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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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韓國成功開發(fā)出一種能夠替代氮化鎵生產(chǎn)藍(lán)光LED的新型LED材料 生產(chǎn)成本將更低
據(jù)BusinessKorea報(bào)道，韓國科技研究院KIST于3月8日宣布研究院的一個(gè)團(tuán)隊(duì)成功開發(fā)出一種能夠替代氮化鎵生產(chǎn)藍(lán)光LED的新型LED材料。據(jù)悉，...
意法半導(dǎo)體GaN驅(qū)動(dòng)器集成電流隔離功能 具有卓越的安全性和可靠性
近日，意法半導(dǎo)體推出了首款具有電流隔離功能的氮化鎵 (GaN) 晶體管柵極驅(qū)動(dòng)器，新產(chǎn)品 STGAP2GS縮小了芯片尺寸，降低了物料清單成本，能夠滿足應(yīng)...
2023-09-12 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器意法半導(dǎo)體氮化鎵 1.4k 0
COSEL推出用于工業(yè)應(yīng)用的新一代高度緊湊型電源
基于氮化鎵和平面磁性等最新電力電子技術(shù)，新型電源可為工業(yè)應(yīng)用節(jié)省高達(dá)58%的電路板空間。 COSEL 的 TE 系列是用于工業(yè)應(yīng)用的新一代高度緊湊型電源...
氮化鎵電源芯片U8733L與U8733同屬U8733X系列，都是外置OTP，自帶降功率(限12V最大輸出)，集成高壓?jiǎn)?dòng)電路，可獲得快速啟動(dòng)功能和超低的...
第三代半導(dǎo)體后起之秀：氮化鎵未來幾大新的增長點(diǎn)
比碳化硅器件，氮化鎵功率器件在同時(shí)對(duì)效率、頻率、體積等綜合方面有要求的場(chǎng)景中，將更有優(yōu)勢(shì)，比如氮化鎵基器件已成功規(guī)模應(yīng)用于快充領(lǐng)域。
IR推出高效率氮化鎵功率器件 目前，硅功率器件主要通過封裝和改善結(jié)構(gòu)來優(yōu)化性能提升效率，不過隨著工藝技術(shù)的發(fā)展這個(gè)改善的空間已經(jīng)不大了
快節(jié)奏的時(shí)代,在旅游、辦公等場(chǎng)景下,一款高效、便捷的充電器可以讓我們的生活更便捷、高效。今天就給大家推薦一款倍思氮化鎵充電器——Super GaN伸縮線...
功率電子元件市場(chǎng)走俏，日廠商聯(lián)手搶攻
隨著市場(chǎng)對(duì)混合動(dòng)力/電動(dòng)車的需求不斷增加，晶片產(chǎn)業(yè)對(duì)功率電子元件市場(chǎng)的期望也越來越高；市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu) IHS 指出，來自電源供應(yīng)器、太陽光電逆變器（PV）...
Transphorm上季度營收320萬美元 全年銷售額1470萬美元
該公司的收入為320萬美元，前一季度為450萬美元，2022會(huì)計(jì)年度第四季度為490萬美元。運(yùn)營費(fèi)用為850萬美元，上季度為720萬美元，2022會(huì)計(jì)年...
2023-06-29 標(biāo)簽：氮化鎵Transphorm 1.4k 0
科銳推進(jìn)建造全球最大SiC器件制造工廠和擴(kuò)大SiC產(chǎn)能
科銳目前正在美國紐約州Marcy建造全球最大的碳化硅 （SiC） 制造工廠。這一全新的、采用領(lǐng)先前沿技術(shù)的功率和射頻制造工廠將滿足車規(guī)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)和200mm工藝。
2020-08-31 標(biāo)簽：氮化鎵科銳半導(dǎo)體制造 1.4k 0
◎產(chǎn)品特性: 工作頻率: 2. 0^~ 6. 0GHz 飽和輸出功率: Pout ≥50dBm 功率增益: Gain≥8. 0dB (type) ...
能源為我們的生活提供動(dòng)力，而生成能源以及儲(chǔ)存能源的技術(shù)，對(duì)于可持續(xù)發(fā)展更是具有不可估量的價(jià)值。一方面通過更有效地利用、存儲(chǔ)和分配能源，能源被高效利用從而...
Porotech是英國劍橋大學(xué)的子公司，正在開發(fā)基于氮化鎵(GaN)的microLED技術(shù)，用于AR微顯示器。
2024-01-10 標(biāo)簽：氮化鎵GaN可穿戴設(shè)備 1.4k 0
Ganvix與BluGlass合作開發(fā)基于GaN的綠光VCSEL
與此同時(shí)，總部位于澳大利亞的BluGlass正在開發(fā)一種稱為遠(yuǎn)程等離子體化學(xué)氣相沉積（RPCVD）的新型沉積技術(shù)，其不同于金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCV...
芯干線科技出席第三代半導(dǎo)體技術(shù)與產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新發(fā)展論壇
火熱的7月，火熱的慕尼黑上海電子展(electronica China)！2024年7月8日至9日，備受矚目的"第三代半導(dǎo)體技術(shù)與產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新發(fā)...
2024-08-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵功率半導(dǎo)體 1.4k 0
納微半導(dǎo)體將亮相PCIM 2024，展示氮化鎵與碳化硅技術(shù)
在電力電子領(lǐng)域，納微半導(dǎo)體憑借其卓越的GaNFast?氮化鎵和GeneSiC?碳化硅功率半導(dǎo)體技術(shù)，已成為行業(yè)內(nèi)的佼佼者。近日，該公司受邀參加6月11日...
2024-05-30 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅納微半導(dǎo)體 1.4k 0
納微半導(dǎo)體閃亮登場(chǎng)慕尼黑上海電子展，氮化鎵最新工業(yè)級(jí)應(yīng)用產(chǎn)品首次公開亮相
DUBLIN， IRELAND —（PRWeb） 納微半導(dǎo)體宣布，在為期三天的2021年慕尼黑上海電子展上，成功完成一系列GaNFast? 大功率氮化鎵...
2021-04-27 標(biāo)簽：氮化鎵慕尼黑上海電子展納微半導(dǎo)體 1.4k 0
納微半導(dǎo)體公布第四季度和全年未經(jīng)審計(jì)財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)
第四季度收入達(dá)2,610萬美元，同比增長111%，環(huán)比增長19%
2024-03-04 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車氮化鎵人工智能 1.4k 0
Anker “智控桌面充管家”再添雙星！鎵未來GaN賦能極簡(jiǎn)美學(xué)新視界
GaNext助力|極簡(jiǎn)桌面生活 當(dāng)桌面充電邁入“高效與美學(xué)并存”的時(shí)代，鎵未來以尖端氮化鎵技術(shù)再次引領(lǐng)革新。近日，我們攜手全球消費(fèi)電子巨頭 Anker，...
集成之巔，易用至極！納微發(fā)布全新GaNSlim?氮化鎵功率芯片
采用納微專利的DPAK-4L封裝的高度集成氮化鎵功率芯片，具有智能化電磁干擾(EMI)控制和無損電流感測(cè)功能，助力打造業(yè)界最快、最小、最高效的解決方案。...
2024-10-17 標(biāo)簽：氮化鎵功率芯片納微半導(dǎo)體 1.4k 0
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