功率器件
電子發(fā)燒友網(wǎng)功率器件欄目提供電源設(shè)計(jì)中所需的功率器件最新應(yīng)用技術(shù)和方法以及電源設(shè)計(jì)相關(guān)內(nèi)容，是電源工程師喜歡的網(wǎng)站。
硅基器件與寬禁帶器件的區(qū)別
固體中電子的能量分布是離散的，電子都分布在不連續(xù)的能帶(Energy Band)上，價(jià)電子所在能帶與自由電子所在能帶之間的間隙稱為禁帶寬度（Energy Gap），禁帶寬度反映了被束縛價(jià)電子要成為自由...
Vishay推出封裝的新型第四代 600V EF系列快速體二極管MOSFET
Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60EF 導(dǎo)通電阻比前代器件降低 29 %，為通信、工業(yè)和計(jì)算應(yīng)用提供高效、高功率密度解決方案，同時(shí)柵極電荷下降 60 %，從而使器件導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉(zhuǎn)...
BJT型晶體管基礎(chǔ)知識(shí)介紹
BJT型晶體管作為最為古老的晶體管之一，由貝爾實(shí)驗(yàn)室的三位著名的科學(xué)家W. Shockley、J. Barden 和 W. Brattain 于1947年發(fā)明，也標(biāo)志著半導(dǎo)體時(shí)代的到來，因此這三位科學(xué)家于1956年獲得了諾貝爾物理...
Nexperia推出應(yīng)用工業(yè)和汽車領(lǐng)域的CFP封裝二極管
此最新產(chǎn)品含有 32 個(gè)平面肖特基二極管以及 8 個(gè)超快恢復(fù)整流二極管，均封裝在 CFP15B 中。包含通用型號(hào)和符合 AEC-Q101 車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的帶 Q 的器件。...
ZVS1和ZVS2各有哪些優(yōu)缺點(diǎn)，如何選擇？
工作在容性區(qū)域電流超前于電壓，前級(jí)開關(guān)管容易實(shí)現(xiàn)ZCS關(guān)斷，這個(gè)區(qū)域比較適合IGBT。 工作在感性區(qū)域電壓超前于電流，前級(jí)開關(guān)管容易實(shí)現(xiàn)ZVS開通，這個(gè)區(qū)域比較適合MOSFET。...
特高壓技術(shù)的優(yōu)勢和挑戰(zhàn)
新能源是支撐國家可持續(xù)發(fā)展的關(guān)鍵，隨著“碳達(dá)峰”和“碳中和”目標(biāo)的提出，中國新能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展將再次提速。...
聞泰科技布局汽車市場 加速推進(jìn)IGBT！
在日前業(yè)績上說明會(huì)，聞泰科技董事長、總裁張學(xué)政表示，上市公司正在布局IGBT、SiC、GaN等產(chǎn)品，來自汽車與工業(yè)需求持續(xù)增長，成為半導(dǎo)體業(yè)務(wù)增長的主要?jiǎng)恿Α?..
N溝道MOSFET的基本概念、應(yīng)用電路及主要類型
眾所周知，MOSFET是晶體管的一種，也稱為IGFET(絕緣柵場效應(yīng)晶體管)或MIFET(金屬絕緣體場效應(yīng)晶體管)。在MOSFET中，通道和柵極通過薄的SiO2層分離，它們形成隨柵極電壓變化的電容。...
何為IGBT？IGBT的結(jié)構(gòu)和原理
IGBT全稱為絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor)，所以它是一個(gè)有MOS Gate的BJT晶體管。奇怪吧，它到底是MOSFET還是BJT？其實(shí)都不是又都是。不繞圈子了，他就是MOSFET和BJT的組合體。...
2022-10-09 標(biāo)簽：開關(guān)電源變頻器IGBT晶體管 4995
什么是GaN氮化鎵？為什么充電器用GaN而不是SiC？
新能源車的功率控制單元（PCU）是汽車電驅(qū)系統(tǒng)的中樞神經(jīng)，管理電池中的電能與電機(jī)之間的流向、傳遞速度。傳統(tǒng) PCU 使用硅基材料半導(dǎo)體制成，強(qiáng)電流與高壓電穿過硅制晶體管和二極管的時(shí)...
Trench MOSFET結(jié)構(gòu)模型分析
本文基于仿真和實(shí)驗(yàn)方法，開展了 100VN 溝槽 MOSFET 的設(shè)計(jì)研究工作。通過溝槽深度，體區(qū)注入劑量和柵氧化層厚度拉偏，獲得了對擊穿電壓，閾值電壓和導(dǎo)通電阻的影響規(guī)律并對機(jī)理進(jìn)行了分析...
2022-10-08 標(biāo)簽：MOSFET功率半導(dǎo)體 12043
基于仿真工具對100VN TrenchMOSFET器件設(shè)計(jì)研究
溝槽（Trench）MOSFET 是一種新型垂直結(jié)構(gòu)的 MOSFET 器件，是從傳統(tǒng)平面 MOSFET 結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上優(yōu)化發(fā)展而來，Trench MOSFET 由于將溝槽深入硅體內(nèi)，在設(shè)計(jì)上可以并聯(lián)更多的元胞，從而降低導(dǎo)通電阻（R...
2022-10-08 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻MOSFET器件功率半導(dǎo)體器件 2094
中車時(shí)代中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目52.93億落地株洲
10月2日，株洲市人民政府與株洲中車時(shí)代半導(dǎo)體簽署合作協(xié)議，中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化（株洲）建設(shè)項(xiàng)目正式落地。中國中車副總裁王宮成，株洲市委副書記、市長陳恢清出席儀式并致辭。中車...
三級(jí)管電子開關(guān)的基本電路圖
由于對硅三極管而言，其基極的正向偏壓值約為0.6V，因此欲使三極管截止，Vin必須低于0.6V，以使三極管的基極電流為零。通常，為了可以更確定三極管必處于截止?fàn)顟B(tài)，往往使Vin值低于0.3V。...
2022-09-30 標(biāo)簽：三極管運(yùn)算放大器負(fù)載電阻 5841
什么是MOSFET，MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)原理
功率MOSFET為多單元集成結(jié)構(gòu)，如IR 的HEXFET采用六邊形單元;西門子Siemens的SIPMOSFET采用正方形單元;摩托羅拉公司Motorola的TMOS采用矩形單元按品字形排列...
2022-10-07 標(biāo)簽：MOSFET 1357
P溝道MOSFET的基本概念及主要類型
MOSFET是一種三端、電壓控制、高輸入阻抗和單極器件，是不同電子電路中必不可少的元件。一般來說，這些器件根據(jù)其默認(rèn)狀態(tài)下是否有相應(yīng)的通道，分為增強(qiáng)型MOSFET和耗盡型MOSFET兩類。...
MOSFET簡介、主要參數(shù)及驅(qū)動(dòng)技術(shù)
咱們做電子的，幾乎都會(huì)用到MOS管，也遇到過MOS管炸裂的情況。小功率MOS炸裂時(shí)，沒什么感覺，大功率就不一樣，震耳欲聾，感覺在以命相搏。...
增強(qiáng)型MOSFET的基礎(chǔ)知識(shí)
MOSFET是一種具有絕緣柵的場效應(yīng)晶體管，主要用于放大或切換信號(hào)。在當(dāng)前模擬和數(shù)字電路中，與BJT相比，MOSFET的使用頻率更高一些。...
2022-09-20 標(biāo)簽：MOSFET場效應(yīng)晶體管 9758
淺談IGBT產(chǎn)業(yè)鏈中的幾個(gè)玩家
低壓的光伏經(jīng)過前年的低谷期，最近兩三年都是處于上升的階段，包括很多光伏逆變的客戶發(fā)展還是比較快，海外市場會(huì)多一些，包括這幾年崛起的終端客戶，比如德業(yè)和錦浪。...
Transphorm 900V氮化鎵功率器件規(guī)格參數(shù)
兩款900V FET均屬于常閉型器件，通過更低的柵極電荷、更快的切換速度和更小的反向恢復(fù)電荷，提供更高的效率，明顯超越傳統(tǒng)硅 (Si) 器件，具有顯著優(yōu)勢。...
如何讓MOS管快速開啟和關(guān)閉
一般認(rèn)為MOSFET（MOS管）是電壓驅(qū)動(dòng)的，不需要驅(qū)動(dòng)電流。然而，在MOS管的G極和S極之間有結(jié)電容存在，這個(gè)電容會(huì)讓驅(qū)動(dòng)MOS變的不那么簡單。...
GaN射頻器件的微波測試介紹
隨著5G的推出，新的無線電網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施的一個(gè)重要環(huán)節(jié)是gNodeB基站的功率放大器（PA）。PA需要無故障運(yùn)行，往往是在極端條件下，而且5G標(biāo)準(zhǔn)提出了更寬的帶寬、更高的頻率和更高的效率。...
耗盡型MOSFET的基本概念及主要類型
眾所周知，MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種電壓控制器件，由源極、漏極、柵極和主體等端子構(gòu)成，用于放大或切換電路內(nèi)的電壓，也廣泛用于數(shù)字應(yīng)用的IC。...
打造理想18W充電器方案 性能優(yōu)異內(nèi)置多重保護(hù)措施
接下來，我們給大家?guī)淼氖腔谒碱＿_(dá)主推的CR5269SSJ+CR3018L_12V1.5A電源充電器解決方案。對比之前的電源充電器樣機(jī)，該樣機(jī)的特性和結(jié)構(gòu)信息又有什么不同？其能否滿足客戶的要求呢？一起...
MOSFET的基本工作原理和特性
MOS柵結(jié)構(gòu)是MOSFET的重要組成部分，一個(gè)典型的N溝道增強(qiáng)型結(jié)構(gòu)示意圖如圖1所示。其中柵極、源極和漏極位于同一個(gè)平面內(nèi)，半導(dǎo)體的另一個(gè)平面可以稱為體端，所以在一些書籍和資料中，也將...
開關(guān)電源選擇“正激”還是“反激”？這份寶典請收好
反激式 反激式開關(guān)電源是指使用反激高頻變壓器隔離輸入輸出回路的開關(guān)電源。“反激”指的是在開關(guān)管接通的情況下，當(dāng)輸入為高電平時(shí)輸出線路中串聯(lián)的電感為放電狀態(tài)；相反，在開關(guān)管...
2022-09-05 標(biāo)簽：變壓器開關(guān)電源正激電源反激式開關(guān)電源反激式開關(guān)電源反激電路變壓器變壓器開關(guān)電源正激電源 8524
汽車功率半導(dǎo)體國產(chǎn)化的號(hào)角吹響 國產(chǎn)功率半導(dǎo)體未來可期
在新能源汽車的供應(yīng)鏈上電池、電機(jī)、電控、功率半導(dǎo)體、視頻傳感器、激光雷達(dá)、控制器、執(zhí)行器件等硬件正在成為新的重要組成部分。...
2022-09-05 標(biāo)簽：新能源汽車功率器件功率半導(dǎo)體激光雷達(dá) 1174
場效應(yīng)管MOSFET介紹及應(yīng)用電路
前幾天給大家講了一下晶體管BJT，今天講一下場效應(yīng)管-MOSFET。...
2022-09-05 標(biāo)簽：MOSFET場效應(yīng)管晶體管 5543
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