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電子技術(shù)
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富士康印度工廠開始生產(chǎn) iPhone 13，“果鏈”進(jìn)一步多元化
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/吳子鵬）近日，蘋果新款iPhoneSE被天風(fēng)國際分析師郭明錤確認(rèn)將需求疲軟，這讓國內(nèi)的“果鏈”心里不安，意味著一個業(yè)務(wù)增長點消失了。但更讓國內(nèi)“果鏈”不安的是，...
浙江麗水新增半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)項目：旺榮半導(dǎo)體項目審核通過
近日，浙江麗水的旺榮半導(dǎo)體有限公司之前申請的建設(shè)8英寸功率器件項目已被政府審核通過。 據(jù)了解，旺榮將用其先進(jìn)的電子器件生產(chǎn)設(shè)備來生產(chǎn)該項目的電子器件，該項目計劃投資23.8億人民...
單晶SiC晶圓加工過程中的低溫濕法蝕刻
硅片在大口徑化的同時，要求規(guī)格的嚴(yán)格化迅速發(fā)展。特別是由于平坦度要求變得極其嚴(yán)格，因此超精密磨削技術(shù)得以開發(fā)，實現(xiàn)了無蝕刻化，無拋光化。雖然在單晶SiC晶片上晶片磨削技術(shù)的開...
光伏硅片的超聲化學(xué)清洗技術(shù)
近年來，太陽能電池和電池板等可再生能源的使用量顯著增加。在已安裝的光伏系統(tǒng)中，90%以上的是單晶硅電池和多晶硅電池，具有成本低、面積大、效率較高的優(yōu)點。清潔硅晶片的表面是器件...
用于單晶片清洗的超臨界流體
使用超臨界流體去除污染物的過程，即高于其臨界溫度和壓力的類氣體物質(zhì)。超臨界流體具有類液體溶劑化特性和類氣體擴(kuò)散和粘度，使其能夠快速穿透縫隙和邊界層膜，并完全去除其中包含的...
如何減少硅晶片表面上的金屬雜質(zhì)
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體的制造。在清洗步驟后，“PIRANHA-RCA”清洗順序的“SC 1”步驟中加入了預(yù)定濃度的EDTA等絡(luò)合物形成劑，以減少殘留在硅晶片表面的金屬雜質(zhì)。...
濕式蝕刻過程的原理是什么
濕式蝕刻過程的原理是利用化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物，選擇性非常高，因為所使用的化學(xué)物質(zhì)可以非常精確地適應(yīng)于單個薄膜。對于大多數(shù)溶液的選擇性大于100：1。液體化學(xué)必須...
一種新的半導(dǎo)體超鹵素深度分析方法
本文章提出了一種新的半導(dǎo)體超鹵素深度分析方法，在通過臭氧氧化去除一些硅原子層，然后用氫氟酸蝕刻氧化物后，重復(fù)測量，然后確定了成分和表面電位的深度分布，因此這種分析技術(shù)提供...
采用三種刻蝕方法制備黑硅材料
本文采用飛秒激光蝕刻法、深反應(yīng)離子蝕刻法和金屬催化化學(xué)蝕刻法制備了黑硅，研究發(fā)現(xiàn)，在400~2200nm的波長內(nèi)，光的吸收顯著增強(qiáng)，其中飛秒激光用六氟化硫蝕刻的黑硅在近紅外波段的吸收...
華虹半導(dǎo)體研報 收入創(chuàng)歷史新高較上年度增長69.6%
? HUA HONG SEMICONDUCTOR LIMITED華虹半導(dǎo)體有限公司（于香港注冊成立之有限公司） （股份代號：1347） ?截至二零二一年十二月三十一日止年度全年業(yè)績公告 財務(wù)摘要 華虹半導(dǎo)體有限公司（“本公...
2022-04-06 標(biāo)簽：晶圓華虹半導(dǎo)體 7231
3M比利時工廠被關(guān)停，全球冷卻液產(chǎn)量減80%，或?qū)е掠⑻貭?、三星至?個月停產(chǎn)
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃山明）近日，據(jù)韓媒報道，由于比利時政府近期提高了過氟化合物（PFAS）的環(huán)保排放標(biāo)準(zhǔn)，導(dǎo)致3M在當(dāng)?shù)氐陌雽?dǎo)體冷卻液生產(chǎn)工廠無限期停產(chǎn)，而該工廠所生產(chǎn)的半導(dǎo)...
俄最大芯片制造商米克朗被美制裁
? ?俄本土遭烏轟炸？或傳遞3個信號？還在一邊和談一邊互攻的俄烏沖突似乎不會一下就停止，更何況外面還有很多歐美國家在煽風(fēng)點火，比如在4月1日據(jù)外媒報道，美國財政部宣布對俄羅斯最...
臺積電3nm制程國內(nèi)公司相繼參與其供應(yīng)鏈
在長久的積累過后，臺積電終于將在2022下半年開始3nm制程的量產(chǎn)工程，隨著消息的放出，該工程的一部分耗材供應(yīng)商也隨之被公布了出來，其中國內(nèi)的中國砂輪企業(yè)股份有限公司以及光洋應(yīng)用...
中芯國際2021年報顯示營收增長39.3% 毛利率達(dá)30.8% 財務(wù)指標(biāo)穩(wěn)健增長
中芯國際集成電路制造有限公司宣布本公司及其子公司截至二零二一年十二月三十一日止年度經(jīng)審核業(yè)績。 （以下數(shù)據(jù)根據(jù)國際財務(wù)報告準(zhǔn)則編制） 財務(wù)摘要 收入由2020年的3,907.0百萬美元增長...
長電科技2021年度保持穩(wěn)健發(fā)展勢頭
2021第四季度及全年財務(wù)亮點： 四季度實現(xiàn)收入為人民幣85.9億元，全年實現(xiàn)收入為人民幣305.0億元，創(chuàng)歷年同期新高。四季度和全年收入同比分別增長11.5%和15.3%。 四季度經(jīng)營活動產(chǎn)生現(xiàn)金人民...
納米壓印光刻技術(shù)的詳細(xì)介紹
在過去的幾年中，納米壓印光刻引起了越來越多的興趣。事實上，似乎有越來越多的潛在納米壓印應(yīng)用和基本納米壓印光刻概念的變化。不同的納米壓印變體對于特定的最終用途應(yīng)用各有優(yōu)缺點...
新一代半導(dǎo)體材料氧化鎵應(yīng)用研究
在所有其他參數(shù)相同的情況下，對于電子應(yīng)用，寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體優(yōu)于窄帶半導(dǎo)體(如硅)，因為導(dǎo)帶和價帶之間的大能量分離允許這些器件在高溫和較高電壓下工作。例如，與行業(yè)巨頭硅1.1eV的相...
一種用非金屬掩模層蝕刻碳化硅的方法
一種用非金屬掩模層蝕刻碳化硅的方法。該方法包括提供碳化硅基底；通過在基底上施加一層材料來形成非金屬掩模層；形成掩模層以暴露基底的底層區(qū)域；并以第一速率用等離子體蝕刻基底的...
半導(dǎo)體工藝之PVA刷擦洗 聚VA刷摩擦分析
引言 本文簡要綜述了所提出的清洗機(jī)制。然后介紹了聚VA刷摩擦分析結(jié)果。在摩擦分析中，刷的粘彈性行為、平板的表面潤濕性以及刷的變形是重要的。此外，我們還介紹了PVA電刷和接觸面之間...
2022-03-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體PVA半導(dǎo)體工藝 3261
多晶硅表面紋理化的典型方法
濕化學(xué)蝕刻是多晶硅表面紋理化的典型方法,濕化學(xué)蝕刻法也是多晶體硅表面鋸切損傷的酸織構(gòu)化或氫氧化鉀鋸切損傷去除后的兩步化學(xué)蝕刻,這些表面紋理化方法是通過在氫氟酸-硝酸-H2O的酸性...
KOH硅濕法蝕刻工藝設(shè)計研究
在本研究中，我們設(shè)計了一個150mm晶片的濕蝕刻槽來防止硅片的背面蝕刻，并演示了優(yōu)化的工藝配方，使各向異性濕蝕刻的背面沒有任何損傷，我們還提出了300mm晶圓處理用濕浴槽的設(shè)計，作為...
n型多孔硅刻蝕時間的效應(yīng)分析
引言 硅在歷史上一直是電子產(chǎn)品的主要材料，而光電子領(lǐng)域的工作幾乎完全依賴于GaAs和磷化銦等ⅲ-ⅴ族化合物材料。這種材料系統(tǒng)二分法的主要原因是硅的間接帶隙結(jié)構(gòu)使其發(fā)光不切實際。然...
半導(dǎo)體硅基板的蝕刻方法簡介
本文是為了在Si基板蝕刻制造金剛石時提高制造收率，為此，將半導(dǎo)體Si基板接入陽極，將Pt電極接入陰極后，在pt電極用跳汰機(jī)內(nèi)放入氮氣泡泡器，旋轉(zhuǎn)對向的正電極上外部認(rèn)可電壓，泡泡器內(nèi)...
泛林集團(tuán)推三款開創(chuàng)性的選擇性刻蝕產(chǎn)品 此前宣布季度股息1.5美元每股
泛林集團(tuán)推三款開創(chuàng)性的選擇性刻蝕產(chǎn)品 泛林集團(tuán)深信創(chuàng)新不僅來自于創(chuàng)新者，更需要共同合作、精確細(xì)致和努力交付才能實現(xiàn)創(chuàng)新。我們助力第四次工業(yè)革命，也是世界領(lǐng)先半導(dǎo)體企業(yè)值得...
高頻聲能清洗半導(dǎo)體晶片的方法
我們研究了使用超臨界二氧化碳 (SCCO2)/化學(xué)添加劑配方去除離子注入光刻膠的方 法。通過 SEM 和 XPS 分析對加工樣品的離子注入表面進(jìn)行表征表明，使用超臨界二氧化碳/共溶劑配方，可以實現(xiàn)離...
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