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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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Texas Instruments LMG3100R0x具有集成驅(qū)動器的GaN FET數(shù)據(jù)手冊
Texas Instruments LMG3100R0x具有集成驅(qū)動器的氮化鎵 (GaN) FET是1.7mΩ GaN FET和驅(qū)動器，帶高側(cè)電平轉(zhuǎn)換器...
2025-07-06 標(biāo)簽：驅(qū)動器電平轉(zhuǎn)換器氮化鎵 3.3k 0
如今，圍繞第三代半導(dǎo)體的研發(fā)和應(yīng)用日趨火熱。由于具有更大的禁帶寬度、高耐壓、高熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速度等特點(diǎn)，第三代半導(dǎo)體材料能夠滿足未來電子產(chǎn)品在高...
東科四款合封氮化鎵快充芯片量產(chǎn)，多款應(yīng)用案例剖析
在氮化鎵快充市場不斷拓展的過程中，電源技術(shù)水平也在不斷提升，起初的氮化鎵快充電源一般需要采用控制器+驅(qū)動+氮化鎵功率器件組合設(shè)計(jì)，不僅電路布局較為復(fù)雜，...
氮化鎵是一種無機(jī)化合物，化學(xué)式為GaN，它由鎵和氮元素組成。氮化鎵具有許多重要的物理和化學(xué)性質(zhì)，使其在科學(xué)研究和工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用。 氮化鎵是...
深度拆解：納微NV6136A助力打造聯(lián)想超薄餅干65W氮化鎵充電器
同時(shí)充電器具有65W主流輸出功率，功率密度高達(dá)1.39W/cm3，并且兼容PD3.0、QC3.0以及PPS三大快充協(xié)議，成為快充界的“卷王擔(dān)當(dāng)”。下面來...
前不久，納微半導(dǎo)體剛剛發(fā)布全球首款量產(chǎn)級的650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片。
驗(yàn)證電源半橋拓?fù)涫欠裾_交叉導(dǎo)通的常用方法是使用兩個(gè)探針同時(shí)驗(yàn)證高壓側(cè)和低壓側(cè)驅(qū)動信號之間的死區(qū)時(shí)間。
2021-01-08 標(biāo)簽：開關(guān)電源晶體管氮化鎵 3.2k 0
氮化鎵 （GaN） 晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實(shí)現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。然而，當(dāng)壓擺率很高時(shí)，特定的封裝類型會限制GaN FET的開關(guān)...
小編在這里給大家分享一下什么是氮化鎵技術(shù)指標(biāo)？什么是氮化鎵技術(shù)指標(biāo)體系？ 以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體，具有高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、...
大多數(shù)iii\-氮化物的蝕刻目前是通過干燥工藝完成的。雖然干蝕刻具有許多理想的特性，包括高蝕刻率和獲得垂直壁的能力，但干蝕刻有幾個(gè)缺點(diǎn)，包括產(chǎn)生離子致?lián)p...
DC/DC轉(zhuǎn)換器 EMI的工程師指南-第1部分，規(guī)范和測量
多數(shù)電源應(yīng)用必須減少電磁干擾 （EMI） 以滿足相關(guān)要求，系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員必須嘗試各種方法來減少傳導(dǎo)和輻射發(fā)射。
2019-08-09 標(biāo)簽：emiDC-DC轉(zhuǎn)換器電磁干擾 3.2k 0
半導(dǎo)體器件作為現(xiàn)代電子技術(shù)的核心元件，廣泛應(yīng)用于集成電路、消費(fèi)電子及工業(yè)設(shè)備等場景，其性能直接影響智能終端與裝備的運(yùn)行效能。以氮化鎵（GaN）和碳化硅（...
Power Integrations宣布了其最新的MinE-CAP技術(shù)，該技術(shù)是具有通用輸入的高功率密度AC / DC轉(zhuǎn)換器（電源）的解決方案。除了將高...
基于氮化鎵 (GaN) 的高電子遷移率晶體管 (HEMT) 器件具有出色的電氣特性，是高壓和高開關(guān)頻率電機(jī)控制應(yīng)用中 MOSFET 和 IGBT 的有效...
PD快充/氮化鎵充電器高壓輸入端電容如何兼顧小體積、大容值與低ESR？——永銘液態(tài)鋁電解電容應(yīng)用方案
在PD快充與氮化鎵（GaN）充電器設(shè)計(jì)中，高壓輸入端液態(tài)鋁電解電容，通常位于整流后的高壓母線側(cè)，承擔(dān)輸入儲能、紋波吸收與電壓穩(wěn)定的重要作用。隨著充電器向...
僅從物理特性來看，氮化鎵比碳化硅更適合做功率半導(dǎo)體的材料。研究人員還將碳化硅與氮化鎵的“Baliga特性指標(biāo)（與硅相比，硅是1）相比，4H-SiC是50...
2023-02-10 標(biāo)簽：氮化鎵功率半導(dǎo)體 3.1k 0
氮化鎵快充的優(yōu)勢無需多言，市場需求足可以證明一切。也有小伙伴一直在關(guān)注普通充電器這塊，主要是因?yàn)槠粘?兼容性強(qiáng)，幾乎所有設(shè)備（包括老舊手機(jī)、藍(lán)牙耳機(jī)等）...
隨著半導(dǎo)體化合物持續(xù)發(fā)展，相較第一代硅基半導(dǎo)體和第二代砷化鎵等半導(dǎo)體，第三代半導(dǎo)體具有高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、高電子遷移率、高工作溫度等優(yōu)點(diǎn)。以SiC和G...
安森美半導(dǎo)體GaN晶體管——追求更快、更智能和更高能效
氮化鎵(GaN)，作為時(shí)下新興的半導(dǎo)體工藝技術(shù)，提供超越硅的多種優(yōu)勢。與硅器件相比，GaN在電源轉(zhuǎn)換效率和功率密度上實(shí)現(xiàn)了性能的飛躍，廣泛應(yīng)用于功率因數(shù)...
GaN是一種無機(jī)物質(zhì)，其化學(xué)式為GaN，是氮和鎵的化合物，是自1990年以來常用于發(fā)光二極管的直接帶隙半導(dǎo)體。該化合物在結(jié)構(gòu)上類似于金雞石，具有高硬...
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