集成氮化鎵電機驅動器分析

氮化鎵（GaN）是一種具有寬帶隙的半導體，其開關速度比硅元件快20倍，并且可以處理高達三倍的功率密度。如果在電機驅動器的PFC和轉換器級中使用GaN開關...

2023-04-04 標簽：氮化鎵GaN電機驅動器 3.1k 0

如何對氮化鎵基發(fā)光二極管結構進行干法刻蝕

氮化鎵作為一種寬帶隙半導體，已被用于制造發(fā)光二極管和激光二極管等光電器件。最近已經開發(fā)了幾種用于氮化鎵基材料的不同干蝕刻技術。電感耦合等離子體刻蝕因其優(yōu)...

2022-04-26 標簽：發(fā)光二極管氮化鎵蝕刻 3k 0

PI氮化鎵的質量與可靠性介紹

氮化鎵(GaN) 是一種寬禁帶的直接帶隙半導體，它有著很寬的直接帶隙，很高的擊穿場強，很高的熱導率和非常好的物理、化學穩(wěn)定性。正因其各方面都有著非常好的...

2023-07-27 標簽：氮化鎵半導體芯片GaN技術 3k 0

隔離式DC/DC電路的共模噪聲抑制方法

在第 8 部分，我們將探討隔離式 DC/DC 電路的共模噪聲抑制方法。工作在高輸入電壓下的轉換器（例如，電動汽車車載充電系統(tǒng)、數據中心電源系統(tǒng)和射頻功放...

2023-03-29 標簽：電源轉換器氮化鎵 3k 0

氮化鎵功率晶體管基礎

一個器件的成本效益，從生產基礎設施開始計算。宜普公司的工藝技術，基于不昂貴的硅晶圓片。在硅基板上有一層薄薄的氮化鋁 （Aluminum Nitride/...

2023-02-08 標簽：晶體管硅晶圓氮化鎵 3k 0

電機驅動中氮化鎵技術的應用前景

通過采用電子馬達驅動器或“電壓源逆變器”可實現對電機的增強型控制，此類驅動器通常會產生可變頻率和幅值的三相交流電來控制馬達的速度、扭矩和方向。驅動器采用...

2021-04-28 標簽：電機驅動功率器件氮化鎵 3k 0

硅基氮化鎵介紹

硅基氮化鎵技術是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個過程中，由于氮化鎵薄膜直接生長在硅襯底上，可以利用現有硅基半導體制造基礎設施實...

2023-02-10 標簽：無線通信氮化鎵半導體制造 2.9k 0

如何使用GaN HEMT抽取Self-heating效應和Trapping效應模型參數？

氮化鎵(GaN)技術在5G基站、衛(wèi)星通信、國防系統(tǒng)和其他應用中的迅速普及提高了晶體管建模的門檻。

2024-05-19 標簽：晶體管ASM氮化鎵 2.9k 0

GaN功率器件的應用技術

簡單回顧氮化鎵與硅基MOS管相比，氮化鎵結構的特性。然后從消費類、工業(yè)領域以及汽車領域介紹了氮化鎵器件的應用技術情況，重點介紹了氮化鎵當前的主要應用領域...

2023-02-14 標簽：MOS管氮化鎵OBC 2.9k 0

氮化鎵快充IC U8733L的工作原理

通常來講，充電器輸出功率的增加，充電器的體積也要相應擴大。因為內置GaN芯片的使用，快充充電器擁有小體積、高性能、協(xié)議多、節(jié)能高等特點，所以快充充電器比...

2025-07-15 標簽：充電器氮化鎵GaN 2.9k 0

GaN的可靠性

鑒于氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投資這項技術之前，您可能仍然會好奇GaN是否具有...

2022-09-20 標簽：氮化鎵GaN可靠性 2.9k 0

同步整流芯片U7714產品概述

同步整流芯片U7714是一款帶快速關斷功能的高性能副邊同步整流功率開關，可以替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。U7714內置有VDD高壓供電模塊，無需...

2025-07-16 標簽：氮化鎵快充同步整流芯片 2.9k 0

GaN晶體管與SiC MOSFET有何區(qū)別（下）

**氮化鎵**晶體管和**碳化硅** MOSFET是近兩三年來新興的功率半導體，相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導體，他們都具有許多非常優(yōu)異的特性：耐壓高，導通...

2023-02-03 標簽：MOSFET晶體管氮化鎵 2.8k 0

氮化鎵和碳化硅誰將贏得寬帶隙之戰(zhàn)？

氮化鎵和碳化硅正在爭奪主導地位，它們將減少數十億噸溫室氣體排放。

2023-08-07 標簽：led照明充電器氮化鎵 2.8k 0