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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。
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基本半導(dǎo)體研發(fā)汽車級全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
汽車級全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2是基本半導(dǎo)體針對新能源商用車等大型車輛客戶對主牽引驅(qū)動器功率器件的高功率密度、長器件壽命等需求而專門開發(fā)的產(chǎn)品。
東芝推出用于工業(yè)設(shè)備的第3代碳化硅MOSFET，采用可降低開關(guān)損耗的4引腳封裝
點(diǎn)擊“東芝半導(dǎo)體”，馬上加入我們哦！ 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布， 推出采用有助于降低開關(guān)損耗的4引腳TO-247-4L(X)封...
2023-09-04 標(biāo)簽：碳化硅東芝半導(dǎo)體 2.2k 0
碳化硅功率半導(dǎo)體廠商瞻芯電子入選投中2022年度銳公司榜單
2月2日，知名投資界媒體投中網(wǎng)發(fā)布了2022年度“投中·銳公司100”榜單，瞻芯電子入榜。 ? 該榜單由投中研究院提供，從企業(yè)外部關(guān)注度、產(chǎn)業(yè)協(xié)同性以及...
韓國晶圓代工廠DB HiTek發(fā)放20%獎金，繼續(xù)加大電力半導(dǎo)體技術(shù)投資力度
盡管東晶圓的2023年銷售與運(yùn)營利潤雙雙大幅縮水，分別相較去年減少了31%和65%，但仍堅(jiān)持向員工發(fā)放高額獎金，鼓勵(lì)團(tuán)隊(duì)士氣。在半導(dǎo)體領(lǐng)域高端人才爭奪日...
小鵬汽車發(fā)布鯤鵬超級電動體系,引領(lǐng)增程技術(shù)新篇章
在11月6日舉行的小鵬AI科技日上，小鵬汽車正式揭曉了其命名為“小鵬鯤鵬超級電動體系”的創(chuàng)新增程系統(tǒng)。該系統(tǒng)構(gòu)建于先進(jìn)的800V高壓碳化硅平臺之上，集成...
安森美（onsemi）宣布，其位于韓國富川的先進(jìn)碳化硅 (SiC) 超大型制造工廠的擴(kuò)建工程已經(jīng)完工。全負(fù)荷生產(chǎn)時(shí)，該晶圓廠每年將能生產(chǎn)超過一百萬片 2...
從碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈來看，主要包括襯底、外延、器件設(shè)計(jì)、器件制造、封裝測試等。從行業(yè)市場結(jié)構(gòu)來看，碳化硅襯底市場目前以美國、日本為主和歐洲，其中美國是世界上最大的。
2023-12-04 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈碳化硅 2.2k 0
科銳公司(Nasdaq: CREE)將繼續(xù)引領(lǐng)高效率電子電力模組變革，宣布推出業(yè)界首款符合全面認(rèn)證的可應(yīng)用于電力電子模組的裸芯片型及芯片型碳化硅MOSF...
青銅劍技術(shù)推出雙通道驅(qū)動器2xD0210T12x0
在現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中，碳化硅MOSFET和IGBT是核心功率器件。其中，碳化硅具備高效率、高開關(guān)頻率及高溫耐受性等特性，IGBT技術(shù)成熟且性價(jià)比高，兩者...
俄羅斯和印度再增2個(gè)SiC項(xiàng)目 合計(jì)超過6.3億元
最近，俄羅斯和印度新增了2個(gè)碳化硅項(xiàng)目，其中俄羅斯的碳化硅模塊項(xiàng)目是由“中國最大的制造商之一”投資建設(shè)的
氮化鎵+碳化硅PD 方案的批量與國產(chǎn)氮化鎵和碳化硅SIC技術(shù)成熟密不可分，據(jù)悉采用碳化硅SIC做PFC管的方案產(chǎn)品體積更小，散熱更好，效率比超快恢復(fù)管提...
碳化硅外延片全球首個(gè)SEMI國際標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布，瀚天天成主導(dǎo)
國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（semi）正式公布了世界最早的“碳化硅半導(dǎo)體外延晶片全球首個(gè)semi國際標(biāo)準(zhǔn)——《4H-SiC同質(zhì)外延片標(biāo)準(zhǔn)》 （specifica...
國內(nèi)碳化硅功率器件的發(fā)展現(xiàn)狀及未來趨勢
主驅(qū)采用碳化硅，綜合損耗比硅器件降低70%，行程里程提升約5%。在OBC上采用碳化硅，器件數(shù)量減半，意味著被動器件直接減半，且配套的驅(qū)動電路也減少了，體...
2025 OktoberTech?精彩回顧一： CoolSiC?碳化硅新品發(fā)布， 性能指標(biāo)領(lǐng)跑全行業(yè)
近日，英飛凌在上海舉辦的2025OktoberTech大中華區(qū)生態(tài)創(chuàng)新峰會在上海順利落下帷幕。本次活動中，英飛凌推出多款CoolSiC碳化硅重磅新產(chǎn)品，...
芯三代半導(dǎo)體、先導(dǎo)電子先后啟動A股IPO輔導(dǎo)
2月18日，證監(jiān)會披露了首次公開發(fā)行股票并上市公司輔導(dǎo)備案的公示。新輔導(dǎo)公司：芯三代半導(dǎo)體科技（蘇州）股份有限公司、先導(dǎo)電子科技股份有限公司在列。
SiC碳化硅功率器件產(chǎn)品線和硅基產(chǎn)品線介紹
碳化硅功率器件涵蓋碳化硅裸芯片，碳化硅二極管和碳化硅MOSFET，還要碳化硅模塊。我們重點(diǎn)介紹一下碳化硅二極管和碳化硅MOSFET。碳化硅二極管除了確保...
上汽高端純電SUV智己LS6：首款搭載準(zhǔn)900V雙碳化硅高性能平臺
智己汽車研發(fā)人員介紹，智己LS6是智己汽車高端智能平臺的最新產(chǎn)品，搭載三電、智能駕駛、智艙交互領(lǐng)域的百余項(xiàng)最新科技。作為一款全球車，智己LS6由來自中國...
安世半導(dǎo)體Nexperia將在漢堡投資2億美元研發(fā)下一代寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品(WBG)
半導(dǎo)體制造商N(yùn)experia（安世半導(dǎo)體）近日宣布，計(jì)劃投資2億美元（約合1.84億歐元）研發(fā)下一代寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品(WBG)，例如碳化硅(SiC)和氮...
碳化硅8英寸時(shí)代倒計(jì)時(shí) 中國廠商能否搭上“早班車”
碳化硅襯底是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中成本最高、技術(shù)門檻最高的環(huán)節(jié)之一。近期，受到新能源汽車、光伏和儲能等市場的推動，碳化硅廠商紛紛投資建設(shè)8英寸晶圓生產(chǎn)線，。國內(nèi)...
超高壓 SiC N 溝道 IGBT 器件元胞的基本結(jié)構(gòu)如圖 1 所示。N+ 區(qū)域定義為源區(qū)，相應(yīng)的電極稱為發(fā)射極（Emitter）。背面 P+ 區(qū)域定義...
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