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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。
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瑞薩、X-FAB宣布了擴(kuò)產(chǎn)碳化硅的計(jì)劃
至于X-FAB,其計(jì)劃擴(kuò)大在美國(guó)德克薩斯州拉伯克市(Lubbock)的代工廠業(yè)務(wù)。報(bào)道稱,該公司已在拉伯克運(yùn)營(yíng)20多年,將在未來(lái)5年內(nèi)進(jìn)行重大投資,其中...
2023-05-24 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體碳化硅 1.6k 0
碳化硅和氮化鎵技術(shù)正在徹底改變汽車、工業(yè)、航空航天和國(guó)防領(lǐng)域的電源應(yīng)用
半導(dǎo)體器件的最終應(yīng)用領(lǐng)域?qū)﹄娫磻?yīng)用的硅替代品的要求越來(lái)越高: 硅 Mosfets 的開(kāi)關(guān)電阻太高,無(wú)法達(dá)到 SiC(碳化硅)提供的 99% 的轉(zhuǎn)換效率。...
近日,芯聯(lián)集成宣布其8英寸碳化硅工程批已順利下線,這一里程碑事件標(biāo)志著芯聯(lián)集成成為國(guó)內(nèi)首家成功開(kāi)啟8英寸碳化硅晶圓生產(chǎn)的廠家。此項(xiàng)技術(shù)的突破不僅體現(xiàn)了芯...
2024-05-27 標(biāo)簽:硅晶圓碳化硅芯聯(lián)集成 1.6k 0
這種耐高溫、承受高電壓、導(dǎo)熱性能好到驚人的材料,讓它在半導(dǎo)體、航空航天、電力電子等多個(gè)領(lǐng)域成為了革命性的材質(zhì)選擇。換句話說(shuō),沒(méi)有碳化硅,許多現(xiàn)代技術(shù)根本...
2024-04-16 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車電力系統(tǒng)SiC 1.6k 0
瞻芯電子:SiC功率器件國(guó)內(nèi)市場(chǎng)商用化之路
今年全球碳化硅的市場(chǎng)表現(xiàn)每季度都超越我們的預(yù)計(jì),一季度最初計(jì)劃是6億美元,最后達(dá)到了8億美元,二季度時(shí)候預(yù)計(jì)7億美元,最后是8億美元。我估計(jì)后面兩個(gè)季度...
2023-10-26 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET功率器件 1.6k 0
全球碳化硅技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed, Inc. (美國(guó)紐約證券交易所上市代碼: WOLF) 于近日宣布了碳化硅芯片制造工廠和材料制造工廠近期關(guān)鍵性進(jìn)展。
威兆半導(dǎo)體發(fā)布新一代高性能SiC MOSFET
在近日舉行的elexcon2024深圳國(guó)際電子展上,威兆半導(dǎo)體震撼發(fā)布了其全新一代高性能碳化硅(SiC)MOSFET——HCF2030MR70KH0,該...
低功耗碳化硅 MOSFET 的發(fā)展 | 氮化硼高導(dǎo)熱絕緣片
一、前言隨著電動(dòng)汽車的發(fā)展,汽車功率器件芯片也正在尋求能夠有效處理更高工作電壓和溫度的組件。此時(shí)碳化硅MOSFET成為牽引逆變器等電動(dòng)汽車構(gòu)建模塊的首選...
意法半導(dǎo)體SiC產(chǎn)品營(yíng)收達(dá)82億
意法半導(dǎo)體近日公布了2023年第四季度和全年財(cái)報(bào),展現(xiàn)出強(qiáng)勁的業(yè)績(jī)表現(xiàn)。根據(jù)財(cái)報(bào),意法半導(dǎo)體在2023年全年凈營(yíng)收達(dá)到了172.9億美元(折合人民幣約1...
2024-02-02 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體SiC碳化硅 1.6k 0
天岳先進(jìn):在8英寸碳化硅襯底上已具備量產(chǎn)能力
在底面價(jià)格方面,天岳先進(jìn)表示,從中短期來(lái)看,市場(chǎng)仍供不應(yīng)求,底面有效供應(yīng)不足,價(jià)格部分仍處于相對(duì)穩(wěn)定狀態(tài)。據(jù)yole報(bào)告,從長(zhǎng)期來(lái)看,基板價(jià)格會(huì)有所下...
市場(chǎng)需求和設(shè)計(jì)投入:22億美元預(yù)期收入,這是歷史上第三高的季度金額。Wolfspeed獲得了創(chuàng)紀(jì)錄的14億美元的Design-Win,客戶愿意將項(xiàng)目轉(zhuǎn)化...
中機(jī)新材完成億元A輪融資,專注國(guó)產(chǎn)高性能研磨拋光材料
據(jù)了解,中機(jī)新材專注于國(guó)產(chǎn)高性能研磨拋光材料的研發(fā)與應(yīng)用,能夠?yàn)榭蛻籼峁┝可泶蛟斓墓I(yè)磨拋解決方案,力求協(xié)助半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)徹底解決長(zhǎng)期困擾的瓶頸問(wèn)題。
2024-02-21 標(biāo)簽:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)材料碳化硅 1.6k 0
英飛凌馬來(lái)西亞居林碳化硅晶圓廠,全球功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新引擎
在今日科技日新月異,半導(dǎo)體技術(shù)蓬勃發(fā)展的時(shí)代背景下,德國(guó)科技巨頭英飛凌近日在半導(dǎo)體行業(yè)再次掀起了波瀾。據(jù)報(bào)道,該公司已完成位于馬來(lái)西亞居林的200mm碳...
在全球電力電子領(lǐng)域,英飛凌科技以其卓越的技術(shù)創(chuàng)新能力和領(lǐng)先的產(chǎn)品質(zhì)量贏得了廣泛贊譽(yù)。近日,該公司宣布推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù),標(biāo)...
深度解析SiC碳化硅MOSFET功率模塊并聯(lián)技術(shù):交錯(cuò)與硬并聯(lián)
深度解析SiC碳化硅MOSFET功率模塊并聯(lián)技術(shù):基于基本半導(dǎo)體產(chǎn)品矩陣的交錯(cuò)與硬并聯(lián)策略全景研究 BASiC Semiconductor基本半導(dǎo)體一級(jí)...
傾佳電子代理的基本半導(dǎo)體碳化硅全系產(chǎn)品型號(hào)圖譜與技術(shù)深度解析報(bào)告
傾佳電子代理的基本半導(dǎo)體碳化硅全系產(chǎn)品型號(hào)圖譜與技術(shù)深度解析報(bào)告 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。...
深圳基本半導(dǎo)體公司成功研發(fā)溝槽型碳化硅MOSFET器件結(jié)構(gòu)及制備技術(shù)
具體來(lái)說(shuō),該結(jié)構(gòu)由以下幾部分組成:首先是n+型碳化硅襯底,接著是n-型漂移層和n型電流傳輸層,這三者自下而上依次排列。在n型電流傳輸層的頂部,從外部向內(nèi)...
2024-04-19 標(biāo)簽:MOSFET碳化硅基本半導(dǎo)體 1.6k 0
深紫外透明導(dǎo)電Si摻雜氧化鎵異質(zhì)外延薄膜研究
近年來(lái),氧化鎵(Ga2O3)半導(dǎo)體受到世界各國(guó)科研和產(chǎn)業(yè)界的普遍關(guān)注。氧化鎵具有4.9 eV的超寬禁帶,高于第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)的3.2 eV和...
英飛凌推出1200 V碳化硅MOSFET技術(shù),助力電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)達(dá)到前所未有的效率和性能
2016年5月10日,德國(guó)慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出革命性的碳化硅(SiC)MOSFET技...
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