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標簽 > 晶圓
晶圓是指硅半導體集成電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結構,而成為有特定電性功能之IC產品。
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CPU為什么不做成圓的而是方的?對硬件有所了解的朋友們幾乎都會知道,CPU的外形是一塊正方形的金屬厚片,當然也有長方形的版本。上表面平整光滑,下表面則有...
縱觀整個制造業(yè),芯片的制造流程可以說是最復雜的之一,這項點石成金術可分為八個大步驟,如下圖所示,這些步驟又可細分為上百道工序。
為了應對半導體芯片高密度、高性能與小體積、小尺寸之間日益嚴峻的挑戰(zhàn),3D 芯片封裝技術應運而生。從工藝和裝備兩個角度詮釋了 3D 封裝技術;介紹了國內外...
晶圓級WLP微球植球機是高端IC封裝的核心設備之一,晶圓上凸點(Bump)的制作是關鍵技術。闡述了WLP封裝工藝流程,對三種晶圓級封裝凸點制作技術進行了...
ATLANT 3D是第一家開創(chuàng)這種全新微納米加工方式的廠商。ATLANT 3D開發(fā)的Nanofabricator?設備通過人工智能(AI)解決方案實現先進制造
晶圓的層次結構如下圖所示:硅基板P型襯底為摻雜硼原子的Si,N阱(n-well)為摻雜磷原子的Si;其上面為隔離作用的場氧層是SiO2,場氧層上面由多晶...
離子注入后的快速加熱退火(RTA)工藝是快速加熱步驟 (RTP)中最常使用的一種技術。當離子注入完成后,靠近表面的硅晶體結構會受到高能離子的轟擊而嚴重損...
裝片(Die Bond/Die Attach)是把晶圓切割(wafer saw)后的單顆芯片,貼裝在引線框架(lead frame)的基島上,以便后續(xù)工序作業(yè)。
氮化硅LPCVD工藝及快速加熱工藝(RTP)系統(tǒng)詳解
銅金屬化過程中,氮化硅薄層通常作為金屬層間電介質層(IMD)的密封層和刻蝕停止層。而厚的氮化硅則用于作為IC芯片的鈍化保護電介質層(Passivatio...
ALD是Atomic Layer Deposition(原子層沉積)的縮寫,是通過重復進行材料供應(前體)和排氣,利用與基板之間的表面反應,分步逐層沉積...
晶圓測試系統(tǒng)需要創(chuàng)建晶圓上所有Mini LED Mapping,以采集關鍵屬性數據。在晶粒繪圖過程完成之后,機器將根據質量對單個Mini LED晶粒進行...
2022-10-08 標簽:讀碼器晶圓測試系統(tǒng) 1.9k 0
單晶圓系統(tǒng)也能進行多晶硅沉積。這種沉積方法的好處之一在于能夠臨場進行多晶硅和鎢硅化物沉積。DRAM芯片中通常使用由多晶硅-鈞硅化物形成的疊合型薄膜作為柵...
多芯片設計并不新鮮,但最近5年,其受歡迎程度明顯上升,超微半導體公司(AMD)、蘋果、英特爾和英偉達都有不同程度的涉足。
5D 封裝和 3D 封裝是兩種常用的晶圓級多層堆疊技術。2. 5D 封裝是將芯片封裝到 Si 中介層上,并利用 Si 中介層上的高密度走線進行互連。
硅晶圓作為半導體產品最重要的原材料,其市場規(guī)模的波動方向也基本與全球半導體銷售額一致,且波動幅度更大,具有明顯的周期性。
晶圓級封裝(Wafer Level Packaging,縮寫WLP)是一種先進的封裝技術,因其具有尺寸小、電性能優(yōu)良、散熱好、成本低等優(yōu)勢,近年來發(fā)展迅...
隨著 5G 和人工智能等新型基礎設施建設的不斷推進,單純通過縮小工藝尺寸、增加單芯片面積等方式帶來的系統(tǒng)功能和性能提升已難以適應未來發(fā)展的需求。晶圓級多...
大多數成熟的晶圓廠都知道他們有性能問題,需要更多關于根源的信息。為了開發(fā)解決其特定問題的解決方案,他們必須超越一般化,并確定在工具級別出現瓶頸的方式和位置。
傳統(tǒng)上,IC芯片與外部的電氣連接是用金屬引線以鍵合的方式把芯片上的I/O連至封裝載體并經封裝引腳來實現。隨著IC芯片特征尺寸的縮小和集成規(guī)模的擴大,I/...
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