功率器件
電子發(fā)燒友網(wǎng)功率器件欄目提供電源設(shè)計(jì)中所需的功率器件最新應(yīng)用技術(shù)和方法以及電源設(shè)計(jì)相關(guān)內(nèi)容，是電源工程師喜歡的網(wǎng)站。
比亞迪半導(dǎo)體推出集成PFC的IGBT模塊新品
PFC電路設(shè)計(jì)正朝著高效、高頻、小體積、低成本以及集成化的方向發(fā)展。比亞迪半導(dǎo)體基于市場(chǎng)需求及技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)，推出集成PFC的IGBT模塊新品。...
2022-11-30 標(biāo)簽：PFC電路 1085
盤點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng)管在電路中應(yīng)用
場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET 通常被認(rèn)為是一種晶體管，并用于模擬和數(shù)字電路。MOS管基礎(chǔ)請(qǐng)移步:MOS場(chǎng)效應(yīng)管基本知識(shí)。...
2022-11-30 標(biāo)簽：MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管MOS管晶體管驅(qū)動(dòng)電路 10250
當(dāng)前碳化硅功率器件回顧！
硅功率器件已經(jīng)達(dá)到了它們的材料極限，已經(jīng)達(dá)到了前所未有的成熟。SiC功率器件正在快速成熟，為汽車行業(yè)提供快速開關(guān)、高效的器件性能。然而，它們距離充分發(fā)揮其潛力還有很長(zhǎng)的路要走...
青銅劍技術(shù)新一代I型三電平小功率IGBT驅(qū)動(dòng)核2QD0225T12-Q解析
近年來，隨著技術(shù)進(jìn)步和國(guó)家政策支持，我國(guó)新型儲(chǔ)能已逐步在電力輔助服務(wù)、用戶側(cè)電價(jià)管理、新能源消納以及電網(wǎng)輸配電服務(wù)等領(lǐng)域得到應(yīng)用。 為有效降低成本、提升效率，市場(chǎng)對(duì)中小功...
2022-11-25 標(biāo)簽：IGBT拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)三電平IGBT模塊青銅劍科技 7393
比亞迪半導(dǎo)體推出集成電流檢測(cè)的PIM模塊
PIM產(chǎn)品作為IGBT產(chǎn)品大類的重要組成部分，是一種綜合集成功率器件，適用于工業(yè)變頻及伺服驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域?，F(xiàn)階段，在許多IGBT模塊的應(yīng)用場(chǎng)景中，客戶在電路設(shè)計(jì)時(shí)會(huì)圍繞模塊進(jìn)行針對(duì)性的電流檢...
2022-11-25 標(biāo)簽：電流檢測(cè)功率器件pim比亞迪半導(dǎo)體 1887
IGBT和SiC柵極驅(qū)動(dòng)器基礎(chǔ)知識(shí)（一）
大家好，看到TI一篇關(guān)于IGBT和SiC器件柵極驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的文檔，雖然比較基礎(chǔ)，但是概括的比較好，適合電力電子專業(yè)的初學(xué)者，總體內(nèi)容如下。...
2022-11-25 標(biāo)簽：MOSFETIGBT功率器件SiC柵極驅(qū)動(dòng)器 2100
SIC功率器件的發(fā)展現(xiàn)狀！
近年來，SiC功率器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和制造工藝日趨完善，已經(jīng)接近其材料特性決定的理論極限，依靠Si器件繼續(xù)完善來提高裝置與系統(tǒng)性能的潛力十分有限。本文首先介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)...
2022-11-24 標(biāo)簽：功率器件SiC功率半導(dǎo)體碳化硅 2976
基于GaN單晶N極性HEMT器件
這是NEDO關(guān)于“加強(qiáng)后5G信息通信系統(tǒng)基礎(chǔ)設(shè)施研究開發(fā)項(xiàng)目”的成果。2020年6月，NEDO發(fā)布了該決定，并計(jì)劃讓住友電工從事高頻器件高功率、小型化技術(shù)的開發(fā)。...
碳化硅SIC器件在工業(yè)應(yīng)用中的重要作用！
電力電子轉(zhuǎn)換器在快速發(fā)展的工業(yè)格局中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。它們的應(yīng)用正在增加，并且在眾多新技術(shù)中發(fā)揮著核心作用，包括電動(dòng)汽車、牽引系統(tǒng)、太空探索任務(wù)、深層石油開采系統(tǒng)、飛...
碳化硅MOSFET器件結(jié)構(gòu)和特性！
SiC（碳化硅）是由硅和碳化物組成的化合物半導(dǎo)體。與硅相比，SiC具有許多優(yōu)勢(shì)，包括10倍的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度，3倍的帶隙，以及實(shí)現(xiàn)器件結(jié)構(gòu)所需的更廣泛的p型和n型控制。...
6吋氮化鎵單晶背后關(guān)鍵核心技術(shù)解析
制造大直徑GaN襯底的要點(diǎn)（鈉熔劑法） 豐田合成表示，6英寸功率半導(dǎo)體氮化鎵襯底的研發(fā)得益于早期LED氮化鎵襯底技術(shù)的積累。...
2022-11-18 標(biāo)簽：氮化鎵 3254
廣州企業(yè)發(fā)布6英寸900V硅基氮化鎵外延片
該外延片專為新能源汽車電驅(qū)系統(tǒng)開發(fā)，以適用目前更高效的800V電壓架構(gòu)。并且該外延片基于國(guó)產(chǎn)設(shè)備開發(fā)，完全自主可控。...
2022-11-18 標(biāo)簽：氮化鎵 2020
你的理想型60W電源適配器方案，內(nèi)部的國(guó)產(chǎn)芯片是亮點(diǎn)
給大家整理了一份基于思睿達(dá)主推的國(guó)產(chǎn)芯片CR6890H 60W電源適配器方案。...
2022-11-17 標(biāo)簽：充電器電源適配器電源芯片國(guó)產(chǎn)芯片充電器國(guó)產(chǎn)芯片思睿達(dá)電源芯片電源適配器 7262
IGBT模塊參數(shù)詳解 車用IGBT模塊可靠性
絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor） 是由雙極結(jié)型晶體管（BJT）和金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）復(fù)合而成的結(jié)構(gòu)，具有BJT大電流增益和MOS壓控易于F驅(qū)動(dòng)等優(yōu)勢(shì)。...
2022-11-16 標(biāo)簽：IGBT場(chǎng)效應(yīng)晶體管雙極結(jié)型晶體管 970
SIC功率器件是電力電子工業(yè)的基礎(chǔ)！
功率器件是電力電子工業(yè)中最重要的基礎(chǔ)元件之一，廣泛應(yīng)用于電力設(shè)備的功率轉(zhuǎn)換和電路控制領(lǐng)域。功率器件作為耗電設(shè)備和系統(tǒng)的核心，發(fā)揮著實(shí)現(xiàn)電能的處理、轉(zhuǎn)換和控制的作用，是工業(yè)...
2022-11-16 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車功率器件SiC 906
提高功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試效率的7個(gè)方法
功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)往往需要具備多種測(cè)試功能、覆蓋多種電壓等級(jí)的被測(cè)器件，此時(shí)就需要對(duì)測(cè)試電路調(diào)整以滿足測(cè)試需求。如果是將多項(xiàng)功能集成一塊測(cè)試板上，在進(jìn)行調(diào)整時(shí)的操作...
2022-11-15 標(biāo)簽：功率器件 1138
用于電動(dòng)汽車電力電子的碳化硅器件！
隨著對(duì)電動(dòng)汽車（EV）需求的持續(xù)增長(zhǎng)，制造商正在比較兩種半導(dǎo)體技術(shù)，即碳化硅和硅，用于電力電子應(yīng)用。碳化硅（SiC）具有耐高溫、低功耗、剛性，并支持EV電力電子設(shè)備所需的更小、更...
2022-11-15 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車SiC碳化硅 1226
碳化硅功率器件封裝關(guān)鍵技術(shù)
二十多年來，碳化硅(Silicon Carbide，SiC)作為一種寬禁帶功率器件，受到人們?cè)絹碓蕉嗟年P(guān)注。與硅相比，碳化硅具有很多優(yōu)點(diǎn)，如：碳化硅的禁帶寬度更大，這使碳化硅器件擁有更低的漏電流及...
SiC功率器件的現(xiàn)狀與展望！
碳化硅（SiC）功率器件具有提高效率、動(dòng)態(tài)性能和可靠性的顯著優(yōu)勢(shì)電子和電氣系統(tǒng)?；仡櫫薙iC功率器件發(fā)展的挑戰(zhàn)和前景...
碳化硅功率器件優(yōu)勢(shì)增強(qiáng)功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)！
影響下一代功率半導(dǎo)體器件發(fā)展和實(shí)施的三個(gè)主要因素：對(duì)持續(xù)改進(jìn)功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)效率的監(jiān)管要求;市場(chǎng)需要更輕、更小、更具成本效益的系統(tǒng)，具有更集成的功能和新興應(yīng)用，如電動(dòng)汽車（E...
SiC功率器件的新發(fā)展和挑戰(zhàn)！
碳化硅（SiC）被認(rèn)為是未來功率器件的革命性半導(dǎo)體材料;許多SiC功率器件已成為卓越的替代電源開關(guān)技術(shù)，特別是在高溫或高電場(chǎng)的惡劣環(huán)境中。本章將討論SiC功率器件面臨的挑戰(zhàn)和最新發(fā)展...
如何判斷MOS管工作狀態(tài)？
MOS管的工作狀態(tài)一共有兩種：增強(qiáng)型和耗盡型兩類又有N溝道和P溝道之分。...
2022-11-02 標(biāo)簽：MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 6330
碳化硅功率半導(dǎo)體器件是怎樣制造出來的
碳化硅器件制造環(huán)節(jié)與硅基器件的制造工藝流程大體類似，主要包括光刻、清洗、摻雜、蝕刻、成膜、減薄等工藝。不少功率器件制造廠商在硅基制造流程基礎(chǔ)上進(jìn)行產(chǎn)線升級(jí)便可滿足碳化硅器...
SiC MOSFET相對(duì)于Si MOSFET和IGBT的優(yōu)勢(shì)
ROHM 具有電流隔離功能的新型晶體管柵極驅(qū)動(dòng)器 ( BM6112 ) 非常適合應(yīng)對(duì)驅(qū)動(dòng) SiC MOSFET 的獨(dú)特挑戰(zhàn)。它可以驅(qū)動(dòng)高達(dá) 20A 的大電流，驅(qū)動(dòng)高達(dá) 20V 的柵極電壓，并且以小于 150ns 的最大 I/O 延遲完成所...
風(fēng)能發(fā)電中的碳化硅與IGBT對(duì)比分析
SiC MOSFET被推廣為使用IGBT的現(xiàn)有設(shè)計(jì)的絕佳替代品。IGBT一直是大型光伏逆變器和風(fēng)力渦輪機(jī)>1000 V應(yīng)用的支柱，提供中速開關(guān)。...
2022-11-01 標(biāo)簽：MOSFETIGBT氮化鎵柵極驅(qū)動(dòng)器功率逆變器 3685
富昌電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中心SiC版逆變器方案
該方案基于NXP Power架構(gòu)主控MCU平臺(tái)，融合了ON隔離預(yù)驅(qū)芯片及碳化硅功率器件，以及NXP電源管理芯片，可實(shí)現(xiàn)汽車功能安全標(biāo)準(zhǔn)ISO26262的ASIC C/D級(jí)別功能安全要求。...
2022-10-31 標(biāo)簽：逆變器碳化硅SiC MOSFET 1116
100V GaN功率器件的特性挑戰(zhàn)
100 V GaN FET 在 48 V 汽車和服務(wù)器應(yīng)用以及 USB-C、激光雷達(dá)和 LED 照明中很受歡迎。然而，小尺寸和最小的封裝寄生效應(yīng)為動(dòng)態(tài)表征這些功率器件帶來了多重挑戰(zhàn)。本文回顧了GaN半導(dǎo)體制造商在表...
2022-10-19 標(biāo)簽：功率器件GaNGaN功率器件電源環(huán)路 1930
碳化硅SiC和氮化鎵GaN的應(yīng)用
在新能源汽車方面主要應(yīng)用在DC/AC逆變器、DC/DC轉(zhuǎn)換器；3）在工業(yè)領(lǐng)域方面主要應(yīng)用在電力配送、鐵路運(yùn)輸、光伏產(chǎn)業(yè)、電機(jī)控制以及風(fēng)電渦輪機(jī)。...
2022-10-19 標(biāo)簽：智能電網(wǎng)氮化鎵光伏逆變器碳化硅 1969
SiGaNSiC-MOSFET以及Si-IGBT的工作環(huán)境
GaN 、SiC很有可能在高壓高頻方面完全取代硅基，SiC MOSFET 主打高壓領(lǐng)域；GaN MOSFET 主打高頻領(lǐng)域。...
碳化硅功率器件在新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通以及智能電網(wǎng)的應(yīng)用
軌道交通車輛表現(xiàn)出多樣化的發(fā)展態(tài)勢(shì)，在運(yùn)營(yíng)狀態(tài)方面可以劃分為干線機(jī)車、城市軌道車輛、高速列車等類型，而城市軌道車輛與高速列車構(gòu)成了未來軌道交通發(fā)展的重要推動(dòng)力。...
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