的作用非常大，簡(jiǎn)而言之，SiC能提高電動(dòng)汽車?yán)m(xù)航...
2023-02-03 標(biāo)簽：新能源汽車SiCSiC新能源汽車碳化硅技術(shù) 3500
碳化硅技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)_碳化硅工藝
碳化硅，是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。在...
雙向晶閘管怎么關(guān)斷_雙向晶閘管怎么測(cè)量好壞
雙向晶閘管與單向晶閘管一樣，也具有觸發(fā)控制特性。不過(guò)，它的觸發(fā)控制特性與單向晶閘管有很大的不同，這就是無(wú)論在陽(yáng)極和陰極間接入何種極性的電壓，只要在它的控制極上加上一個(gè)觸發(fā)...
瑞薩電子推出用于驅(qū)動(dòng)EV逆變器的IGBT和SiC MOSFET——RAJ2930004AGM
瑞薩電子推出一款全新柵極驅(qū)動(dòng)IC——RAJ2930004AGM，用于驅(qū)動(dòng)電動(dòng)汽車（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高壓功率器件。...
2023-02-03 標(biāo)簽：逆變器IGBT瑞薩電子SiC MOSFET 864
高壓SiC MOSFET發(fā)展歷程與研究現(xiàn)狀
高壓 SiC MOSFET 由于其單極工作模式，高擊穿電壓將嚴(yán)重限制器件的導(dǎo)通電流能力。例如對(duì)于10 kV 等級(jí)器件來(lái)說(shuō)，室溫下其電流等級(jí)約為 20~40 A/cm2 ，當(dāng)溫度增加到 200 ℃以上時(shí)，額定電流將下降...
2023-02-03 標(biāo)簽：SiCSiC MOSFET 5216
什么是碳化硅？SiC在電力電子領(lǐng)域的一些非凡特性有哪些
碳化硅因其獨(dú)特的性能而被譽(yù)為硅的潛在替代品。以下是使這種材料如此非凡的特性，以及它在電力電子設(shè)備中的應(yīng)用。...
MOS管如何做開關(guān)電路使用？
上電時(shí)給MOS管的G極一個(gè)確定的電平，防止上電時(shí)GPIO為高阻時(shí)，MOS的G極電平不確定受到干擾。...
2023-02-03 標(biāo)簽：開關(guān)電路MOS管 15340
中科院物理研究所實(shí)現(xiàn)8英寸碳化硅生長(zhǎng)的突破
從6寸把它發(fā)展到8寸，這樣在襯底上做出來(lái)的器件，就可以降低單個(gè)器件的襯底所占的成本，這是一個(gè)國(guó)際上發(fā)展的趨勢(shì)。...
新能源汽車對(duì)功率半導(dǎo)體需求帶動(dòng)有多大？
導(dǎo)語(yǔ)：功率半導(dǎo)體的三大主角，IGBT、SiC和GaN，其中在光伏和風(fēng)電兩大新能源行業(yè)中，IGBT的需求量最大。 ? 1月17日，工信部、能源局等六部門聯(lián)合發(fā)布《關(guān)于推動(dòng)能源電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展的指導(dǎo)意見》...
2023-02-03 標(biāo)簽：新能源汽車功率半導(dǎo)體 1958
什么是功率半導(dǎo)體？有哪些類型？
功率半導(dǎo)體有功率器件和功率IC，功率器件又包含二極管、晶體管和晶閘管，其中晶體管又可根據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域和制程可劃分為絕緣柵雙極型晶體管 （IGBT）、MOSFET和雙極型晶體管等；功率IC是一種模...
2023-02-03 標(biāo)簽：IGBT功率器件功率半導(dǎo)體 15170
簡(jiǎn)單說(shuō)一下功率半導(dǎo)體的特色
『集成電路IC』，指采用半導(dǎo)體制備工藝，把一個(gè)電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，制作在一小塊晶片上，然后封裝好，成為具有一定功能的微型結(jié)構(gòu)。比如電源...
2023-02-03 標(biāo)簽：集成電路IGBT功率半導(dǎo)體 1034
功率半導(dǎo)體行業(yè)特點(diǎn)趨勢(shì)及機(jī)遇挑戰(zhàn)
作為電子系統(tǒng)中的基本單元，功率半導(dǎo)體是電力電子設(shè)備正常運(yùn)行不可或缺的部件，應(yīng)用場(chǎng)景廣泛，且需求日益豐富。從行業(yè)技術(shù)和性能發(fā)展來(lái)看，功率半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)朝復(fù)雜化演進(jìn)，功率半導(dǎo)...
2023-02-03 標(biāo)簽：電子系統(tǒng)IGBT功率半導(dǎo)體 2141
到底什么是功率半導(dǎo)體？
功率半導(dǎo)體的功能主要是對(duì)電能進(jìn)行轉(zhuǎn)換，對(duì)電路進(jìn)行控制，改變電子裝置中的電壓和頻率，直流或交流等，均具有處理高電壓，大電流的能力。...
2023-02-03 標(biāo)簽：大電流IGBT功率半導(dǎo)體 4342
何謂功率半導(dǎo)體？
功率半導(dǎo)體是能夠支持高電壓、大電流的半導(dǎo)體。具有不同于一般半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)，在使用高電壓、大電流時(shí)也不會(huì)損壞。另外，由于使用大功率容易發(fā)熱產(chǎn)生高溫，因而成為故障發(fā)生的原因。...
2023-02-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體大電流功率半導(dǎo)體 2517
淺談電阻等效模型 鋁電解電容與實(shí)際鋁電解電容的區(qū)別
一個(gè)真實(shí)世界的電阻(圖5-1)包括一個(gè)寄生電感，因?yàn)樗膸缀涡螤?。引線長(zhǎng)度和電阻上的寄生電容。...
特斯拉碳化硅技術(shù)怎么樣？特斯拉碳化硅技術(shù)成熟嗎？
特斯拉碳化硅技術(shù)怎么樣？特斯拉碳化硅技術(shù)成熟嗎？ 大家都知道碳化硅具有高功率、耐高壓、耐高溫等優(yōu)點(diǎn)，碳化硅技術(shù)能夠幫助電動(dòng)汽車實(shí)現(xiàn)快速充電，增加續(xù)航；這個(gè)特性使得眾多的車...
2023-02-02 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車逆變器特斯拉SiC碳化硅 3914
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