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標(biāo)簽 > 晶圓
晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu),而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。
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技術(shù)路線圖始終是雙向的,一半來(lái)自技術(shù)方面的進(jìn)步,另一半來(lái)自市場(chǎng)的需求。
在智能手機(jī)等眾多數(shù)碼產(chǎn)品的更新迭代中,科技的改變悄然發(fā)生。蘋果A15仿生芯片等尖端芯片正使得更多革新技術(shù)成為可能。這些芯片是如何被制造出來(lái)的,其中又有哪...
半導(dǎo)體是電子電路中使用最廣泛的元件之一,它們保證了可靠性、高電阻和低成本。半導(dǎo)體器件的制造過(guò)程通常用于創(chuàng)建集成電路,包括一系列多個(gè)照相和化學(xué)處理步驟,在...
當(dāng)聽到“半導(dǎo)體”這個(gè)詞時(shí),你會(huì)想到什么?它聽起來(lái)復(fù)雜且遙遠(yuǎn),但其實(shí)已經(jīng)滲透到我們生活的各個(gè)方面:從智能手機(jī)、筆記本電腦、信用卡到地鐵,我們?nèi)粘I钏蕾?..
在今天的推文中,我們將繼續(xù)介紹最后三個(gè)步驟:互連、測(cè)試和封裝,以完成半導(dǎo)體芯片的制造。
2022-08-01 標(biāo)簽:晶圓半導(dǎo)體制造刻蝕 4.7k 0
濕法蝕刻工藝的原理是利用化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為liquid化合物。由于采用了高選擇性化學(xué)物質(zhì)可以非常精確地適用于每一部電影。對(duì)于大多數(shù)解決方案選擇性大...
常見的Fan-In(WLCSP)通??梢苑譃锽OP(Bump On Pad)和RDL(Redistribution Layer)。BOP封裝結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,B...
芯片制造的光刻支出如何隨著各種節(jié)點(diǎn)縮小演變歷程
單片設(shè)計(jì)每個(gè)晶圓有 30 個(gè)好的die,而小芯片 MCM 設(shè)計(jì)每個(gè)晶圓有 79 個(gè)好的die。假設(shè)所有有缺陷的die都必須扔進(jìn)垃圾桶。如果沒有芯片良率收...
晶片鍵合是指通過(guò)一系列物理過(guò)程將兩個(gè)或多個(gè)基板或晶片相互連接和化學(xué)過(guò)程。晶片鍵合用于各種技術(shù),如MEMS器件制造,其中傳感器組件封裝在應(yīng)用程序中。其他應(yīng)...
許多MEMS器件需要保護(hù),以免受到外部環(huán)境的影響,或者只能在受控氣氛或真空下運(yùn)行。當(dāng)今MEMS器件與CMOS芯片的高度集成,還需要專門用于MEMS器件的...
硅(Si)的深度蝕刻對(duì)于廣泛的應(yīng)用是非常理想的。在這種情況下,通過(guò)長(zhǎng)時(shí)間的金屬輔助化學(xué)蝕刻(MACE)和短時(shí)間的氫氧化鉀蝕刻,證明了通過(guò)蝕刻375微米厚...
晶圓切片簡(jiǎn)述與關(guān)鍵工藝參數(shù)
先進(jìn)封裝(advanced packaging)的后端工藝(back-end)之一,將晶圓或組件進(jìn)行劃片或開槽,以利后續(xù)制程或功能性測(cè)試。
晶圓級(jí)封裝技術(shù)可定義為:直接在晶圓上進(jìn)行大部分或全部的封裝、測(cè)試程序,然后再進(jìn)行安裝焊球并切割,從而產(chǎn)出一顆顆的IC成品單元。
本發(fā)明一般涉及清洗和蝕刻硅表面的方法,以及更具體地涉及使用NF在低溫下預(yù)清洗晶片,在使用硅晶片制造半導(dǎo)體器件的過(guò)程中,在硅晶片的硅表面上可能會(huì)形成污染物...
設(shè)計(jì)一顆IC芯片時(shí)究竟有哪些步驟
昨天的文章中金譽(yù)半導(dǎo)體就提到了,芯片制作的第一個(gè)步驟就是制定芯片方案設(shè)計(jì),只有把芯片的內(nèi)部制造方案設(shè)計(jì)出來(lái)后,才能根據(jù)這個(gè)方案一步步完成。目前有很多專業(yè)...
2022-06-15 標(biāo)簽:聯(lián)發(fā)科半導(dǎo)體晶圓 8.2k 1
淺談晶圓代工廠制程節(jié)點(diǎn)和應(yīng)用
當(dāng)MCU需求激增時(shí),8英寸晶圓往往會(huì)生產(chǎn)更多的MCU,而不是價(jià)格較低的MOSFET。另一方面,PMIC和DDIC的需求穩(wěn)定,因此晶圓代工廠商總是為PMI...
車輪圖案和寬分離的V形槽的硅蝕刻速率測(cè)量實(shí)驗(yàn)
我們介紹了在氫氧化鉀溶液中蝕刻的車輪圖案和寬分離的V形槽的硅蝕刻速率測(cè)量。數(shù)據(jù)表明,當(dāng)使用貨車輪圖案時(shí),存在反應(yīng)物耗盡效應(yīng),這掩蓋了真實(shí)的表面反應(yīng)速率限...
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