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電子技術(shù)
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使用超臨界二氧化碳剝離碳化光刻膠的實驗
關(guān)鍵詞:超臨界清洗，離子注入光刻膠，光刻膠剝離 摘要 本文提出了一種有效的、環(huán)保的干剝離方法，使用超臨界二氧化碳(SCCO2)系統(tǒng)，在40℃到100℃和壓力從90巴到340巴時去除離子植入的光刻劑...
關(guān)于氧化鋅的基本性質(zhì)和應(yīng)用的報告
本文概述了氧化鋅的基本性質(zhì)，包括晶體結(jié)構(gòu)、能帶結(jié)構(gòu)和熱性質(zhì)，并介紹了其應(yīng)用前景、氧化鋅塊體、薄膜和納米結(jié)構(gòu)，氧化鋅的機械性質(zhì)、基本電子和光學(xué)性質(zhì)以及潛在的應(yīng)用。 晶體結(jié)構(gòu)...
Transphorm的快速充電器和電源適配器用GaN器件
高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先驅(qū)和全球供應(yīng)商Transphorm, Inc. (OTCQX: TGAN)今天宣布，該公司2021年12月份的SuperGaN? Gen IV場效應(yīng)晶體管(FET)出貨量突破100萬大關(guān)。這一里程碑進一步證實...
2022-01-16 標(biāo)簽：充電器FET電源適配器GaNTransphorm 5475
蝕刻工藝關(guān)于濕化學(xué)處理后InP表面的研究
引言 本文將討論在不同的濕化學(xué)溶液中浸泡后對InP表面的氧化物的去除。本文將討論接收襯底的各種表面成分，并將有助于理解不同的外原位濕化學(xué)處理的影響。這項工作的重點將是酸性和堿...
2022-01-12 標(biāo)簽：化學(xué)蝕刻物理襯底InP技術(shù)化學(xué)物理蝕刻襯底 2885
O極和Zn極ZnO單晶的蝕刻行為
引言 氧化鋅是最廣泛研究的纖鋅礦半導(dǎo)體之一。氧化鋅不僅作為單晶，而且以多晶薄膜的形式。其顯著的性能，如寬直接帶隙3.37 eV，大結(jié)合強度內(nèi)聚能1.89 eV，熔點2248 K，高激子結(jié)合能60 meV，即...
微氣泡對光刻膠層的影響
關(guān)鍵詞：氧氣、微氣泡、光刻膠、高劑量離子注入、氣水界面 介紹? ??? 微氣泡是一種很有前途的環(huán)保光刻膠去除方法的候選方法。已經(jīng)證明，臭氧微氣泡可以去除硅片上的光刻劑，即使被高...
混合鋁蝕刻劑的化學(xué)特性分析
摘要 我們?nèi)A林科納研究了正磷酸、聚磷酸、和鐵(III)氯化物蝕刻劑對工藝條件變化的敏感性，以確定該蝕刻劑系統(tǒng)在純鋁電路光刻制造中的潛在生產(chǎn)應(yīng)用。溫度變化、正磷酸濃度、多磷酸濃度的...
多磷酸蝕刻劑的化學(xué)特性
摘要 在印刷和蝕刻生產(chǎn)厚金屬膜中的精密圖案時，需要對化學(xué)蝕刻劑有基本的了解，以實現(xiàn)工藝優(yōu)化和工藝控制。 為了蝕刻純鋁電路，研究了正磷酸、多磷酸和氯化鐵的配方。 研究的目的是確...
使用單一晶圓加工工具蝕刻晶圓背面薄膜的方法
引言 隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，為了在有限的面積內(nèi) 形成很多器件，技術(shù)正在向多層結(jié)構(gòu)發(fā)展。要想形成多層結(jié)構(gòu)，會形成比現(xiàn)有更多的薄膜層 ,這時晶片背面也會堆積膜。目前，在桔葉式設(shè)備...
Nano Dimension宣布收購Essemtec AG
-Essemtec AG是一家為印刷電路板和原始設(shè)備制造商行業(yè)提供表面貼裝取放系統(tǒng)的供應(yīng)商 -本次收購有助于為以下方面的突破性進展奠定基礎(chǔ)：作為增材制造電子產(chǎn)品解決方案一部分的微芯片放置方...
國內(nèi)首條！基本半導(dǎo)體汽車級碳化硅功率模塊專用產(chǎn)線正式通線
12月30日，基本半導(dǎo)體位于無錫市新吳區(qū)的汽車級碳化硅功率模塊制造基地正式通線運行，首批碳化硅模塊產(chǎn)品成功下線。這是目前國內(nèi)第一條汽車級碳化硅功率模塊專用產(chǎn)線，采用先進碳化硅...
2021-12-31 標(biāo)簽：MOSFETSiC功率模塊碳化硅基本半導(dǎo)體 3540
異丙醇(IPA)的解吸特性和IPA蒸汽干燥硅晶片中的水分
引言 為了評估用各種程序清洗和干燥的晶圓表面的清潔度，我們通過高靈敏度的大氣壓電離質(zhì)譜(APIMS)成功地分析了這些晶圓表面的排氣量。特別是，通過將晶片表面的解吸氣體引入APIMS，研究...
化學(xué)蝕刻的銅-ETP銅的實驗分析
引言 化學(xué)蝕刻是通過與強化學(xué)溶液接觸來控制工件材料的溶解。該過程可以應(yīng)用于任何材料。銅是利用化學(xué)腐蝕工藝制造微電子元件、微工程結(jié)構(gòu)和精密零件中廣泛使用的工程材料之一。在這...
Cu CMP后清洗中添加劑對顆粒粘附和去除的影響
引言 Cu作為深度亞微米的多電級器件材料，由于其電阻低、電遷移電阻高和電容降低，與鋁相比的時間延遲。本文從理論和實驗上研究了檸檬酸基銅化學(xué)機械平坦化后二氧化硅顆粒對銅膜的粘附...
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