功率器件
電子發(fā)燒友網(wǎng)功率器件欄目提供電源設(shè)計(jì)中所需的功率器件最新應(yīng)用技術(shù)和方法以及電源設(shè)計(jì)相關(guān)內(nèi)容，是電源工程師喜歡的網(wǎng)站。
MLCC電容是什么結(jié)構(gòu) 全面的MLCC失效分析案例
多層陶瓷電容器是由印好電極（內(nèi)電極）的陶瓷介質(zhì)膜片以錯(cuò)位的方式疊合起來，經(jīng)過一次性高溫?zé)Y(jié)形成陶瓷芯片，再在芯片的兩端封上金屬層（外電極）制成的電容。...
新能源汽車核心部件電控IGBT模塊詳解
三電系統(tǒng)，即動(dòng)力電池（簡(jiǎn)稱電池）、驅(qū)動(dòng)電機(jī)（簡(jiǎn)稱電機(jī)）、電機(jī)控制器（簡(jiǎn)稱電控），也被人們成為三大件，加起來約占新能源車總成本的70%以上，是決定整車運(yùn)動(dòng)性能核心的組件。...
2023-02-02 標(biāo)簽：新能源汽車IGBT驅(qū)動(dòng)電機(jī)電驅(qū)系統(tǒng) 7031
一文解析TVS管 與 穩(wěn)壓二極管的區(qū)別
硅穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓電路,它是利用穩(wěn)壓二極管的反向擊穿特性穩(wěn)壓的,由于反向特性陡直,較大的電流變化，只會(huì)引起較小的電壓變化。...
2023-02-02 標(biāo)簽：變壓器濾波器穩(wěn)壓二極管TVS管 3880
英飛凌與Resonac簽署新采購(gòu)合作單，重點(diǎn)布局碳化硅
當(dāng)?shù)貢r(shí)間12日，英飛凌宣布，正在擴(kuò)大與碳化硅（SiC）供應(yīng)商合作，已與Resonac簽署一份新采購(gòu)合作長(zhǎng)單，補(bǔ)充并擴(kuò)大了雙方2021年簽訂的合同。...
從晶體到系統(tǒng)之路：關(guān)于碳化硅的關(guān)鍵的襯底和外延epi分析
由于襯底和外延和芯片的技術(shù)發(fā)展相關(guān)性不是特別大，所以我單獨(dú)把這兩個(gè)流程拿出來和大家分享，接下來的芯片技術(shù)發(fā)展比如MOSFET的平面結(jié)構(gòu)或者溝槽結(jié)構(gòu)都是直接在外延層里加工。...
STNRG012，用于現(xiàn)代照明LED驅(qū)動(dòng)器的PFC控制器
STNRG012是STNRG011的替代品。它們具有許多相同的功能，但舊型號(hào)僅支持交流輸入線路。因此，那些有STNRG011經(jīng)驗(yàn)的人會(huì)發(fā)現(xiàn)在STNRG012上工作很容易。新器件也證明了STNRG011的成功以及將其用于更多...
2023-02-02 標(biāo)簽：控制器led驅(qū)動(dòng)器PFC 2209
細(xì)說三極管！
早期，由于鍺晶體較易獲得，主要研制應(yīng)用的是鍺晶體三極管。硅晶體出現(xiàn)后，由于硅管生產(chǎn)工藝很高效，鍺管逐漸被淘汰。經(jīng)半個(gè)世紀(jì)的發(fā)展，三極管種類繁多，形貌各異。...
IGBT的模塊溫度循環(huán)及絕緣特性分析
隨著我國(guó)武器裝備系統(tǒng)復(fù)雜性提升和功率等級(jí)提升，對(duì)IGBT模塊的需求劇增，IGBT可靠性直接影響裝備系統(tǒng)的可靠性。選取同一封裝不同材料陶瓷基板的IGBT模塊，分別進(jìn)行了溫度循環(huán)試驗(yàn)和介質(zhì)耐...
2023-02-01 標(biāo)簽：IGBT場(chǎng)效應(yīng)晶體管陶瓷基板 7179
GaN功率HEMT設(shè)計(jì)+GaN寬帶功率放大器設(shè)計(jì)
GaN功率HEMT設(shè)計(jì)+GaN寬帶功率放大器設(shè)計(jì)...
20億歐元巨資建SiC工廠 采埃孚入股Wolfspeed
SiC芯片可以幫助電動(dòng)汽車實(shí)現(xiàn)突破；碳化硅芯片電動(dòng)汽車壽命更長(zhǎng)。使用 SiC 芯片，電動(dòng)汽車的使用壽命更長(zhǎng)，充電速度更快，并且由于耗能更低，從而降低了運(yùn)營(yíng)成本。在全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)...
2023-01-29 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車逆變器SiCWolfspeed采埃孚 2828
GaN如何在電子工程行業(yè)掀起一場(chǎng)革命
GaN 的普及根植于其高電源和高電壓功能。這些特性使其適用于許多應(yīng)用，包括微波射頻 (RF) 和功率開關(guān)應(yīng)用。...
MOS驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)四種方案 電源IC直接驅(qū)動(dòng)\推挽驅(qū)動(dòng)\隔離驅(qū)動(dòng)\加速關(guān)斷驅(qū)動(dòng)
MOS管因?yàn)槠鋵?dǎo)通內(nèi)阻低，開關(guān)速度快，因此被廣泛應(yīng)用在開關(guān)電源上。而用好一個(gè)MOS管，其驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)就很關(guān)鍵。下面分享幾種常用的驅(qū)動(dòng)電路。 一、電源IC直接驅(qū)動(dòng) 電源IC直接驅(qū)動(dòng)是最簡(jiǎn)...
2023-01-16 標(biāo)簽：開關(guān)電源MOS驅(qū)動(dòng)電路推挽電路隔離驅(qū)動(dòng)MOSMOS驅(qū)動(dòng)電路開關(guān)電源推挽電路隔離驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)電路 10613
青銅劍技術(shù)適配PrimePACK?封裝IGBT模塊雙通道2QP0320Txx-CN
隨著社會(huì)經(jīng)濟(jì)的發(fā)展，綠色環(huán)保議題備受船舶工業(yè)等行業(yè)關(guān)注，船舶對(duì)節(jié)能減排要求不斷提高。變頻技術(shù)是船舶工業(yè)重要且極具潛力的節(jié)能手段，而功率器件及配套驅(qū)動(dòng)器是船舶變頻器的關(guān)鍵核...
2023-01-16 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器變頻器IGBTIGBT模塊青銅劍科技 3605
一文了解SiC碳化硅扥性能優(yōu)勢(shì)和使用場(chǎng)景
碳化硅(SiC) 是第三代半導(dǎo)體，相較于前兩代半導(dǎo)體(一代硅，二代砷化鉀)碳化硅在使用極限性能，上優(yōu)于硅襯底，可以滿足高溫、高壓、高頻、大功率等條件下的應(yīng)用需求。...
氮化鎵與其他半導(dǎo)體的比較(FOM) 氮化鎵晶體管的應(yīng)用
了解氮化鎵 -寬帶隙半導(dǎo)體：為什么？ -氮化鎵與其他半導(dǎo)體的比較(FOM) -如何獲得高片電荷和高遷移率？...
引起IGBT失效的原因有幾種
IGBT功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）構(gòu)成的功率模塊。由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離，具有出色的器件性能。廣泛應(yīng)用于伺服電機(jī)、變頻器、...
如何通過光耦合器連接繼電器
以下文章介紹如何使用隔離方法或通過光耦合器器件驅(qū)動(dòng)繼電器。我們將學(xué)習(xí)三種方法，第一種方法是將繼電器直接連接到光耦合器輸出引腳，第二種方法是使用外部PNP晶體管，第三種方法是使...
森國(guó)科榮膺2022年度中國(guó)SiC功率器件設(shè)計(jì)十強(qiáng)
NOM-FUNGIBLE TOKENS榮膺極光獎(jiǎng)中國(guó)SiC功率器件設(shè)計(jì)十強(qiáng) ? ? 2023年伊始，由行家說三代半和行家說Research主辦的全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇在深圳拉開了帷幕，全球眾多領(lǐng)先企業(yè)精英云集于...
2023-01-09 標(biāo)簽：功率器件SiC充電樁碳化硅第三代半導(dǎo)體SiC充電樁功率器件森國(guó)科碳化硅第三代半導(dǎo)體 3346
雙界面散熱結(jié)構(gòu)IGBT的熱測(cè)試方法與結(jié)果分析
為解決上述問題，本文創(chuàng)新性地提出雙界面散熱結(jié)構(gòu)的熱測(cè)試方法，對(duì)傳統(tǒng)雙界面法進(jìn)行優(yōu)化，分別采用兩種不同的導(dǎo)熱界面材料 A 與 B 對(duì)結(jié)構(gòu)函數(shù)曲線進(jìn)行分離。...
聊聊IGBT模塊的作用
IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷追Q電力電子裝置的“CPU”，作為國(guó)家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動(dòng)汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極廣。...
Wolfspeed碳化硅器件賦能梅賽德斯-奔馳新一代電動(dòng)汽車平臺(tái)
2023年1月6日，美國(guó)北卡羅來納州達(dá)勒姆市與中國(guó)上海市訊 — 全球碳化硅（SiC）技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed, Inc.（NYSE: WOLF）近日宣布與梅賽德斯-奔馳達(dá)成合作。Wolfspeed 將為梅賽德斯-奔馳供應(yīng)碳化硅器...
2023-01-06 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車奔馳碳化硅Wolfspeed 847
全面解讀MOSFET結(jié)構(gòu)及設(shè)計(jì)詳解
MOSFET結(jié)構(gòu)、特性參數(shù)及設(shè)計(jì)詳解...
2023-01-26 標(biāo)簽：MOSFET 2934
大電流應(yīng)用中SiC MOSFET模塊的應(yīng)用
在大電流應(yīng)用中利用 SiC MOSFET 模塊...
IGBT功能是什么？IGBT市場(chǎng)的供需情況如何？
為什么IGBT和碳中和形成相關(guān)關(guān)系，我認(rèn)為清潔能源的大規(guī)模推廣，對(duì)IGBT提出更高的需求，最典型就是光伏逆變器的應(yīng)用，這里面需要大量高壓，超高壓的IGBT以及IGBT模塊。...
2022-12-27 標(biāo)簽：IGBT 2375
高功率GaN晶體管大功率器件的器件設(shè)計(jì)
在功率性能方面的突破更高的電流密度和電壓操作 引起2 DEG損耗的固有表面電荷性能下降和/或設(shè)備可靠性下降 原位SiN帽層的效益...
2022-12-16 標(biāo)簽：GaN晶體管 497
意法半導(dǎo)體生產(chǎn)200毫米碳化硅大晶圓，將用于功率器件原型設(shè)計(jì)
碳化硅（SiC）晶圓經(jīng)常出現(xiàn)在新聞中，這一事實(shí)預(yù)示著這種寬帶隙（WBG）材料作為顛覆性半導(dǎo)體技術(shù)的證書，適用于更小、更輕、更高效的電力電子設(shè)備。...
2022-12-15 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車意法半導(dǎo)體碳化硅功率芯片 1176
汽車應(yīng)用中的IGBT功率模塊
諸如高環(huán)境溫度、暴露于機(jī)械沖擊以及特定的驅(qū)動(dòng)循環(huán)等環(huán)境條件，要求對(duì)IGBT功率模塊的機(jī)械和電氣特性給予特別的關(guān)注，以便在整個(gè)使用壽命期間能確保其性能得到充分發(fā)揮，并保持很高的...
世界最高電阻率的半絕緣GaN自支撐襯底
近年來，半絕緣SiC襯底上外延生長(zhǎng)的GaN高遷移率晶體管(GaN-on-SiC HEMTs)已廣泛應(yīng)用于微波射頻領(lǐng)域的功率放大器電路中。...
2022-12-02 標(biāo)簽：GaN 1085
碳化硅功率器件及其發(fā)展現(xiàn)狀！
碳化硅為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體，可在更高溫度、電壓及頻率環(huán)境正常工作，同時(shí)消耗電力更少，持久性和可靠性更強(qiáng)，將為下一代更小體積、更快速度、更低成本、更高效率的電力電子產(chǎn)...
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