功率器件
電子發(fā)燒友網(wǎng)功率器件欄目提供電源設(shè)計中所需的功率器件最新應(yīng)用技術(shù)和方法以及電源設(shè)計相關(guān)內(nèi)容，是電源工程師喜歡的網(wǎng)站。
IGBT保護(hù)的問題：短路保護(hù)和過流保護(hù)
電流傳感器檢測主要采用閉環(huán)霍爾電流傳感器進(jìn)行采樣，受限于霍爾傳感器的頻帶寬度及控制采樣電路的延遲，實時性可能還有待提高；di/dt檢測主要是依據(jù)IGBT的功率E級和驅(qū)動E級之間的寄生電...
東芝推出具有低導(dǎo)通電阻的新款功率器件
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導(dǎo)通電阻，可顯著降低開關(guān)損耗。該系列10款產(chǎn)品包括5款...
SiC MOSFET應(yīng)用中的EMI改善方案分析
寄生電感是SiC MOSFET Vds尖峰和振鈴的主要原因。SiC MOSFET的快速開關(guān)速度會導(dǎo)致較高Vds尖峰和較長的振鈴時間。這種尖峰會降低設(shè)備的設(shè)計裕量，并且較長的振鈴時間會引入EMI。...
2022-08-29 標(biāo)簽：emi柵極電阻寄生電感SiC MOSFET 2091
MOSFET簡介、主要參數(shù)及驅(qū)動技術(shù)
耐壓：通常所說的VDS，或者說是擊穿電壓。那么一般MOS廠家是如何來定義這個參數(shù)的呢？...
功率MOSFET的常見封裝與布局配置
柵極驅(qū)動器和功率 MOSFET 的放置對于前置驅(qū)動器電機(jī)驅(qū)動解決方案的正確運(yùn)行和性能優(yōu)化至關(guān)重要。對于具有集成 MOSFET 的電機(jī)驅(qū)動器，例如 DRV8870、DRV8313、DRV10987、DRV10983-Q1和DRV8873-Q1，在內(nèi)部已...
2022-08-29 標(biāo)簽：MOSFET電機(jī)驅(qū)動布線 5826
淺顯易懂地講述保險絲工作原理及構(gòu)成
保險絲作為過流保護(hù)器件，在電子行業(yè)得到普遍應(yīng)用，存在感非常強(qiáng)，卻又那么不起眼，只要不是全新的設(shè)計方案，只要沒出問題，經(jīng)驗的沿用以至于很多硬件工程師對于保險絲的參數(shù)與選型不...
常見射頻PA的類別簡單總結(jié)
在PA設(shè)計的細(xì)節(jié)考量中，最重要的一個概念就是PA的“類”別了，也即PA的Class。比如我們經(jīng)常提到的Class A、Class AB、Class E及Class F等。不同Class的PA有不同的特點，我們這份材料就以PA的Class為線，...
TVS中雙向TVS和單向TVS使用區(qū)別
通過上面分析，其實可以知道，單向TVS也能防負(fù)脈沖。但是對一些雙向信號，比如上圖中，工作的時候就需要負(fù)的交流電，那我用單向顯然不合適，因為正常需要的負(fù)信號都被TVS的正向?qū)ё吡恕?..
氮化鎵基礎(chǔ)知識
氮化鎵復(fù)合物由鎵和氮原子排列構(gòu)成，最常見的是纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu)。纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu)(圖1-1)是一種六邊形結(jié)構(gòu)，其特征是有兩個晶格常數(shù)(圖中標(biāo)記為a 和 c)。...
安森美提供高能效、高性能SiC方案 滿足不同應(yīng)用的需求
由于SiC具有更快的開關(guān)速度，因此對于某些拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，可縮減無源元器件如電感器的尺寸以降低系統(tǒng)尺寸和成本...
GaN功率器件封裝技術(shù)的研究
近年來，電動汽車、高鐵和航空航天領(lǐng)域不斷發(fā)展，對功率器件/模塊在高頻、高溫和高壓下工作的需求不斷增加。傳統(tǒng)的 Si 基功率器件/模塊達(dá)到其自身的材料性能極限，氮化鎵(GaN)作為第三代...
MOSFET特性、種類與制造過程
半導(dǎo)體逆全球化發(fā)展趨勢明顯，成熟制程芯片國產(chǎn)替代迎來難得的窗口期。又逢能源改革和國產(chǎn)電動汽車產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展的歷史機(jī)遇，以MOSFET為代表的功率器件將率先開啟國產(chǎn)替代加速的進(jìn)程。預(yù)...
長城簽約錫山經(jīng)開區(qū)打造鈣鈦礦產(chǎn)業(yè)基地及第三代半導(dǎo)體模組封測制造基地
摘要 長城控股集團(tuán)攜手江蘇省錫山經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)，投資38億元； 第三代半導(dǎo)體模組封測制造基地項目，車規(guī)級模組規(guī)劃年產(chǎn)能達(dá)120萬套； 極電光能全球總部及鈣鈦礦創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)基地項目，計劃...
2022-08-17 標(biāo)簽：功率器件封測第三代半導(dǎo)體bipv功率器件封測第三代半導(dǎo)體 874
工業(yè)接口如何選擇合適的ESD二極管
說到半導(dǎo)體器件的穩(wěn)定性，肯定逃不開一個話題，那就是ESD和浪涌。不管是哪種應(yīng)用場合，下到消費(fèi)電子，上至汽車電子，器件在高速的電量傳輸過程中不可避免地會產(chǎn)生潛在的破壞性電壓、電...
恩智浦GD3160高級柵極驅(qū)動確保功率轉(zhuǎn)換器安全、高效運(yùn)行
RoadPak SiC MOSFET 1.2kV模塊完美滿足上述要求，其采用半橋配置，每側(cè)可并聯(lián)多達(dá)10個SiC MOSFET芯片，支持大電流。...
2022-08-12 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器恩智浦柵極驅(qū)動 4869
全面解析車規(guī)級芯片的分類
MCU，又稱單片機(jī)，-般只包含CPU這一個處理器單元;MCU=CPU+存儲+接口單元;而SoC是 系統(tǒng)級芯片，- -般包含多個處理器單元;如SoC可為CPU+GPU+DSP+NPU+存儲+接口單元。...
MOS管知識全面解析
每一個MOS管都提供有三個電極：Gate柵極（表示為“G”）、Source源極（表示為“S”）、Drain漏極（表示為“D”）。接線時，對于N溝道的電源輸入為D，輸出為S；P溝道的電源輸入為S，輸出為D；且...
碳化硅在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用挑戰(zhàn)
碳化硅是一種非常高效的材料，具有高功率和高溫特性。 碳化硅 (SiC) 半導(dǎo)體是提高系統(tǒng)效率、支持更高工作溫度和降低電力電子設(shè)計成本的創(chuàng)新選擇。碳化硅是硅和碳的化合物，是一種具有同...
可控硅的工作原理及作用
可控硅簡稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點。在自動控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動器件，實現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。...
選擇插件電阻需要考慮哪些因素
首先讓我們一起看看什么是插件電阻？插件電阻器（Pluginresistor）在日常生活中一般直接稱為插件電阻。是一個限流元件，將電阻接在電路中后，電阻器的阻值是固定的一般是兩個引腳，它可限...
碳化硅的下一波浪潮
功率半導(dǎo)體是實現(xiàn)節(jié)能世界的關(guān)鍵。碳化硅和氮化鎵等新技術(shù)可實現(xiàn)更高的功率效率、更小的外形尺寸和更輕的重量。尤其是碳化硅是一種寬帶隙材料，能夠克服傳統(tǒng)硅基功率器件的限制。...
2022-08-04 標(biāo)簽：三菱電機(jī)功率半導(dǎo)體碳化硅 799
用于汽車應(yīng)用的下一代高壓分立電源產(chǎn)品
電動汽車的普及將功率半導(dǎo)體性能的界限推向了一個新的水平。硅功率器件傳統(tǒng)上用于控制汽車中的各種電力電子系統(tǒng)，例如主逆變電機(jī)、泵、暖通空調(diào)壓縮機(jī)、制動和轉(zhuǎn)向系統(tǒng)。...
2022-08-04 標(biāo)簽：電動汽車功率器件碳化硅技術(shù) 1129
碳化硅和氮化鎵：兩種半導(dǎo)體的故事
在過去的幾十年中，全球SiC 和 GaN領(lǐng)域的特點是發(fā)展、行業(yè)接受度不斷提高以及有望實現(xiàn)數(shù)十億美元的收入。第一個商用 SiC 器件于 2001 年以德國英飛凌的肖特基二極管的形式出現(xiàn)。隨之而來的...
低功率范圍內(nèi)的MOSFET表征
半導(dǎo)體行業(yè)一直在尋找新型特殊材料、介電解決方案和新型器件形狀，以進(jìn)一步、再進(jìn)一步縮小器件尺寸。例如，2D材料的橫向和縱向異質(zhì)結(jié)構(gòu)導(dǎo)致了新的顛覆性小型低功率電子器件的產(chǎn)生。...
2022-08-09 標(biāo)簽：MOSFET電纜半導(dǎo)體器件 549
提高寬帶隙功率器件的故障分析精度?
在電氣領(lǐng)域，漏極和源極之間的漏電流 (I DSS ) 或柵極和源極之間的漏電流 (I GSS ) 是功率 MOSFET 故障的一般類別。將故障分析集中在這些機(jī)制上的能力提供了重要的見解，可用于改進(jìn)生產(chǎn)方法、...
2022-07-29 標(biāo)簽：MOSFET場效應(yīng)晶體管功率器件GaN 1391
SiC MOSFET發(fā)展趨勢與解決方案
毫無疑問，所謂的第三代寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅正在發(fā)揮其眾所周知的潛力，在過去五年中，汽車行業(yè)一直是該材料的公開試驗場?；?SiC 的傳動系統(tǒng)逆變器——將來自電池側(cè)的直流電轉(zhuǎn)換為電...
SiC JFET和SiC MOSFET短路事件的故障模型
碳化硅功率器件已成為一種很有前途的技術(shù)，人們對降低能耗和在高開關(guān)頻率應(yīng)用下運(yùn)行的興趣日益濃厚。碳化硅還可以維持較高的工作溫度，使其成為工業(yè)環(huán)境的合適候選者。寬帶隙半導(dǎo)體器...
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