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標(biāo)簽 > 晶圓
晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。
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盡管芯片已經(jīng)可以被如此大規(guī)模地生產(chǎn)出來(lái)，生產(chǎn)芯片卻并非易事。制造芯片的過(guò)程十分復(fù)雜，今天我們將會(huì)介紹六個(gè)最為關(guān)鍵的步驟：沉積、光刻膠涂覆、光刻、刻蝕、離...
一種在單個(gè)晶片清潔系統(tǒng)中去除后處理殘留物的方法
提供了一種在單個(gè)晶片清潔系統(tǒng)中去除后處理殘留物的方法。該方法開(kāi)始于向設(shè)置在襯底上方的鄰近頭提供第一加熱流體。然后，在基板的表面和鄰近頭的相對(duì)表面之間產(chǎn)生...
在超大規(guī)模集成(ULSI)制造的真實(shí)生產(chǎn)線中，器件加工過(guò)程中存在各種污染物。由于超大規(guī)模集成電路器件工藝需要非常干凈的表面，因此必須通過(guò)清潔技術(shù)去除污染...
當(dāng)前工業(yè)機(jī)器人的關(guān)鍵技術(shù)及其應(yīng)用
我國(guó)工業(yè)機(jī)器人的市場(chǎng)主要集中在汽車、汽車零部件、摩托車、電器、工程機(jī)械、石油化工等行業(yè)。中國(guó)作為亞洲第三大的工業(yè)機(jī)器人需求國(guó)，市場(chǎng)發(fā)展穩(wěn)定，汽車及其零部...
2022-03-15 標(biāo)簽：控制系統(tǒng)晶圓工業(yè)機(jī)器人 5.2k 0
本文討論并演示了痕量污染物分析儀的功能。該分析工具利用電噴霧飛行時(shí)間質(zhì)譜儀對(duì)晶圓清洗溶液進(jìn)行全自動(dòng)在線監(jiān)測(cè)。該分析儀通過(guò)其在正負(fù)模式下提供強(qiáng)(元素)和弱...
由TOK、JSR、陶氏化學(xué)等公司生產(chǎn)的新一代負(fù)色調(diào)和化學(xué)放大的正色調(diào)光阻劑在先進(jìn)的包裝應(yīng)用中獲得了發(fā)展勢(shì)頭。隨著銅柱和微凸起的采用，樹(shù)脂的厚度要求正在增...
研究碳化硅襯底和外延的實(shí)驗(yàn)報(bào)告
摘要 本發(fā)明提供一種能夠提供低位錯(cuò)缺陷的高質(zhì)量襯底的單晶碳化硅錠，和由此獲得的襯底和外延晶片。 它是一種包含單晶碳化硅的單晶碳化硅錠，該單晶碳化硅含有濃...
關(guān)鍵詞:超臨界清洗，離子注入光刻膠，光刻膠剝離 摘要 本文提出了一種有效的、環(huán)保的干剝離方法，使用超臨界二氧化碳(SCCO2)系統(tǒng)，在40℃到100℃和...
關(guān)于薄膜金剛石的化學(xué)機(jī)械拋光的研究報(bào)告
摘要 納米晶金剛石(NCD)可以保留單晶金剛石的優(yōu)越楊晶模量(1100GPa)，以及在低溫下生長(zhǎng)的能力(450C)，這推動(dòng)了NCD薄膜生長(zhǎng)和應(yīng)用的復(fù)興。...
增加電路密度而不必移動(dòng)到新技術(shù)節(jié)點(diǎn)的優(yōu)勢(shì)使得垂直擴(kuò)展成為半導(dǎo)體行業(yè)的強(qiáng)大驅(qū)動(dòng)力。但它也有一系列挑戰(zhàn)，其中關(guān)鍵的挑戰(zhàn)便是刻蝕能力。
2022-01-24 標(biāo)簽：NAND晶圓泛林集團(tuán) 1.3k 0
芯片是晶圓切割完成的半成品，晶圓是芯片的載體，將晶圓充分利用刻出一定數(shù)量的芯片后，進(jìn)行切割就就成了一塊塊的芯片了。
用于刻蝕多晶硅表面的HF-HNO3-H2SO4/H2O混合物
硅表面常用的HF-HNO3-H2O蝕刻混合物的反應(yīng)行為因?yàn)榱蛩峒尤攵艿斤@著影響。HF (40%)-HNO3 (65%)-H2SO4 (97%)混合物的...
引言 氧化鋅是最廣泛研究的纖鋅礦半導(dǎo)體之一。氧化鋅不僅作為單晶，而且以多晶薄膜的形式。其顯著的性能，如寬直接帶隙3.37 eV，大結(jié)合強(qiáng)度內(nèi)聚能1.89...
引言 隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，為了在有限的面積內(nèi) 形成很多器件，技術(shù)正在向多層結(jié)構(gòu)發(fā)展。要想形成多層結(jié)構(gòu)，會(huì)形成比現(xiàn)有更多的薄膜層 ,這時(shí)晶片背面也會(huì)堆積...
關(guān)鍵詞:玻璃陶瓷；氫氟酸；蝕刻條件；蝕刻速率；機(jī)制 引言 我們江蘇華林科納研究了氧化鎂-氧化鋁-二氧化硅玻璃陶瓷在氫氟酸中的腐蝕條件和機(jī)理。結(jié)果表明，在...
摘要 研究了高頻和高頻/HCI溶液中的不同平衡點(diǎn)，并研究了SiQ的蝕刻反應(yīng)作為高頻溶液中不同物種的函數(shù)?；贖F二聚體的存在，建立了一種新的SiO~蝕刻...
Al2O3鈍化PERC太陽(yáng)能電池的工業(yè)清洗序列
摘要 在本文中，我們研究了測(cè)試晶圓和PERC太陽(yáng)能電池的不同工業(yè)適用清洗順序，并與實(shí)驗(yàn)室類型的RCA清洗進(jìn)行了比較。清潔順序pSC1、HF/HCl、HF...
2021-12-31 標(biāo)簽：太陽(yáng)能電池太陽(yáng)能晶圓 2.3k 0
引言 為了評(píng)估用各種程序清洗和干燥的晶圓表面的清潔度，我們通過(guò)高靈敏度的大氣壓電離質(zhì)譜(APIMS)成功地分析了這些晶圓表面的排氣量。特別是，通過(guò)將晶片...
引言 Cu作為深度亞微米的多電級(jí)器件材料，由于其電阻低、電遷移電阻高和電容降低，與鋁相比的時(shí)間延遲。本文從理論和實(shí)驗(yàn)上研究了檸檬酸基銅化學(xué)機(jī)械平坦化后二...
引言 紫外熒光(UVF)是一種新穎而通用的檢測(cè)硅片表面金屬雜質(zhì)污染的方法。我們證明了UVF在硅片加工中污染控制的有效性。實(shí)驗(yàn)顯示了室溫下鐵、銅、鎳、鈉等...
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